2N2222A: NPN晶體管,TO-18外殼,40V VCEO,800mA IC,500mW PD
Central Semiconductor

Central Semiconductor的2N2222A是一款主要用於小信號、通用開關應用的硅NPN外延平面晶體管。該元件封裝在金屬TO-18外殼中,為空間有限的設計提供了緊湊的足跡。

2N2222A的關鍵特點包括其能夠處理高達800mA的連續集電極電流,使其適用於廣泛的應用。此外,其堅固的最大額定值,包括40V的集電極-射極電壓(VCEO)和在25°C環境溫度下500mW的功率耗散(PD),確保在各種條件下可靠運行。該裝置還展示了低飽和電壓和在一系列操作條件下的高電流增益(hFE),進一步增強了其在電路設計中的多功能性。

關鍵規格和特點

  • 集電極-射極電壓(VCEO): 40V
  • 集電極-基極電壓(VCBO): 75V
  • 射極-基極電壓(VEBO): 6.0V
  • 連續集電極電流(IC): 800mA
  • 功率耗散(PD): 500mW
  • 操作和儲存結點溫度(TJ, Tstg): -65至+200°C
  • 電流增益(hFE): 高達300
  • 轉換頻率(fT): 250-300MHz

2N2222A 數據手冊

2N2222A 數據表(PDF)

2N2222A 替代品
可作為2N2222A的等效替代元件,最受歡迎的元件優先

應用

  • 信號處理
  • 切換電路
  • 放大

類別

晶體管

一般資訊

NPN晶體管是電子電路中的基本元件,作為放大器或開關使用。這些裝置由三層半導體材料組成,外層為n型,中間層為p型,形成NPN配置。NPN晶體管的操作基於通過基極電流調節從集電極到發射極的電流流動。

在選擇NPN晶體管時,關鍵考慮因素包括最大集電極-射極和集電極-基極電壓、最大集電極電流、功率耗散和電流增益。這些參數決定了晶體管適用於特定應用的適合性,範圍從低功率信號放大到高功率切換。

2N2222A憑藉其緊湊的TO-18金屬外殼,特別適合空間有限且可靠性至關重要的應用。它能夠處理相對較高的電流和電壓,加上其高電流增益和低飽和電壓,使其成為廣泛應用的多功能選擇。

除了電氣規格外,熱特性如熱阻和工作溫度範圍也很重要。這些因素影響了散熱片的選擇以及晶體管在各種操作條件下的整體可靠性。

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