PMEG40T20ERX: Rectificador de barrera Schottky de trinchera MEGA de 40 V, 2 A de bajo VF, paquete SOD123W
Nexperia

El PMEG40T20ER de Nexperia es un rectificador de barrera Schottky de Aplicación General de Máxima Eficiencia (MEGA) en trinchera, diseñado para mejorar la eficiencia energética en varias aplicaciones. Está encapsulado en un paquete CFP3 (SOD123W), que es un paquete plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) pequeño y plano con patillas, lo que lo hace adecuado para diseños compactos.

Este componente presenta una corriente directa promedio de 2 A y una capacidad de voltaje en reversa de hasta 40 V. Utiliza la tecnología Schottky Trench MEGA para lograr un bajo voltaje en directa y corriente de fuga, contribuyendo a su alta eficiencia. Además, el uso de la tecnología de unión por clip mejora su capacidad de potencia. También está diseñado para ser compatible con los procesos de soldadura por reflujo y ola, asegurando facilidad de integración en varios flujos de trabajo de fabricación.

Especificaciones y Características Clave

  • Corriente directa media (IF(AV)): 2 A
  • Voltaje inverso (VR): ≤ 40 V
  • Voltaje directo (VF): 450 a 515 mV a IF = 2 A
  • Corriente inversa (IR): 3 a 22 µA a VR = 40 V
  • Resistencia térmica, unión a ambiente (Rth(j-a)): 220 K/W (huella estándar), 130 K/W (almohadilla de montaje para cátodo 1 cm2)
  • Tiempo de recuperación inversa (trr): 11.5 ns
  • Capacitancia del diodo (Cd): 145 a 350 pF a VR = 1 a 10 V
  • Paquete: CFP3 (SOD123W)

PMEG40T20ERX Sustitutos
Componentes alternativos equivalentes que pueden servir como sustituto de PMEG40T20ERX, los componentes más populares primero

Aplicaciones

  • Rectificación de bajo voltaje
  • Conversión DC-DC de alta eficiencia
  • Fuente de alimentación conmutada
  • Aplicación de rueda libre
  • Protección contra polaridad inversa
  • Aplicación de bajo consumo de energía

Categoría

Diodos

Información general

Los rectificadores de barrera Schottky son diodos semiconductores que proporcionan una baja caída de voltaje en directa y capacidades de conmutación rápida. Estas características los hacen altamente adecuados para aplicaciones sensibles a la potencia y de alta frecuencia, como circuitos de suministro de energía, convertidores DC-DC y circuitos de protección de polaridad inversa.

Al seleccionar un rectificador de barrera Schottky, los ingenieros deben considerar parámetros como el voltaje máximo inverso, la capacidad de corriente directa, la caída de voltaje directo y el tipo de encapsulado. La elección de un diodo Schottky depende de los requisitos específicos de la aplicación, incluyendo la eficiencia energética, las restricciones de tamaño y las necesidades de gestión térmica.

La tecnología Schottky MEGA de trinchera mejora aún más el rendimiento de estos diodos reduciendo la corriente de fuga y mejorando las características térmicas. Esta tecnología, combinada con técnicas de empaquetado avanzadas como el clip-bonding, permite un manejo de potencia más alto y eficiencia.

Además de los parámetros eléctricos, el rendimiento térmico del diodo también es un factor crítico. Una gestión térmica efectiva asegura que el diodo opere dentro de sus límites de temperatura, extendiendo así su vida útil y fiabilidad en el circuito.

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