Central Semiconductor 2N2222A 是一款矽 NPN 外延平面電晶體，主要設計用於小訊號、通用開關應用。此元件封裝在金屬 TO-18 外殼中，為空間有限的設計提供了緊湊的佔位面積。
2N2222A 的主要特點包括其處理高達 800mA 連續集極電流的能力，使其適用於廣泛的應用。此外，其強大的最大額定值，包括 40V 的集極-射極電壓 (VCEO) 和 25°C 環境溫度下的 500mW 功率耗散 (PD)，確保在各種條件下的可靠運行。該元件還在各種操作條件下表現出低飽和電壓和高電流增益 (hFE)，進一步增強了其在電路設計中的多功能性。
電晶體
NPN 電晶體是電子電路中的基本元件，用作放大器或開關。這些器件由三層半導體材料組成，外層為 n 型，中間層為 p 型，形成 NPN 配置。NPN 電晶體的操作基於控制從集極到射極的電流流動，並由基極電流調節。
在選擇 NPN 電晶體時，關鍵考量因素包括最大集極-射極和集極-基極電壓、最大集極電流、功耗和電流增益。這些參數決定了電晶體對特定應用的適用性，範圍從低功率訊號放大到高功率開關。
2N2222A 採用緊湊的 TO-18 金屬外殼，特別適合空間有限且可靠性至關重要的應用。它能夠處理相對較高的電流和電壓，加上其高電流增益和低飽和電壓，使其成為各種應用的多功能選擇。
除了電氣規格外，熱阻和工作溫度範圍等熱特性也很重要。這些因素影響散熱的選擇以及電晶體在各種工作條件下的整體可靠性。