De BS170 is een N-kanaals MOSFET geproduceerd met behulp van onsemi's eigen DMOS-technologie met hoge celdichtheid. Dit component is ontworpen om een lage aan-weerstand te bieden en tegelijkertijd robuuste, betrouwbare en snelle schakelprestaties te garanderen. Hij kan tot 500 mA continue drainstroom aan, waardoor hij geschikt is voor een breed scala aan toepassingen, met name die welke een lage spanning en lage stroom vereisen. Voorbeelden zijn kleine servomotorbesturing, vermogens-MOSFET-poortdrivers en diverse schakeltoepassingen.
Met een celontwerp met hoge dichtheid biedt de BS170 een lage RDS(ON), wat gunstig is voor toepassingen die efficiënt energiebeheer vereisen. Zijn hoge verzadigingsstroomcapaciteit en spanningsgestuurde kleinsignaalschakelaarfunctionaliteit maken het een veelzijdige keuze voor ontwerpers. Bovendien wordt de BS170 gekenmerkt als robuust en betrouwbaar, met een hoge verzadigingsstroomcapaciteit, waardoor het een solide keuze is voor veeleisende omgevingen.
Transistor
Field Effect Transistors (FET's) zoals de BS170 zijn halfgeleidercomponenten die veel worden gebruikt in elektronica voor het schakelen en versterken van signalen. De N-Channel MOSFET, een type FET, is ontworpen om stroom te geleiden tussen de drain- en source-aansluitingen wanneer een positieve spanning wordt aangelegd op de gate-aansluiting. Dit maakt N-Channel MOSFET's ideaal voor zeer efficiënte schakeltoepassingen.
Bij het selecteren van een N-kanaals MOSFET moeten ingenieurs rekening houden met parameters zoals drain-source spanning (VDSS), gate-source spanning (VGSS), drainstroom en statische drain-source aan-weerstand (RDS(ON)). Deze parameters bepalen het vermogen van de MOSFET om de spanningen en stromen in een bepaalde toepassing aan te kunnen, evenals de efficiëntie en thermische prestaties.
De BS170, met zijn lage RDS(ON) en hoge verzadigingsstroomcapaciteit, is bijzonder geschikt voor toepassingen met lage spanning en lage stroom. Het robuuste en betrouwbare ontwerp zorgt voor stabiele prestaties onder wisselende omstandigheden. Ingenieurs moeten ook rekening houden met de thermische eigenschappen van de MOSFET, waaronder maximale vermogensdissipatie en thermische weerstand, om een betrouwbare werking binnen het gespecificeerde temperatuurbereik te garanderen.
Samenvattend biedt de BS170 N-kanaals MOSFET een balans tussen prestaties, betrouwbaarheid en efficiëntie, waardoor het een aantrekkelijke optie is voor een verscheidenheid aan toepassingen. De selectie moet gebaseerd zijn op een grondige evaluatie van de elektrische en thermische vereisten van de toepassing.