2N2222A: NPN 晶体管,TO-18 封装,40V VCEO,800mA IC,500mW PD
Central Semiconductor

Central Semiconductor 2N2222A 是一款硅 NPN 外延平面晶体管,主要设计用于小信号、通用开关应用。该元件封装在金属 TO-18 外壳中,为空间宝贵的设计提供了紧凑的占地面积。

2N2222A 的主要特性包括其处理高达 800mA 连续集电极电流的能力,使其适用于广泛的应用。此外,其强大的最大额定值,包括 40V 的集电极-发射极电压 (VCEO) 和 25°C 环境温度下的 500mW 功耗 (PD),确保了在各种条件下的可靠运行。该器件还在各种工作条件下表现出低饱和电压和高电流增益 (hFE),进一步增强了其在电路设计中的多功能性。

关键规格和特性

  • 集电极-发射极电压 (VCEO): 40V
  • 集电极-基极电压 (VCBO): 75V
  • 发射极-基极电压 (VEBO): 6.0V
  • 连续集电极电流 (IC): 800mA
  • 功耗 (PD): 500mW
  • 工作和存储结温 (TJ, Tstg): -65 至 +200°C
  • 电流增益 (hFE): 高达 300
  • 特征频率 (fT): 250-300MHz

2N2222A 数据表

2N2222A 数据表 (PDF)

2N2222A 个替代品
可作为 2N2222A 替代品的等效替代元件,最受欢迎的元件优先

应用

  • 信号处理
  • 开关电路
  • 放大

类别

晶体管

一般信息

NPN 晶体管是电子电路中的基础元器件,用作放大器或开关。这些器件由三层半导体材料组成,外层为 n 型,中间层为 p 型,形成 NPN 结构。NPN 晶体管的工作原理是基于对从集电极到发射极的电流流动的控制,该电流由基极电流调制。

选择 NPN 晶体管时,主要考虑因素包括最大集电极-发射极和集电极-基极电压、最大集电极电流、功耗和电流增益。这些参数决定了晶体管对特定应用的适用性,范围从低功率信号放大到高功率开关。

2N2222A 采用紧凑的 TO-18 金属外壳,特别适合空间有限且可靠性至关重要的应用。它处理相对较高电流和电压的能力,加上其高电流增益和低饱和电压,使其成为各种应用的多功能选择。

除了电气规格外,热阻和工作温度范围等热特性也很重要。这些因素影响散热的选择以及晶体管在各种工作条件下的整体可靠性。

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