Le BS170 est un MOSFET N-Canal produit en utilisant la technologie DMOS à haute densité de cellules propriétaire d'onsemi. Ce composant est conçu pour offrir une faible résistance à l'état passant tout en assurant une performance de commutation robuste, fiable et rapide. Il est capable de gérer jusqu'à 500 mA de courant de drain continu, le rendant adapté à une large gamme d'applications, particulièrement celles nécessitant une basse tension et un faible courant. Des exemples incluent le contrôle de petits servomoteurs, les pilotes de grille de MOSFET de puissance, et diverses applications de commutation.
Doté d'une conception de cellule à haute densité, le BS170 offre un faible RDS(ON), ce qui est bénéfique pour les applications nécessitant une gestion efficace de l'énergie. Sa capacité de courant de saturation élevée et sa fonctionnalité de commutation de petit signal commandée par tension en font un choix polyvalent pour les concepteurs. De plus, le BS170 est caractérisé comme robuste et fiable, avec une capacité de courant de saturation élevée, ce qui en fait un choix solide pour les environnements exigeants.
Transistor
Les transistors à effet de champ (FET) comme le BS170 sont des dispositifs à semi-conducteurs largement utilisés en électronique pour commuter et amplifier les signaux. Le MOSFET N-Channel, un type de FET, est conçu pour conduire le courant entre les bornes de drain et de source lorsqu'une tension positive est appliquée à la borne de grille. Cela rend les MOSFET N-Channel idéaux pour les applications de commutation à haute efficacité.
Lors de la sélection d'un MOSFET N-canal, les ingénieurs doivent prendre en compte des paramètres tels que la tension drain-source (VDSS), la tension grille-source (VGSS), le courant de drain, et la résistance statique drain-source à l'état passant (RDS(ON)). Ces paramètres déterminent la capacité du MOSFET à gérer les tensions et courants dans une application donnée, ainsi que son efficacité et ses performances thermiques.
Le BS170, avec sa faible RDS(ON) et sa capacité de courant de saturation élevée, est particulièrement adapté pour les applications à faible tension et à faible courant. Sa conception robuste et fiable assure une performance stable dans des conditions variables. Les ingénieurs doivent également prendre en compte les caractéristiques thermiques du MOSFET, y compris la dissipation de puissance maximale et la résistance thermique, pour assurer un fonctionnement fiable dans la plage de température spécifiée.
En résumé, le MOSFET N-Canal BS170 offre un équilibre de performance, fiabilité et efficacité, le rendant une option attrayante pour une variété d'applications. Sa sélection devrait être basée sur une évaluation approfondie des besoins électriques et thermiques de l'application.