Le 2N7000 est un MOSFET canal N développé par onsemi en utilisant la technologie DMOS à haute densité de cellules. Ce composant est conçu pour offrir une faible résistance à l'état passant tout en assurant des performances de commutation fiables et rapides. Il est particulièrement adapté pour les applications nécessitant une faible tension et un faible courant, y compris le contrôle de petits servomoteurs, les pilotes de grille de MOSFET de puissance et d'autres applications de commutation.
Le dispositif se caractérise par une conception de cellule à haute densité qui contribue à son faible RDS(on), en faisant un choix efficace pour les tâches de gestion de puissance. Sa capacité à fonctionner comme un interrupteur à signal petit contrôlé par tension ajoute à sa polyvalence dans diverses conceptions de circuits. La série 2N7000 est connue pour sa robustesse et sa fiabilité, ainsi qu'une capacité de courant de saturation élevée, la rendant préférée pour les concepteurs à la recherche de performance et de durabilité.
Transistors
Les MOSFETs à canal N sont un type de transistor à effet de champ (FET) largement utilisé dans les circuits électroniques pour commuter et amplifier les signaux. Ils fonctionnent en utilisant un champ électrique pour contrôler le flux de courant entre les bornes source et drain. Les MOSFETs à canal N se caractérisent par leur utilisation d'un signal de commande chargé négativement au niveau de la borne de grille pour permettre le flux de courant.
Lors de la sélection d'un MOSFET canal N, les ingénieurs doivent prendre en compte des paramètres tels que la tension drain-source (VDSS), la tension grille-source (VGSS), le courant de drain maximal (ID), la dissipation de puissance (PD) et la résistance thermique. Ces paramètres sont critiques pour s'assurer que le MOSFET peut gérer la charge requise et fonctionner efficacement dans les conditions de fonctionnement du circuit.
Le choix du boîtier (comme TO-92 ou SOT-23 pour la série 2N7000) joue également un rôle significatif dans l'application, affectant des facteurs tels que la gestion thermique et les contraintes d'espace physique. De plus, la résistance à l'état passant drain-source statique (RDS(on)) est une considération importante pour l'efficacité énergétique, car des valeurs plus faibles entraînent moins de pertes de puissance pendant le fonctionnement.
Les MOSFETs canal N sont utilisés dans une large gamme d'applications, de la gestion et régulation de puissance au traitement de signal. Leur capacité à commuter rapidement et à gérer des niveaux de puissance significatifs, tout en maintenant l'efficacité, les rend indispensables dans la conception électronique moderne.