BS170 是使用 onsemi 专有的高单元密度 DMOS 技术生产的 N 沟道 MOSFET。该元器件旨在提供低导通电阻，同时确保坚固、可靠和快速的开关性能。它能够处理高达 500 mA 的连续漏极电流，使其适用于广泛的应用，特别是那些需要低电压和低电流的应用。例如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 栅极驱动器和各种开关应用。
BS170 采用高密度单元设计，提供低 RDS(ON)，这有利于需要高效电源管理的应用。其高饱和电流能力和电压控制的小信号开关功能使其成为设计人员的多功能选择。此外，BS170 具有坚固耐用的特点，具有高饱和电流能力，使其成为苛刻环境的可靠选择。
晶体管
场效应晶体管 (FET) 如 BS170 是广泛用于电子产品中信号开关和放大的半导体器件。N 沟道 MOSFET 是一种 FET，设计用于在栅极端施加正电压时在漏极和源极端之间传导电流。这使得 N 沟道 MOSFET 非常适合高效开关应用。
选择 N 沟道 MOSFET 时，工程师应考虑漏源电压 (VDSS)、栅源电压 (VGSS)、漏极电流和静态漏源导通电阻 (RDS(ON)) 等参数。这些参数决定了 MOSFET 处理给定应用中电压和电流的能力，以及其效率和热性能。
BS170 具有低 RDS(ON) 和高饱和电流能力，特别适合低电压、低电流应用。其坚固可靠的设计确保了在不同条件下的稳定性能。工程师还应考虑 MOSFET 的热特性，包括最大功耗和热阻，以确保在规定的温度范围内可靠运行。
总之，BS170 N 沟道 MOSFET 提供了性能、可靠性和效率的平衡，使其成为各种应用的有吸引力的选择。其选择应基于对应用电气和热要求的全面评估。