PRTR5V0U2X,215: 초저 용량 이중 레일-투-레일 ESD 보호 다이오드, 1pF, 8kV
Nexperia

Nexperia에서 제조한 PRTR5V0U2X는 ESD 및 기타 일시적 사건으로부터 두 개의 Hi-Speed 데이터 라인 또는 고주파 신호 라인을 보호하기 위해 설계된 초저 용량 이중 레일-투-레일 정전기 방전(ESD) 보호 다이오드입니다. 이 구성 요소는 공급 전압 없이도 신호 라인 보호를 보장하는 두 쌍의 초저 용량 레일-투-레일 다이오드와 추가 ESD 보호 다이오드를 특징으로 합니다. 이는 소형 SOT143B 표면 실장 장치(SMD) 플라스틱 패키지에 수용되어 있어 컴팩트한 설계에 적합합니다.

이 장치는 USB 2.0 인터페이스가 최대 480 Mbit/s의 데이터 속도를 처리하는 응용 프로그램에 필수적인 최소 신호 왜곡을 제공하는 초저 입력/출력 대 지상 용량 1 pF를 특징으로 합니다. ESD 보호는 최대 8 kV까지이며 IEC 61000-4-2, 4등급 표준과 호환되어 민감한 전자 장비에 대한 견고한 보호를 제공합니다.

주요 사양 및 특징

  • 역방향 대기 전압 (VRWM): 5.5 V
  • 입출력 대 지상 용량 (C(I/O-GND)): 1 pF
  • 공급 핀 대 지상 용량 (Csup): 16 pF
  • ESD 보호: 최대 8 kV
  • 역전류 (IR): < 1에서 100 nA
  • 파괴 전압 (VBR): 6에서 9 V
  • 순방향 전압 (VF): 0.7 V

PRTR5V0U2X,215 대체품
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애플리케이션

  • USB 2.0 포트
  • 디지털 비디오 인터페이스(DVI) / 고화질 멀티미디어 인터페이스(HDMI) 인터페이스
  • 모바일 및 무선 전화
  • 개인 디지털 보조기기(PDA)
  • 디지털 카메라
  • 광역 네트워크(WAN) / 지역 네트워크(LAN) 시스템
  • PC, 노트북, 프린터 및 기타 PC 주변 장치

카테고리

다이오드

일반 정보

정전기 방전(ESD) 보호 다이오드는 전자 회로를 ESD로 인한 갑작스럽고 순간적인 전류 스파이크로부터 보호하기 위해 설계된 전문 구성요소입니다. 이 다이오드는 보호되는 회로로부터 초과 전하를 다른 곳으로 유도함으로써 민감한 구성요소를 보호합니다. ESD 이벤트는 장치 처리 또는 작동 중에 발생할 수 있으며, 전자 구성요소를 손상시키거나 열화시킬 수 있습니다.

ESD 보호 다이오드를 선택할 때, 엔지니어들은 용량, 파괴 전압, 클램핑 전압, 그리고 ESD 보호 수준과 같은 매개변수를 고려해야 합니다. 다이오드의 용량은 고속 응용 프로그램에서 특히 중요하며, 신호 무결성에 영향을 줄 수 있습니다. 일반적으로 신호 왜곡을 최소화하기 위해 낮은 용량 값이 선호됩니다.

다이오드가 전기를 지면으로 전도하기 시작하는 전압인 붕괴 전압을 나타냅니다. 클램핑 전압은 ESD 이벤트 하에서 보호된 라인이 경험할 최대 전압 수준이며, 보호되는 구성 요소의 손상 임계값보다 낮아야 합니다.

ESD 보호 다이오드는 USB 포트, 통신 인터페이스, 모바일 기기 등 다양한 애플리케이션에서 사용되며, ESD 손상으로부터 중요한 보호를 제공합니다. 이 다이오드의 적절한 선택과 배치는 효과적인 보호를 위해 중요합니다.

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