BS170: N沟道MOSFET，60V，500mA，TO-92/SOT-23

onsemi

BS170是onsemi使用其专有的高单元密度DMOS技术生产的N沟道MOSFET。该组件旨在提供低导通电阻，同时确保坚固、可靠和快速的开关性能。它能够处理高达500 mA的连续漏电流，适用于广泛的应用，特别是那些需要低电压和低电流的应用。示例包括小型伺服电机控制、功率MOSFET门驱动器和各种开关应用。

BS170具有高密度单元设计，提供低RDS(ON)，这对于需要高效能源管理的应用非常有益。其高饱和电流能力和电压控制的小信号开关功能使其成为设计师的多功能选择。此外，BS170被描述为坚固可靠，具有高饱和电流能力，使其成为苛刻环境中的坚实选择。

• 漏源电压（VDSS）：60V
• 栅源电压（VGSS）：±20V
• 漏电流 - 连续（ID）：500mA
• 漏电流 - 脉冲：1200mA（BS170），800mA（MMBF170）
• 静态漏源电阻（RDS(ON)）：1.2Ω至5Ω
• 栅阈值电压（VGS(th)）：0.8V至3V
• 最大功率耗散：830mW（BS170），300mW（MMBF170）
• 操作和存储温度范围：-55°C至150°C

• 小型伺服电机控制
• 功率MOSFET门驱动器
• 各种开关应用

场效应晶体管（FET）如BS170是在电子学中广泛用于开关和放大信号的半导体设备。N沟道MOSFET，一种FET，设计用于在栅极端施加正电压时，在漏极和源极端之间导通电流。这使得N沟道MOSFET非常适合高效率开关应用。

在选择N沟道MOSFET时，工程师应考虑诸如漏源电压（VDSS）、栅源电压（VGSS）、漏电流和静态漏源导通电阻（RDS(ON)）等参数。这些参数决定了MOSFET在给定应用中处理电压和电流的能力，以及其效率和热性能。

BS170凭借其低RDS(ON)和高饱和电流能力，特别适用于低电压、低电流应用。其坚固可靠的设计确保在不同条件下的稳定性能。工程师还应考虑MOSFET的热特性，包括最大功耗和热阻，以确保在指定的温度范围内可靠运行。

总之，BS170 N沟道MOSFET提供了性能、可靠性和效率的平衡，使其成为各种应用的有吸引力的选择。其选择应基于对应用的电气和热要求的彻底评估。