2N3906BU: PNP 矽電晶體，VCEO 40V，IC 200mA，TO-92

onsemi

2N3906BU 是由 onsemi 製造的 PNP 矽電晶體，封裝在 TO-92 中。此元件專為通用應用而設計，具有 40V 的集極-射極電壓 (VCEO) 和高達 200mA 的連續集極電流 (IC) 能力。它在 -55 至 +150°C 的接面溫度範圍內高效運行，使其適用於廣泛的環境條件。

該電晶體的集極-基極電壓 (VCBO) 為 40V，射極-基極電壓 (VEBO) 為 5.0V。其在 25°C 時的總裝置耗散額定值為 625mW，高於 25°C 時的降額為 5.0mW/°C。對於需要更高功率耗散的應用，該裝置在 25°C 的外殼溫度 (TC) 下可耗散高達 1.5W，高於此溫度時的降額為 12mW/°C。這些特性使 2N3906BU 成為各種電子電路的多功能元件。

• 集極-射極電壓 (VCEO): 40V
• 集極-基極電壓 (VCBO): 40V
• 射極-基極電壓 (VEBO): 5.0V
• 集極電流 - 連續 (IC): 200mA
• 總元件耗散 (@ TA = 25°C): 625mW
• 工作和儲存接面溫度範圍 (TJ, Tstg): -55 至 +150°C
• 熱阻，接面至環境 (RΘJA): 200°C/W
• 熱阻，接面至外殼 (RΘJC): 83.3°C/W

• 訊號放大
• 開關應用
• 音訊放大器

電晶體是電子電路中的基礎元件，充當開關或放大器。它們控制電路中的電流流動，對於創建功能性電子設備至關重要。選擇電晶體時，考量因素包括類型（PNP 或 NPN）、最大額定值（如集極-射極電壓、集極電流）、功耗和封裝類型。

PNP 電晶體（如 2N3906BU）是一種雙極性接面電晶體 (BJT)，使用電洞作為多數載流子。它們通常用於信號放大和開關應用。集極-射極電壓、集極電流和功耗額定值是決定電晶體是否適合特定應用的重要參數。此外，熱特性（如熱阻）對於確保元件在安全溫度範圍內運行至關重要。

在應用中，PNP 電晶體通常與 NPN 電晶體成對出現，以建立推挽放大器配置，在功率效率和訊號完整性方面提供優勢。了解電晶體的電氣特性和性能指標對於將其有效地整合到電子電路中至關重要。

最後，電晶體的封裝（例如 2N3906BU 的 TO-92）會影響其散熱能力以及如何安裝在電路板上。工程師應考慮電晶體的物理尺寸和安裝方式，以確保與預期應用和電路設計的相容性。