BSS138LT3G: NチャネルMOSFET、200 mA、50 V、SOT-23

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onsemiのBSS138LT3Gは、最大200mAおよび50Vで動作するNチャネルMOSFETで、コンパクトなSOT-23パッケージに封入されています。この部品は、電子回路内の低から中程度の電力要件を処理するように設計されており、幅広いアプリケーションに適しています。

主な特徴には、0.85 Vから1.5 Vの範囲の低いしきい値電圧（VGS(th)）が含まれ、これにより低電圧シナリオでの効率的な動作が可能になります。さらに、VGSが5.0 VでIDが200 mAの場合の低い静的ドレイン・ソースオン抵抗（RDS(on)）は3.5 Ωで、電流を効率的に導くことに貢献しています。BSS138LT3Gは、最大動作および保管温度範囲が-55から150 °Cで、さまざまな環境条件での信頼性の高い性能を保証する堅牢性も注目されます。

• ドレイン・ソース間電圧（VDSS）: 50V
• ゲート・ソース間電圧（VGS）: ±20V
• 25°Cでの連続ドレイン電流（ID）: 200mA
• パルスドレイン電流（IDM）: 800mA
• 静的ドレイン・ソースオン抵抗（RDS(on））: VGS = 5.0V、ID = 200mAで3.5Ω
• ゲート・ソース閾値電圧（VGS(th)）: 0.85Vから1.5V
• 25°Cでの全体の消費電力（PD）: 225mW
• 動作および保管温度範囲: -55°Cから150°C
• 熱抵抗、接合部から周囲（RθJA）: 556°C/W

• DC-DCコンバータ
• 携帯機器およびバッテリー駆動製品の電力管理
  • コンピュータ
  • プリンタ
  • PCMCIAカード
  • 携帯電話およびコードレス電話

NチャネルMOSFETは、電子回路でスイッチングおよび増幅目的に広く使用されているフィールド効果トランジスタ（FET）の一種です。これらのコンポーネントは、比較的低い電圧で高電流の流れを制御できる能力によって特徴付けられ、電力管理および信号処理アプリケーションで不可欠です。

NチャネルMOSFETを選択する際、エンジニアはドレイン-ソース電圧（VDSS）、ゲート-ソース電圧（VGS）、ドレイン電流（ID）、および静的ドレイン-ソースオン抵抗（RDS（オン））などのパラメータを考慮する必要があります。これらのパラメータは、特定のアプリケーションでの電圧と電流の処理能力、および効率と熱放散特性を決定します。

閾値電圧（VGS(th)）も重要な考慮事項であり、デバイスをオンにするために必要な最小ゲートソース電圧を示します。低電圧アプリケーションでは、電力効率が重要な場合、低い閾値電圧が有利になることがあります。

パッケージタイプは、特にスペースが限られている設計において、重要な役割を果たします。例えば、BSS138LT3GのSOT-23パッケージは、コンパクトさと熱性能のバランスを提供し、携帯端末やバッテリー駆動デバイスなど、さまざまなアプリケーションに適しています。