BSS138W: N-चैनल लॉजिक लेवल MOSFET, SOT-323, 50V, 0.22A
onsemi

onsemi का BSS138W एक N-चैनल लॉजिक लेवल एन्हांसमेंट मोड फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर है जिसे कम वोल्टेज, कम करंट अनुप्रयोगों में कुशल संचालन के लिए डिज़ाइन किया गया है। इस MOSFET में एक कॉम्पैक्ट SOT-323 सरफेस माउंट पैकेज है, जो इसे घने PCB लेआउट के लिए उपयुक्त बनाता है। इसे ऑन-स्टेट प्रतिरोध को कम करने के लिए डिज़ाइन किया गया है, जो VGS = 10V, ID = 0.22A पर 3.5Ω जितना कम मान प्रदान करता है, जिससे सर्किट में कुशल बिजली प्रबंधन सुनिश्चित होता है।

इसका मजबूत और विश्वसनीय डिज़ाइन, अत्यधिक कम RDS(on) के लिए उच्च-घनत्व सेल डिज़ाइन के साथ मिलकर, BSS138W को छोटे सर्वो मोटर नियंत्रण, पावर MOSFET गेट ड्राइवर और अन्य स्विचिंग अनुप्रयोगों जैसे अनुप्रयोगों के लिए एक आदर्श विकल्प बनाता है। डिवाइस 50V के ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (VDSS) के भीतर संचालित होता है, और 0.21A तक निरंतर ड्रेन धाराओं को संभाल सकता है, जो इसे इलेक्ट्रॉनिक डिज़ाइनों की एक श्रृंखला के लिए बहुमुखी बनाता है।

मुख्य विनिर्देश और विशेषताएं

  • ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (VDSS): 50V
  • गेट टू सोर्स वोल्टेज (VGSS): ±20V
  • कंटीन्यूअस ड्रेन करंट (ID): 0.21A
  • पल्स्ड ड्रेन करंट: 0.84A
  • RDS(on): 3.5Ω VGS = 10V पर, ID = 0.22A
  • अधिकतम पावर डिसिपेशन: 340mW
  • ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55 से +150°C

BSS138W डेटाशीट

BSS138W डेटाशीट (PDF)

BSS138W विकल्प (Substitutes)
समतुल्य वैकल्पिक इलेक्ट्रॉनिक घटक जो BSS138W के विकल्प के रूप में काम कर सकते हैं, सबसे लोकप्रिय इलेक्ट्रॉनिक घटक पहले

अनुप्रयोग

  • छोटी सर्वो मोटर नियंत्रण
  • पावर MOSFET गेट ड्राइवर
  • स्विचिंग अनुप्रयोग

श्रेणी

ट्रांजिस्टर

सामान्य जानकारी

फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FETs), विशेष रूप से N-चैनल MOSFETs, इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में बिजली के प्रवाह को कुशलतापूर्वक नियंत्रित करने की उनकी क्षमता के लिए व्यापक रूप से उपयोग किए जाते हैं। वे एक चैनल की चालकता को नियंत्रित करने के लिए एक विद्युत क्षेत्र का उपयोग करके काम करते हैं, उच्च इनपुट प्रतिबाधा और तेज स्विचिंग गति प्रदान करते हैं। N-चैनल MOSFETs, जैसे BSS138W, विशेष रूप से एक कॉम्पैक्ट पदचिह्न में कुशल बिजली प्रबंधन और नियंत्रण की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों में उपयोगी हैं।

N-चैनल MOSFET का चयन करते समय, विचार करने वाले महत्वपूर्ण कारकों में ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (VDSS), गेट टू सोर्स वोल्टेज (VGSS), निरंतर ड्रेन करंट (ID), और स्टेटिक ड्रेन-सोर्स ऑन-रेसिस्टेंस (RDS(on)) शामिल हैं। ये पैरामीटर वांछित शक्ति स्तरों और दक्षता को संभालने के लिए MOSFET की क्षमता निर्धारित करते हैं। इसके अतिरिक्त, पैकेज प्रकार और थर्मल विशेषताएं यह सुनिश्चित करने के लिए महत्वपूर्ण हैं कि घटक डिज़ाइन की भौतिक और थर्मल बाधाओं के भीतर फिट होगा।

BSS138W को कम वोल्टेज, कम करंट वाले अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है, जो प्रदर्शन और आकार के बीच संतुलन प्रदान करता है। इसका कम RDS(on) बिजली के नुकसान को कम करने में मदद करता है, जिससे यह उच्च दक्षता वाले अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त हो जाता है। कॉम्पैक्ट SOT-323 पैकेज घने PCB लेआउट की अनुमति देता है, जो डिज़ाइन में लचीलापन प्रदान करता है।

कुल मिलाकर, BSS138W जैसे N-चैनल MOSFET का चयन एप्लिकेशन की विशिष्ट आवश्यकताओं पर आधारित होना चाहिए, जिसमें विद्युत विनिर्देश, भौतिक आकार और थर्मल प्रबंधन की आवश्यकताएं शामिल हैं। इन कारकों को समझने से इंजीनियरों को अपने डिज़ाइन के लिए सही घटक चुनने में मदद मिलेगी, जिससे इष्टतम प्रदर्शन और विश्वसनीयता सुनिश्चित होगी।

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