De 2N7000 is een N-kanaals MOSFET ontwikkeld door onsemi met behulp van 'high cell density' DMOS-technologie. Dit component is ontworpen om een lage aan-weerstand te bieden en tegelijkertijd betrouwbare en snelle schakelprestaties te garanderen. Hij is met name geschikt voor toepassingen die een lage spanning en lage stroom vereisen, waaronder kleine servomotorbesturingen, vermogens-MOSFET-gatedrivers en andere schakeltoepassingen.
Het apparaat beschikt over een celontwerp met hoge dichtheid dat bijdraagt aan de lage RDS(on), waardoor het een efficiënte keuze is voor energiebeheertaken. De mogelijkheid om te functioneren als een spanningsgestuurde kleinsignaalschakelaar draagt bij aan de veelzijdigheid in verschillende circuitontwerpen. De 2N7000-serie staat bekend om zijn robuustheid en betrouwbaarheid, naast een hoge verzadigingsstroomcapaciteit, waardoor het een voorkeurskeuze is voor ontwerpers die op zoek zijn naar prestaties en duurzaamheid.
Transistoren
N-kanaal MOSFET's zijn een type veldeffecttransistor (FET) die veelvuldig worden gebruikt in elektronische circuits voor het schakelen en versterken van signalen. Ze werken door een elektrisch veld te gebruiken om de stroomstroom tussen de source- en drain-aansluitingen te regelen. N-kanaal MOSFET's worden gekenmerkt door hun gebruik van een negatief geladen stuursignaal op de gate-aansluiting om stroomstroom mogelijk te maken.
Bij het selecteren van een N-kanaal MOSFET moeten ingenieurs rekening houden met parameters zoals drain-naar-source spanning (VDSS), gate-source spanning (VGSS), maximale drainstroom (ID), vermogensdissipatie (PD) en thermische weerstand. Deze parameters zijn cruciaal om ervoor te zorgen dat de MOSFET de vereiste belasting aankan en efficiënt werkt binnen de bedrijfsomstandigheden van het circuit.
De keuze van de behuizing (zoals TO-92 of SOT-23 voor de 2N7000-serie) speelt ook een belangrijke rol in de toepassing, en beïnvloedt factoren zoals thermisch beheer en fysieke ruimtebeperkingen. Daarnaast is de statische drain-source on-weerstand (RDS(on)) een belangrijke overweging voor energie-efficiëntie, aangezien lagere waarden resulteren in minder vermogensverlies tijdens bedrijf.
N-Channel MOSFETs worden gebruikt in een breed scala aan toepassingen, van energiebeheer en -regeling tot signaalverwerking. Hun vermogen om snel te schakelen en aanzienlijke vermogensniveaus aan te kunnen, terwijl de efficiëntie behouden blijft, maakt ze onmisbaar in modern elektronisch ontwerp.