1N5819HW-7-F: Rectificador de Barrera Schottky de Montaje Superficial de 1.0A, 40V, 450mV máx VF
Diodes Inc.

El 1N5819HW-7-F es un rectificador de barrera Schottky diseñado para aplicaciones de montaje superficial. Cuenta con un voltaje repetitivo inverso máximo (VRRM) de 40V y una corriente de salida rectificada promedio (IO) de 1.0A. El dispositivo ofrece una baja caída de voltaje directo (VF) de máximo 450mV, contribuyendo a su alta eficiencia y bajas características de pérdida de potencia. El rectificador Schottky también exhibe una baja corriente de fuga inversa (IR) de máximo 50µA, mejorando su rendimiento en ambientes de alta temperatura.

La construcción de diodo con anillo de guarda proporciona protección transitoria, asegurando fiabilidad y estabilidad bajo condiciones transitorias. El rectificador está encapsulado en un paquete SOD123, conocido por su tamaño compacto y durabilidad. El material del paquete es plástico moldeado con una clasificación de inflamabilidad UL de 94V-0, indicando su idoneidad para uso en aplicaciones críticas de seguridad.

La alta capacidad de sobretensión, alta capacidad de corriente y baja caída de voltaje hacia adelante hacen que este dispositivo sea ideal para una variedad de aplicaciones incluyendo inversores de alta frecuencia y bajo voltaje, rueda libre y protección de polaridad.

Especificaciones y Características Clave

  • Voltaje Repetitivo Máximo Inverso (VRRM): 40V
  • Corriente de Salida Rectificada Promedio (IO): 1.0A
  • Voltaje Máximo Adelante (VF): 450mV
  • Corriente Máxima de Fuga Inversa (IR): 50µA
  • Paquete: SOD123
  • Rango de Temperatura de Operación: -65 a +150°C

1N5819HW-7-F Hoja de Datos

1N5819HW-7-F hoja de datos (PDF)

1N5819HW-7-F Sustitutos
Componentes alternativos equivalentes que pueden servir como sustituto de 1N5819HW-7-F, los componentes más populares primero

Aplicaciones

  • Inversores de alta frecuencia y bajo voltaje
  • Protección de polaridad
  • Libre circulación

Categoría

Diodo

Información general

Los rectificadores de barrera Schottky son diodos semiconductores diseñados con una unión metal-semiconductor en lugar de una unión p-n, que es común en los diodos estándar. Esta construcción única permite que los diodos Schottky tengan caídas de voltaje directo muy bajas y capacidades de conmutación rápidas, haciéndolos altamente eficientes para aplicaciones que requieren rectificación, sujeción de voltaje y protección contra polaridad inversa.

Al seleccionar un rectificador de barrera Schottky, los ingenieros deben considerar parámetros como el voltaje repetitivo máximo inverso, la corriente de salida rectificada promedio, la caída de voltaje hacia adelante y la corriente de fuga inversa. Estos parámetros son críticos para asegurar que el diodo cumpla con los requisitos de manejo de potencia, eficiencia y térmicos de la aplicación.

Los diodos Schottky son ampliamente utilizados en circuitos de suministro de energía, reguladores de voltaje y convertidores DC-DC debido a su eficiencia y rápida respuesta. También se emplean en aplicaciones de alta frecuencia, como mezcladores y detectores de RF, donde su baja caída de voltaje hacia adelante y velocidades de conmutación rápidas son ventajosas.

Además de las especificaciones técnicas, el tipo de encapsulado y las características térmicas también son consideraciones importantes. El encapsulado debe soportar los requisitos de disipación térmica de la aplicación, y el rango de temperatura de operación del diodo debe alinearse con las condiciones ambientales en las que se utilizará el dispositivo.

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