BAT54A-7-F: Diodo de Barreira Schottky SMT, 30V, 200mA, 0.8V máx VF, SOT23
Diodes Inc.

O BAT54A-7-F é um Diodo de Barreira Schottky de montagem em superfície projetado para aplicações de comutação de alta velocidade. Ele apresenta uma baixa tensão de ativação e uma tensão direta máxima de 0,8V, permitindo uma operação eficiente. O componente é encapsulado em um pacote SOT23, fornecendo uma solução compacta para aplicações com restrições de espaço. Este diodo é projetado com um Anel de Proteção de Junção PN, oferecendo proteção aprimorada contra eventos transientes e Descargas Eletrostáticas (ESD), tornando-o adequado para circuitos eletrônicos sensíveis.

O dispositivo é compatível com os regulamentos RoHS, garantindo uma opção ambientalmente amigável para projetos eletrônicos. Ele é capaz de lidar com uma corrente média de saída retificada de 200mA e suporta uma tensão reversa repetitiva de pico de 30V. O BAT54A-7-F é caracterizado por sua capacidade de comutação rápida, tornando-o uma escolha ideal para aplicações de alta frequência. As propriedades mecânicas e térmicas do diodo são otimizadas para confiabilidade, incluindo um nível de sensibilidade à umidade de 1 e uma dissipação máxima de potência de 200mW.

Especificações e Características Chave

  • Encapsulamento: SOT23 (Padrão)
  • Tensão Reversa Repetitiva de Pico (VRRM): 30V
  • Corrente Média de Saída Retificada (IO): 200mA
  • Tensão Direta (VFmax): 0.8V
  • Corrente de Fuga Reversa (IRmax): 2μA
  • Dissipação de Potência (PD): 200mW
  • Resistência Térmica, Junção para Ambiente (RθJA): 500°C/W
  • Faixa de Temperatura de Operação: -65 a +150°C

BAT54A-7-F Datasheet

BAT54A-7-F folha de dados (PDF)

BAT54A-7-F Substitutos
Partes alternativas equivalentes que podem servir como substituto para BAT54A-7-F, componentes mais populares primeiro

Aplicações

  • Circuitos de comutação de alta velocidade
  • Circuitos de fonte de alimentação
  • Conversores DC-DC
  • Sistemas de gerenciamento de bateria

Categoria

Diodo

Informações gerais

Diodos de Barreira Schottky são dispositivos semicondutores que permitem o fluxo de corrente em uma direção com uma queda de tensão direta muito baixa, tornando-os altamente eficientes para aplicações que requerem comutação rápida e baixa perda de energia. Eles são caracterizados pelo uso de uma junção metal-semicondutor como barreira do diodo, em oposição à junção PN encontrada em diodos padrão. Essa configuração resulta em uma tensão direta mais baixa e maior velocidade de comutação.

Ao selecionar um Diodo de Barreira Schottky, os engenheiros devem considerar parâmetros como a tensão reversa máxima, corrente direta, queda de tensão direta e tipo de encapsulamento. Essas características determinam a adequação do diodo para aplicações específicas, incluindo conversão de energia, limitação de tensão e circuitos de proteção. A baixa queda de tensão direta e a capacidade de comutação rápida tornam os diodos Schottky ideais para aplicações de alta frequência e alta eficiência.

Outra consideração importante é o desempenho térmico do diodo, já que a comutação em alta velocidade pode gerar calor significativo. As classificações de resistência térmica e dissipação de potência fornecem informações sobre a capacidade do diodo de gerenciar calor em condições operacionais. Além disso, recursos de proteção, como anéis de proteção para transientes e proteção contra ESD, são valiosos para melhorar a confiabilidade e a longevidade dos circuitos eletrônicos.

No geral, os Diodos de Barreira Schottky são componentes versáteis que oferecem vantagens significativas para uma ampla gama de aplicações eletrônicas. Sua eficiência, velocidade e formato compacto os tornam essenciais para projetos eletrônicos modernos, particularmente em circuitos de gerenciamento de energia e processamento de sinais.

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