BSS138LT3G: NチャネルMOSFET、200 mA、50 V、SOT-23

onsemi

onsemiのBSS138LT3Gは、最大200mAおよび50Vで動作するNチャネルMOSFETで、コンパクトなSOT-23パッケージに封入されています。このコンポーネントは、電子回路における低〜中程度の電力要件を処理するように設計されており、幅広いアプリケーションに適しています。

主な特徴には、0.85Vから1.5Vの範囲の低い閾値電圧（VGS(th)）があり、これにより低電圧シナリオでの効率的な動作が可能になります。さらに、このデバイスは、VGSが5.0V、IDが200mAの場合に3.5Ωという低い静的ドレイン-ソース間オン抵抗（RDS(on)）を特徴としており、電流伝導の効率化に貢献しています。BSS138LT3Gは、-55から150°Cの最大動作および保存温度範囲による堅牢性でも注目に値し、さまざまな環境条件下で信頼性の高い性能を保証します。

• ドレイン-ソース間電圧 (VDSS): 50 V
• ゲート-ソース間電圧 (VGS): ±20 V
• 連続ドレイン電流 (ID) @ 25°C: 200 mA
• パルスドレイン電流 (IDM): 800 mA
• 静的ドレイン-ソース間オン抵抗 (RDS(on)): 3.5 Ω @ VGS = 5.0 V, ID = 200 mA
• ゲート-ソース間閾値電圧 (VGS(th)): 0.85 V ～ 1.5 V
• 全許容損失 (PD) @ 25°C: 225 mW
• 動作および保存温度範囲: -55 ～ 150 °C
• 熱抵抗、ジャンクション-周囲間 (RθJA): 556 °C/W

• DC-DCコンバータ
• ポータブルおよびバッテリー駆動製品の電力管理
  • コンピュータ
  • プリンタ
  • PCMCIAカード
  • 携帯電話およびコードレス電話

NチャネルMOSFETは、スイッチングや増幅の目的で電子回路に広く使用されている電界効果トランジスタ（FET）の一種です。これらの部品は、比較的低い電圧を使用して大電流の流れを制御できるという特徴があり、電源管理や信号処理アプリケーションにおいて不可欠です。

NチャネルMOSFETを選択する際、エンジニアはドレイン-ソース間電圧 (VDSS)、ゲート-ソース間電圧 (VGS)、ドレイン電流 (ID)、および静的ドレイン-ソース間オン抵抗 (RDS(on)) などのパラメータを考慮する必要があります。これらのパラメータは、特定のアプリケーションで電圧と電流を処理するMOSFETの能力、およびその効率と放熱特性を決定します。

もう一つの重要な考慮事項は、デバイスをオンにするために必要な最小ゲート-ソース間電圧を示す閾値電圧（VGS(th)）です。低い閾値電圧は、電力効率が重要な低電圧アプリケーションにおいて有利になる場合があります。

パッケージタイプも、特にスペースに制約のある設計において重要な役割を果たします。たとえば、BSS138LT3GのSOT-23パッケージは、コンパクトさと熱性能のバランスを提供し、ポータブルデバイスやバッテリー駆動デバイスを含むさまざまなアプリケーションに適しています。