BAT54J,115: Diodo singolo a barriera Schottky, pacchetto SOD323F, 30V, 200mA
Nexperia

Il Nexperia BAT54J,115 è un diodo singolo a barriera Schottky incapsulato in un pacchetto plastico SMD (Surface-Mounted Device) molto piccolo e piatto SOD323F (SC-90). Presenta un anello di guardia integrato per la protezione dallo stress, che contribuisce alla sua robustezza e affidabilità in varie applicazioni. Il diodo è caratterizzato dalla sua bassa tensione diretta e bassa capacità, rendendolo adatto per applicazioni ad alta efficienza dove la perdita di potenza deve essere ridotta al minimo.

Questo componente è progettato per la tecnologia a montaggio superficiale (SMT), beneficiando di terminali piatti che garantiscono un'eccellente complanarità e un comportamento termico migliorato. Il BAT54J,115 può gestire una corrente diretta fino a 200mA e una tensione inversa fino a 30V. La sua bassa capacità è particolarmente vantaggiosa nelle applicazioni che richiedono commutazione rapida e bassa perdita di potenza.

Specifiche e caratteristiche chiave

  • Package: SOD323F (SC-90)
  • Corrente diretta (IF): 200 mA
  • Tensione inversa (VR): 30 V
  • Tensione diretta (VF): 320 mV a 1 mA
  • Corrente diretta di picco ripetitiva (IFRM): 300 mA
  • Corrente diretta di picco non ripetitiva (IFSM): 600 mA
  • Dissipazione di potenza totale (Ptot): 550 mW a 25 °C
  • Temperatura di giunzione (Tj): 150 °C
  • Resistenza termica, giunzione-ambiente (Rth(j-a)): 230 K/W
  • Corrente inversa (IR): 2 µA a 25 V
  • Capacità del diodo (Cd): 10 pF a 1 V, 1 MHz

BAT54J,115 Sostituti
Componenti alternativi equivalenti che possono servire come sostituto per BAT54J,115, componenti più popolari per primi

Applicazioni

  • Bloccaggio della tensione
  • Terminazione di linea
  • Protezione da inversione di polarità

Categoria

Diodi

Informazioni generali

I diodi Schottky sono un tipo di diodo a semiconduttore con una bassa caduta di tensione diretta e un'azione di commutazione molto rapida. Prendono il nome dal fisico tedesco Walter H. Schottky. La caratteristica unica del diodo a barriera Schottky è la giunzione metallo-semiconduttore che forma, in contrasto con la giunzione p-n dei diodi tradizionali. Ciò si traduce in una minore caduta di tensione diretta e tempi di commutazione più rapidi, rendendo i diodi Schottky ideali per applicazioni ad alta frequenza e alta efficienza.

Quando si seleziona un diodo Schottky, gli ingegneri dovrebbero considerare parametri come corrente diretta, tensione inversa, caduta di tensione diretta, dissipazione di potenza e tipo di package. Le applicazioni spesso dettano la scelta di caratteristiche specifiche; ad esempio, alta corrente diretta e bassa tensione diretta sono critiche per la rettificazione di potenza, mentre la bassa capacità è importante per le applicazioni ad alta frequenza.

I diodi Schottky sono comunemente usati negli alimentatori, nei convertitori DC-DC e come raddrizzatori in vari circuiti elettronici. Servono anche in applicazioni che richiedono una bassa caduta di tensione e protezione contro l'inversione di polarità. Comprendere le caratteristiche termiche del diodo e garantire una corretta dissipazione del calore è essenziale per prevenire il surriscaldamento e garantire un funzionamento affidabile.

Nel complesso, i diodi Schottky offrono un equilibrio tra efficienza e velocità, rendendoli un componente versatile nella progettazione di circuiti elettronici. La loro selezione deve allinearsi ai requisiti specifici dell'applicazione, comprese le caratteristiche elettriche e i vincoli fisici.

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