BAT54J,115: 肖特基勢壘單二極體，SOD323F 封裝，30V，200mA

Nexperia

Nexperia BAT54J,115 是一款肖特基勢壘單二極體，封裝在 SOD323F (SC-90) 非常小且扁平的表面貼裝塑料封裝中。它具有集成的保護環，用於應力保護，這有助於其在各種應用中的堅固性和可靠性。該二極體的特點是低正向壓降和低電容，使其適用於需要最小化功率損耗的高效應用。

此元件專為表面貼裝技術 (SMT) 設計，受益於平坦的引腳，確保出色的共面性和改進的熱行為。BAT54J,115 可處理高達 200mA 的正向電流和高達 30V 的反向電壓。其低電容在需要快速開關和低功率損耗的應用中特別有利。

• 封裝: SOD323F (SC-90)
• 正向電流 (IF): 200 mA
• 反向電壓 (VR): 30 V
• 正向電壓 (VF): 320 mV at 1 mA
• 重複峰值正向電流 (IFRM): 300 mA
• 非重複峰值正向電流 (IFSM): 600 mA
• 總功率耗散 (Ptot): 550 mW at 25 °C
• 結溫 (Tj): 150 °C
• 熱阻，結至環境 (Rth(j-a)): 230 K/W
• 反向電流 (IR): 2 µA at 25 V
• 二極體電容 (Cd): 10 pF at 1 V, 1 MHz

• 電壓箝位
• 線路終端
• 反向極性保護

肖特基二極體是一種半導體二極體，具有低正向電壓降和非常快速的開關動作。它們以德國物理學家 Walter H. Schottky 的名字命名。肖特基勢壘二極體的獨特特徵是其形成的金屬-半導體結，而不是傳統二極體的 p-n 結。這導致了更低的正向電壓降和更快的開關時間，使肖特基二極體成為高頻和高效應用的理想選擇。

在選擇肖特基二極體時，工程師應考慮參數，例如正向電流、反向電壓、正向壓降、功率耗散和封裝類型。應用通常決定了特定特性的選擇；例如，高正向電流和低正向壓降對於功率整流至關重要，而低電容對於高頻應用很重要。

肖特基二極體通常用於電源、DC-DC 轉換器以及各種電子電路中的整流器。它們還用於需要低壓降和防止反向極性的應用中。了解二極體的熱特性並確保適當的散熱對於防止過熱和確保可靠運行至關重要。

總體而言，肖特基二極體在效率和速度之間提供了平衡，使其成為設計電子電路的多功能元件。它們的選擇必須與應用的特定要求（包括電氣特性和物理限制）保持一致。