1N5819HW-7-F: Retificador de Barreira Schottky Montagem em Superfície, 1.0A, 40V, 450mV max VF
Diodes Inc.

O 1N5819HW-7-F é um retificador de barreira Schottky projetado para aplicações de montagem em superfície. Ele apresenta uma tensão reversa repetitiva de pico (VRRM) de 40V e uma corrente de saída retificada média (IO) de 1.0A. O dispositivo oferece uma baixa queda de tensão direta (VF) de no máximo 450mV, contribuindo para sua alta eficiência e baixa perda de potência. O retificador Schottky também exibe uma baixa corrente de fuga reversa (IR) de no máximo 50µA, melhorando seu desempenho em ambientes de alta temperatura.

A construção com anel de guarda proporciona proteção transitória, garantindo confiabilidade e estabilidade sob condições transitórias. O retificador é encapsulado em um pacote SOD123, conhecido por seu tamanho compacto e durabilidade. O material do pacote é plástico moldado com uma classificação de inflamabilidade UL de 94V-0, indicando sua adequação para uso em aplicações críticas de segurança.

Alta capacidade de surto, alta capacidade de corrente e baixa queda de tensão direta tornam este dispositivo ideal para uma variedade de aplicações, incluindo inversores de alta frequência e baixa tensão, roda livre e proteção de polaridade.

Especificações e Características Chave

  • Tensão Repetitiva de Pico Reversa (VRRM): 40V
  • Corrente de Saída Retificada Média (IO): 1.0A
  • Tensão Máxima Direta (VF): 450mV
  • Corrente Máxima de Fuga Reversa (IR): 50µA
  • Pacote: SOD123
  • Faixa de Temperatura Operacional: -65 a +150°C

1N5819HW-7-F Datasheet

1N5819HW-7-F folha de dados (PDF)

1N5819HW-7-F Substitutos
Partes alternativas equivalentes que podem servir como substituto para 1N5819HW-7-F, componentes mais populares primeiro

Aplicações

  • Inversores de alta frequência e baixa tensão
  • Roda livre
  • Proteção de polaridade

Categoria

Diodo

Informações gerais

Retificadores de barreira Schottky são diodos semicondutores projetados com uma junção metal-semicondutor em vez de uma junção p-n, que é comum em diodos padrão. Esta construção única permite que os diodos Schottky tenham quedas de tensão direta muito baixas e capacidades de comutação rápidas, tornando-os altamente eficientes para aplicações que requerem retificação, fixação de tensão e proteção contra polaridade reversa.

Ao selecionar um retificador de barreira Schottky, os engenheiros devem considerar parâmetros como a tensão reversa repetitiva de pico, corrente de saída retificada média, queda de tensão direta e corrente de fuga reversa. Esses parâmetros são críticos para garantir que o diodo atenda aos requisitos de manuseio de potência, eficiência e térmicos da aplicação.

Diodos Schottky são amplamente utilizados em circuitos de fonte de alimentação, reguladores de tensão e conversores DC-DC devido à sua eficiência e resposta rápida. Eles também são empregados em aplicações de alta frequência, como misturadores e detectores de RF, onde sua baixa queda de tensão direta e velocidades de comutação rápidas são vantajosas.

Além das especificações técnicas, o tipo de encapsulamento e as características térmicas também são considerações importantes. O encapsulamento deve suportar os requisitos de dissipação térmica da aplicação, e a faixa de temperatura operacional do diodo deve estar alinhada com as condições ambientais nas quais o dispositivo será usado.

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