Le 2N7000 est un MOSFET à canal N développé par onsemi utilisant une technologie DMOS à haute densité de cellules. Ce composant est conçu pour offrir une faible résistance à l'état passant tout en assurant des performances de commutation fiables et rapides. Il est particulièrement adapté aux applications nécessitant une basse tension et un faible courant, y compris le contrôle de petits servomoteurs, les pilotes de grille MOSFET de puissance et d'autres applications de commutation.
Le dispositif présente une conception de cellule à haute densité qui contribue à son faible RDS(on), ce qui en fait un choix efficace pour les tâches de gestion de l'alimentation. Sa capacité à fonctionner comme un commutateur de petit signal contrôlé par tension ajoute à sa polyvalence dans diverses conceptions de circuits. La série 2N7000 est connue pour sa robustesse et sa fiabilité, ainsi que pour sa capacité de courant de saturation élevée, ce qui en fait un choix privilégié pour les concepteurs recherchant performance et durabilité.
Transistors
Les MOSFETs à canal N sont un type de transistor à effet de champ (FET) largement utilisé dans les circuits électroniques pour la commutation et l'amplification de signaux. Ils fonctionnent en utilisant un champ électrique pour contrôler le flux de courant entre les bornes de source et de drain. Les MOSFETs à canal N se caractérisent par leur utilisation d'un signal de commande chargé négativement à la borne de grille pour permettre le flux de courant.
Lors de la sélection d'un MOSFET à canal N, les ingénieurs doivent prendre en compte des paramètres tels que la tension drain-source (VDSS), la tension grille-source (VGSS), le courant de drain maximal (ID), la dissipation de puissance (PD) et la résistance thermique. Ces paramètres sont essentiels pour garantir que le MOSFET peut gérer la charge requise et fonctionner efficacement dans les conditions de fonctionnement du circuit.
Le choix du boîtier (tel que TO-92 ou SOT-23 pour la série 2N7000) joue également un rôle important dans l'application, affectant des facteurs tels que la gestion thermique et les contraintes d'espace physique. De plus, la résistance statique drain-source à l'état passant (RDS(on)) est une considération importante pour l'efficacité énergétique, car des valeurs plus faibles entraînent moins de perte de puissance pendant le fonctionnement.
Les MOSFET à canal N sont utilisés dans une large gamme d'applications, de la gestion et de la régulation de l'alimentation au traitement du signal. Leur capacité à commuter rapidement et à gérer des niveaux de puissance importants, tout en maintenant l'efficacité, les rend indispensables dans la conception électronique moderne.