De BS170 is een N-kanaal MOSFET geproduceerd met behulp van onsemi's eigen high cell density DMOS-technologie. Dit onderdeel is ontworpen om een lage aan-weerstand te bieden terwijl het robuust, betrouwbaar en snel schakelgedrag garandeert. Het is in staat om tot 500 mA aan continue afvoerstroom te hanteren, waardoor het geschikt is voor een breed scala aan toepassingen, met name die welke lage spanning en lage stroom vereisen. Voorbeelden zijn kleine servomotorbesturing, power MOSFET gate drivers en verschillende schakeltoepassingen.
Met een ontwerp van cellen met hoge dichtheid biedt de BS170 een lage RDS(ON), wat gunstig is voor toepassingen die efficiënt energiebeheer vereisen. De hoge verzadigingsstroomcapaciteit en de functionaliteit van de spanningsgestuurde kleine signaalschakelaar maken het een veelzijdige keuze voor ontwerpers. Daarnaast wordt de BS170 gekenmerkt als robuust en betrouwbaar, met een hoge verzadigingsstroomcapaciteit, waardoor het een solide keuze is voor veeleisende omgevingen.
Transistor
Veld-effecttransistors (FETs) zoals de BS170 zijn halfgeleiderapparaten die veel gebruikt worden in de elektronica voor het schakelen en versterken van signalen. De N-kanaal MOSFET, een type FET, is ontworpen om stroom te geleiden tussen de drain- en source-terminals wanneer een positieve spanning op de gate-terminal wordt toegepast. Dit maakt N-kanaal MOSFETs ideaal voor toepassingen met een hoge efficiëntie in schakelen.
Bij het selecteren van een N-kanaal MOSFET moeten ingenieurs parameters zoals drain-source spanning (VDSS), poort-source spanning (VGSS), drainstroom en statische drain-source weerstand in geleidingstoestand (RDS(ON)) overwegen. Deze parameters bepalen het vermogen van de MOSFET om de spanningen en stromen in een gegeven toepassing te hanteren, evenals zijn efficiëntie en thermische prestaties.
De BS170, met zijn lage RDS(ON) en hoge verzadigingsstroomcapaciteit, is bijzonder geschikt voor toepassingen met lage spanning en lage stroom. Zijn robuuste en betrouwbare ontwerp zorgt voor stabiele prestaties onder wisselende omstandigheden. Ingenieurs moeten ook de thermische kenmerken van de MOSFET overwegen, inclusief maximale vermogensdissipatie en thermische weerstand, om betrouwbare werking binnen het gespecificeerde temperatuurbereik te garanderen.
Samengevat biedt de BS170 N-kanaal MOSFET een balans van prestaties, betrouwbaarheid en efficiëntie, waardoor het een aantrekkelijke optie is voor een verscheidenheid aan toepassingen. De selectie ervan moet gebaseerd zijn op een grondige evaluatie van de elektrische en thermische vereisten van de toepassing.