BSS138BKAHZGT116 是由 ROHM 生产的 N 沟道 MOSFET，专为低功率开关应用而设计。该元件作为开关运行，可以控制电路中的电流流动而无需移动部件，利用了硅的电气特性。其特点是能够以最小的损耗高效地管理电源，使其适用于广泛的电子电路。
具有 50V 的最大漏源电压 (Vds) 和 220mA 的连续漏极电流 (Id)，针对电源效率至关重要的低压应用进行了优化。SOT-23 封装因其紧凑的尺寸而被广泛使用，使其适用于空间受限的应用。BSS138BKAHZGT116 的低导通电阻和高开关速度进一步增强了其在开关应用中的性能。
晶体管
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种用于电子电路中开关或放大信号的晶体管。它们因高输入阻抗和低功耗而广受赞誉，使其成为现代电子设计中的重要元件。特别是 N 沟道 MOSFET，设计用于在栅极相对于源极施加正电压时导通电流。
为特定应用选择 MOSFET 时，重要的是要考虑最大漏源电压 (Vds)、连续漏极电流 (Id) 和封装类型等参数。这些参数决定了 MOSFET 处理电路中电压和电流水平的能力。导通电阻 (Rds(on)) 是另一个关键规格，因为它影响器件的功率损耗和效率。
MOSFET 用于各种应用，包括电源转换、电机控制和信号切换。MOSFET 的选择取决于应用的具体要求，例如工作电压、电流处理能力和物理尺寸限制。考虑器件的热管理也很重要，因为 MOSFET 在工作期间会产生大量热量。
总之，MOSFET 在现代电子产品中发挥着关键作用，为各种应用中的功率控制提供了多功能的解决方案。了解关键规格及其与应用需求的关系对于选择合适的 MOSFET 至关重要。