BS170 er en N-kanal MOSFET produsert ved bruk av onsemis proprietære høy celle tetthet DMOS-teknologi. Denne komponenten er designet for å tilby lav motstand i på-tilstand samtidig som den sikrer robust, pålitelig og rask bryteytelse. Den er i stand til å håndtere opptil 500 mA kontinuerlig dreneringsstrøm, noe som gjør den egnet for et bredt spekter av applikasjoner, spesielt de som krever lav spenning og lav strøm. Eksempler inkluderer liten servo motorstyring, kraft MOSFET-portdrivere og ulike bryteapplikasjoner.
Med et høy tetthets celle design, tilbyr BS170 en lav RDS(ON), som er gunstig for applikasjoner som krever effektiv strømstyring. Dens høye metningsstrøm kapasitet og spenningskontrollert liten signalbryter funksjonalitet gjør den til et allsidig valg for designere. I tillegg er BS170 karakterisert som robust og pålitelig, med høy metningsstrøm kapasitet, noe som gjør den til et solid valg for krevende miljøer.
Transistor
Felt Effekt Transistorer (FETs) som BS170 er halvlederinnretninger som er mye brukt i elektronikk for å bytte og forsterke signaler. N-kanals MOSFET, en type FET, er designet for å lede strøm mellom drenerings- og kilde-terminalene når en positiv spenning påføres gate-terminalen. Dette gjør N-kanals MOSFETer ideelle for applikasjoner som krever høyeffektiv bytting.
Når man velger en N-kanal MOSFET, bør ingeniører vurdere parametere som drain-source spenning (VDSS), gate-source spenning (VGSS), drain strøm og statisk drain-source motstand (RDS(ON)). Disse parameterne bestemmer MOSFETens evne til å håndtere spenninger og strømmer i en gitt applikasjon, samt dens effektivitet og termiske ytelse.
BS170, med sin lave RDS(ON) og høy metningsstrømkapasitet, er spesielt egnet for lavspennings, lavstrømsapplikasjoner. Dens robuste og pålitelige design sikrer stabil ytelse under varierende forhold. Ingeniører bør også vurdere de termiske egenskapene til MOSFET-en, inkludert maksimal effekttap og termisk motstand, for å sikre pålitelig drift innenfor det spesifiserte temperaturområdet.
Sammenfatningsvis tilbyr BS170 N-kanal MOSFET en balanse mellom ytelse, pålitelighet og effektivitet, noe som gjør den til et attraktivt alternativ for en rekke applikasjoner. Valget bør baseres på en grundig evaluering av applikasjonens elektriske og termiske krav.