BSS138LT1G: N-चैनल पावर MOSFET, 200mA, 50V, SOT-23 पैकेज
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onsemi का BSS138LT1G एक एन-चैनल पावर MOSFET है जिसे पोर्टेबल और बैटरी से चलने वाले उपकरणों में कुशल बिजली प्रबंधन के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह 200mA के अधिकतम निरंतर ड्रेन करंट और 50V के ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज पर काम करता है। घटक का कम थ्रेशोल्ड वोल्टेज (0.85V से 1.5V) इसे कम वोल्टेज अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाता है, जो आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में इसकी उपयोगिता को बढ़ाता है।

यह MOSFET एक कॉम्पैक्ट SOT-23 पैकेज में आता है, जो घनी तरह से पैक किए गए डिजाइनों में बोर्ड स्पेस को अनुकूलित करता है। यह 3.5Ω (VGS = 5.0V, ID = 200mA पर) के स्टेटिक ड्रेन-टू-सोर्स ऑन-रेसिस्टेंस की विशेषता रखता है, जो कुशल संचालन सुनिश्चित करता है। डिवाइस में तेज़ स्विचिंग विशेषताएँ भी हैं, जिसमें टर्न-ऑन और टर्न-ऑफ विलंब समय आमतौर पर लगभग 20ns होता है, जो हाई-स्पीड स्विचिंग अनुप्रयोगों में इसके प्रदर्शन में योगदान देता है।

मुख्य विनिर्देश और विशेषताएं

  • ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज (VDSS): 50V
  • निरंतर ड्रेन करंट (ID): 200mA
  • स्पंदित ड्रेन करंट (IDM): 800mA
  • स्टेटिक ड्रेन-टू-सोर्स ऑन-रेसिस्टेंस (rDS(on)): 3.5Ω
  • गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड वोल्टेज (VGS(th)): 0.85V से 1.5V
  • कुल बिजली अपव्यय (PD): 225mW
  • ऑपरेटिंग और भंडारण तापमान सीमा: -55°C से 150°C
  • थर्मल प्रतिरोध, जंक्शन-टू-एम्बिएंट (RθJA): 556°C/W

BSS138LT1G डेटाशीट

BSS138LT1G डेटाशीट (PDF)

BSS138LT1G विकल्प (Substitutes)
समतुल्य वैकल्पिक इलेक्ट्रॉनिक घटक जो BSS138LT1G के विकल्प के रूप में काम कर सकते हैं, सबसे लोकप्रिय इलेक्ट्रॉनिक घटक पहले

अनुप्रयोग

  • DC-DC कन्वर्टर्स
  • पोर्टेबल उपकरणों में बिजली प्रबंधन
  • बैटरी से चलने वाले उत्पाद जैसे कंप्यूटर, प्रिंटर, PCMCIA कार्ड, सेलुलर और कॉर्डलेस टेलीफोन

श्रेणी

MOSFET

सामान्य जानकारी

मेटल-ऑक्साइड सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MOSFETs) एक प्रकार के ट्रांजिस्टर हैं जिनका उपयोग इलेक्ट्रॉनिक सिग्नलों को बढ़ाने या स्विच करने के लिए किया जाता है। वे आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में एक आवश्यक घटक हैं, जो उच्च इनपुट प्रतिबाधा और तेज स्विचिंग गति प्रदान करते हैं। N-चैनल MOSFETs, जैसे BSS138LT1G, आमतौर पर नकारात्मक (या 'सिंक') दिशा में इलेक्ट्रॉनिक सिग्नलों को स्विच करने के लिए उपयोग किए जाते हैं।

किसी डिज़ाइन के लिए MOSFET का चयन करते समय, कई मापदंडों पर विचार करना महत्वपूर्ण है, जिसमें ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज (VDSS), ड्रेन करंट (ID), और स्टेटिक ड्रेन-टू-सोर्स ऑन-रेसिस्टेंस (rDS(on)) शामिल हैं। ये पैरामीटर सर्किट के आवश्यक पावर स्तरों और दक्षता को संभालने की MOSFET की क्षमता निर्धारित करते हैं। इसके अतिरिक्त, गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड वोल्टेज (VGS(th)) यह निर्धारित करने के लिए महत्वपूर्ण है कि किसी दिए गए गेट वोल्टेज पर MOSFET को कितनी आसानी से चालू किया जा सकता है, जो कम वोल्टेज अनुप्रयोगों के लिए डिवाइस की उपयुक्तता को प्रभावित करता है।

MOSFETs का व्यापक रूप से बिजली प्रबंधन और रूपांतरण से लेकर सिग्नल स्विचिंग तक के अनुप्रयोगों में उपयोग किया जाता है। न्यूनतम इनपुट शक्ति के साथ उच्च धाराओं और वोल्टेज को कुशलतापूर्वक नियंत्रित करने की उनकी क्षमता उन्हें आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में अपरिहार्य बनाती है। पैकेजिंग का चुनाव, जैसे BSS138LT1G के लिए SOT-23 पैकेज, भी अनुप्रयोग में महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है, जो थर्मल प्रदर्शन और बोर्ड स्पेस उपयोग जैसे कारकों को प्रभावित करता है।

संक्षेप में, MOSFET चुनते समय, घटक के विनिर्देशों को अनुप्रयोग की आवश्यकताओं के साथ निकटता से मिलाना महत्वपूर्ण है। इसमें ऑपरेटिंग वातावरण पर विचार करना शामिल है, क्योंकि तापमान और थर्मल प्रबंधन MOSFET के प्रदर्शन और विश्वसनीयता को महत्वपूर्ण रूप से प्रभावित कर सकते हैं।

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