BAT54J,115: Diodo singolo a barriera Schottky, package SOD323F, 30V, 200mA
Nexperia

Il Nexperia BAT54J,115 è un diodo Schottky a barriera singola incapsulato in un package SOD323F (SC-90) molto piccolo e piatto per dispositivi a montaggio superficiale (SMD). Presenta un anello di protezione integrato per la protezione contro lo stress, che contribuisce alla sua robustezza e affidabilità in varie applicazioni. Il diodo è caratterizzato da una bassa tensione diretta e una bassa capacità, rendendolo adatto per applicazioni ad alta efficienza dove è necessario minimizzare le perdite di potenza.

Questo componente è progettato per la tecnologia di montaggio superficiale (SMT), beneficiando di terminali piatti che garantiscono un'eccellente coplanarità e un miglior comportamento termico. Il BAT54J,115 può gestire una corrente diretta fino a 200mA e una tensione inversa fino a 30V. La sua bassa capacità è particolarmente vantaggiosa in applicazioni che richiedono commutazione rapida e basse perdite di potenza.

Specifiche e caratteristiche chiave

  • Package: SOD323F (SC-90)
  • Corrente diretta (IF): 200 mA
  • Tensione inversa (VR): 30 V
  • Tensione diretta (VF): 320 mV a 1 mA
  • Corrente diretta di picco ripetitiva (IFRM): 300 mA
  • Corrente diretta di picco non ripetitiva (IFSM): 600 mA
  • Dissipazione totale di potenza (Ptot): 550 mW a 25 °C
  • Temperatura di giunzione (Tj): 150 °C
  • Resistenza termica, giunzione-ambiente (Rth(j-a)): 230 K/W
  • Corrente inversa (IR): 2 µA a 25 V
  • Capacità del diodo (Cd): 10 pF a 1 V, 1 MHz

BAT54J,115 Sostituti
Parti equivalenti alternate che possono fungere da sostituto per BAT54J,115, le parti più popolari per prime

Applicazioni

  • Bloccaggio della tensione
  • Terminazione di linea
  • Protezione contro la polarità inversa

Categoria

Diodi

Informazioni generali

I diodi Schottky sono un tipo di diodo semiconduttore con una bassa caduta di tensione diretta e un'azione di commutazione molto rapida. Prendono il nome dal fisico tedesco Walter H. Schottky. La caratteristica unica del diodo a barriera Schottky è la giunzione metallo-semiconduttore che forma, a differenza della giunzione p-n dei diodi tradizionali. Questo si traduce in una caduta di tensione diretta più bassa e tempi di commutazione più rapidi, rendendo i diodi Schottky ideali per applicazioni ad alta frequenza e alta efficienza.

Quando si seleziona un diodo Schottky, gli ingegneri dovrebbero considerare parametri come corrente diretta, tensione inversa, caduta di tensione diretta, dissipazione di potenza e tipo di package. Le applicazioni spesso determinano la scelta di caratteristiche specifiche; ad esempio, alta corrente diretta e bassa caduta di tensione sono critiche per la rettificazione di potenza, mentre bassa capacità è importante per applicazioni ad alta frequenza.

I diodi Schottky sono comunemente utilizzati in alimentatori, convertitori DC-DC e come raddrizzatori in vari circuiti elettronici. Servono anche in applicazioni che richiedono una bassa caduta di tensione e protezione contro la polarità inversa. Comprendere le caratteristiche termiche del diodo e garantire una corretta dissipazione del calore è essenziale per prevenire il surriscaldamento e garantire un funzionamento affidabile.

Nel complesso, i diodi Schottky offrono un equilibrio tra efficienza e velocità, rendendoli un componente versatile nella progettazione di circuiti elettronici. La loro selezione deve essere allineata ai requisiti specifici dell'applicazione, inclusi caratteristiche elettriche e vincoli fisici.

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