Le BS170 est un MOSFET à canal N produit à l'aide de la technologie DMOS à haute densité de cellules exclusive d'onsemi. Ce composant est conçu pour offrir une faible résistance à l'état passant tout en assurant des performances de commutation robustes, fiables et rapides. Il est capable de gérer jusqu'à 500 mA de courant de drain continu, ce qui le rend adapté à une large gamme d'applications, en particulier celles nécessitant une basse tension et un faible courant. Les exemples incluent le contrôle de petits servomoteurs, les pilotes de grille MOSFET de puissance et diverses applications de commutation.
Doté d'une conception de cellule à haute densité, le BS170 offre une faible RDS(ON), ce qui est bénéfique pour les applications nécessitant une gestion efficace de l'énergie. Sa capacité de courant de saturation élevée et sa fonctionnalité de commutateur de petit signal contrôlé par tension en font un choix polyvalent pour les concepteurs. De plus, le BS170 est caractérisé comme robuste et fiable, avec une capacité de courant de saturation élevée, ce qui en fait un choix solide pour les environnements exigeants.
Transistor
Les transistors à effet de champ (FET) comme le BS170 sont des dispositifs semi-conducteurs largement utilisés en électronique pour la commutation et l'amplification de signaux. Le MOSFET à canal N, un type de FET, est conçu pour conduire le courant entre les bornes de drain et de source lorsqu'une tension positive est appliquée à la borne de grille. Cela rend les MOSFET à canal N idéaux pour les applications de commutation à haute efficacité.
Lors de la sélection d'un MOSFET canal N, les ingénieurs doivent prendre en compte des paramètres tels que la tension drain-source (VDSS), la tension grille-source (VGSS), le courant de drain et la résistance statique drain-source à l'état passant (RDS(ON)). Ces paramètres déterminent la capacité du MOSFET à gérer les tensions et les courants dans une application donnée, ainsi que son efficacité et ses performances thermiques.
Le BS170, avec son faible RDS(ON) et sa capacité de courant de saturation élevée, est particulièrement adapté aux applications basse tension et faible courant. Sa conception robuste et fiable assure des performances stables dans des conditions variables. Les ingénieurs doivent également prendre en compte les caractéristiques thermiques du MOSFET, y compris la dissipation de puissance maximale et la résistance thermique, pour assurer un fonctionnement fiable dans la plage de température spécifiée.
En résumé, le MOSFET canal N BS170 offre un équilibre entre performance, fiabilité et efficacité, ce qui en fait une option attrayante pour une variété d'applications. Sa sélection doit être basée sur une évaluation approfondie des exigences électriques et thermiques de l'application.