NSVBAT54HT1G: Diodo de Barreira Schottky, 30V, 200mA, SOD-323, Comutação Rápida
onsemi

O NSVBAT54HT1G da onsemi é um diodo de barreira Schottky projetado para aplicações de comutação de alta velocidade, proteção de circuitos e clampeamento de tensão. Ele apresenta uma tensão direta extremamente baixa, reduzindo significativamente a perda de condução, tornando-o adequado para aplicações de alta eficiência. O pacote de montagem em superfície SOD-323 em miniatura é ideal para aplicações portáteis e de mão onde o espaço é limitado.

Este diodo é caracterizado por sua velocidade de comutação rápida e baixa tensão direta de tipicamente 0,35V a 10mA de corrente direta. Ele é qualificado para aplicações automotivas (AEC-Q101) e é compatível com PPAP, indicando sua confiabilidade e qualidade para aplicações críticas. O dispositivo também é livre de Pb, livre de halogênio/BFR e compatível com RoHS, alinhando-se aos padrões ambientais.

Especificações e Características Chave

  • Tensão Reversa (VR): 30V
  • Corrente Direta (IF): 200mA
  • Corrente de Pico Direta Não Repetitiva (IFSM): 600mA
  • Baixa Tensão Direta: 0.35V (Típ) @ IF = 10mA
  • Corrente de Fuga Reversa (IR): 0.5μA @ VR = 25V
  • Capacitância Total (CT): 7.6pF @ VR = 1.0V, f = 1.0MHz
  • Tempo de Recuperação Reversa (trr): <5ns
  • Pacote: SOD-323

NSVBAT54HT1G Datasheet

NSVBAT54HT1G folha de dados (PDF)

NSVBAT54HT1G Substitutos
Partes alternativas equivalentes que podem servir como substituto para NSVBAT54HT1G, componentes mais populares primeiro

Aplicações

  • Circuitos de comutação de alta velocidade
  • Proteção de circuitos
  • Limitação de tensão

Categoria

Diodos

Informações gerais

Diodos de barreira Schottky são dispositivos semicondutores projetados para conduzir corrente em uma direção, semelhante a outros diodos, mas com algumas vantagens distintas. Eles são conhecidos por sua baixa queda de tensão direta e capacidades de comutação rápida. Essas características tornam os diodos Schottky particularmente úteis em circuitos de fontes de alimentação de alta eficiência, aplicações de RF e como retificadores em inversores de baixa tensão e alta frequência.

Ao selecionar um diodo Schottky para uma aplicação específica, é importante considerar parâmetros como a tensão reversa máxima, corrente direta, dissipação de potência, tipo de pacote e características térmicas. A baixa queda de tensão direta dos diodos Schottky reduz a perda de potência, tornando-os adequados para aplicações onde a eficiência é crítica. No entanto, eles geralmente têm correntes de fuga reversa mais altas do que outros diodos, o que pode ser um fator limitante em algumas aplicações.

A velocidade de comutação rápida dos diodos Schottky é benéfica para aplicações de alta frequência, mas é importante garantir que o dispositivo possa lidar com a corrente necessária sem superaquecimento. Estratégias de gerenciamento térmico podem ser necessárias em aplicações de alta potência. Além disso, o tipo e o tamanho do encapsulamento podem influenciar o desempenho térmico e a adequação para designs compactos.

No geral, diodos Schottky são componentes versáteis que podem melhorar a eficiência e o desempenho em uma ampla gama de circuitos eletrônicos. Compreender suas características e limitações é fundamental para selecionar o diodo certo para sua aplicação.

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