BSS138LT3G: N-चैनल MOSFET, 200 mA, 50 V, SOT-23

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onsemi का BSS138LT3G एक N-चैनल MOSFET है जो अधिकतम 200 mA और 50 V पर संचालित होता है, जो एक कॉम्पैक्ट SOT-23 पैकेज में समझाया गया है। यह घटक इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में कम से मध्यम बिजली आवश्यकताओं को संभालने के लिए डिज़ाइन किया गया है, जो इसे अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए उपयुक्त बनाता है।

प्रमुख विशेषताओं में 0.85 V से 1.5 V तक का कम थ्रेशोल्ड वोल्टेज (VGS(th)) शामिल है, जो कम वोल्टेज परिदृश्यों में कुशल संचालन की अनुमति देता है। इसके अतिरिक्त, डिवाइस को इसके कम स्टेटिक ड्रेन-टू-सोर्स ऑन-रेजिस्टेंस (RDS(on)) की विशेषता है जो 3.5 Ω है जब VGS 5.0 V है और ID 200 mA है, जो करंट संचालित करने में इसकी दक्षता में योगदान देता है। BSS138LT3G अपनी मजबूती के लिए भी उल्लेखनीय है, जिसमें अधिकतम ऑपरेटिंग और स्टोरेज तापमान सीमा -55 से 150 °C है, जो विभिन्न पर्यावरणीय परिस्थितियों में विश्वसनीय प्रदर्शन सुनिश्चित करता है।

• ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज (VDSS): 50 V
• गेट-टू-सोर्स वोल्टेज (VGS): ±20 V
• 25°C पर निरंतर ड्रेन करंट (ID): 200 mA
• पल्स्ड ड्रेन करंट (IDM): 800 mA
• स्टेटिक ड्रेन-टू-सोर्स ऑन-रेजिस्टेंस (RDS(on)): 3.5 Ω VGS = 5.0 V पर, ID = 200 mA
• गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड वोल्टेज (VGS(th)): 0.85 V से 1.5 V
• 25°C पर कुल बिजली अपव्यय (PD): 225 mW
• ऑपरेटिंग और स्टोरेज तापमान रेंज: -55 से 150 °C
• थर्मल रेजिस्टेंस, जंक्शन-टू-एम्बिएंट (RθJA): 556 °C/W

• DC-DC कन्वर्टर्स
• पोर्टेबल और बैटरी से चलने वाले उत्पादों में बिजली प्रबंधन
  • कंप्यूटर
  • प्रिंटर
  • PCMCIA कार्ड
  • सेलुलर और कॉर्डलेस टेलीफोन

N-चैनल MOSFETs एक प्रकार के फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) हैं जो स्विचिंग और एम्पलीफिकेशन उद्देश्यों के लिए इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में व्यापक रूप से उपयोग किए जाते हैं। इन घटकों की विशेषता अपेक्षाकृत कम वोल्टेज का उपयोग करके उच्च धारा प्रवाह को नियंत्रित करने की उनकी क्षमता है, जो उन्हें बिजली प्रबंधन और सिग्नल प्रोसेसिंग अनुप्रयोगों में आवश्यक बनाती है।

N-Channel MOSFET का चयन करते समय, इंजीनियरों को ड्रेन-टू-सोर्स वोल्टेज (VDSS), गेट-टू-सोर्स वोल्टेज (VGS), ड्रेन करंट (ID), और स्टेटिक ड्रेन-टू-सोर्स ऑन-रेसिस्टेंस (RDS(on)) जैसे मापदंडों पर विचार करना चाहिए। ये पैरामीटर विशिष्ट अनुप्रयोगों में वोल्टेज और करंट को संभालने की MOSFET की क्षमता, साथ ही इसकी दक्षता और गर्मी अपव्यय विशेषताओं को निर्धारित करते हैं।

एक और महत्वपूर्ण विचार थ्रेशोल्ड वोल्टेज (VGS(th)) है, जो डिवाइस को चालू करने के लिए आवश्यक न्यूनतम गेट-टू-सोर्स वोल्टेज को इंगित करता है। कम थ्रेशोल्ड वोल्टेज कम वोल्टेज अनुप्रयोगों में फायदेमंद हो सकता है, जहां बिजली दक्षता महत्वपूर्ण है।

पैकेज प्रकार भी एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाता है, विशेष रूप से स्थान-बाधित डिजाइनों में। उदाहरण के लिए, BSS138LT3G का SOT-23 पैकेज कॉम्पैक्टनेस और थर्मल प्रदर्शन के बीच संतुलन प्रदान करता है, जो इसे पोर्टेबल और बैटरी से चलने वाले उपकरणों सहित विभिन्न अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाता है।