Central Semiconductor的2N2222A是一款硅NPN外延平面晶体管，主要设计用于小信号、通用开关应用。该组件封装在金属TO-18外壳中，为设计中空间紧凑的应用提供了紧凑的占地面积。
2N2222A的关键特性包括其能够处理高达800mA的连续集电极电流，使其适用于广泛的应用。此外，其坚固的最大额定值，包括集电极-发射极电压（VCEO）为40V和在25°C环境温度下的功率耗散（PD）为500mW，确保了在各种条件下的可靠操作。该器件还展示了低饱和电压和在一系列操作条件下的高电流增益（hFE），进一步增强了其在电路设计中的多功能性。
晶体管
NPN晶体管是电子电路中的基本组件，作为放大器或开关。这些设备由三层半导体材料组成，外层为n型，中间层为p型，形成NPN配置。NPN晶体管的操作基于通过基极电流调制从集电极到发射极的电流流动。
在选择NPN晶体管时，关键考虑因素包括最大集电极-发射极和集电极-基极电压、最大集电极电流、功率耗散和电流增益。这些参数决定了晶体管适用于特定应用的适用性，范围从低功率信号放大到高功率开关。
2N2222A采用紧凑的TO-18金属外壳，特别适用于空间有限且可靠性至关重要的应用。它能够处理相对较高的电流和电压，加上其高电流增益和低饱和电压，使其成为广泛应用中的多功能选择。
除了电气规格外，热特性，如热阻和工作温度范围，也很重要。这些因素影响散热器的选择和晶体管在各种操作条件下的整体可靠性。