: MOSFET a canale N, 50V, 220mA, SOT-23

Il BSS138BKAHZGT116 è un MOSFET a canale N prodotto da ROHM, progettato per applicazioni di commutazione a bassa potenza. Questo componente opera come un interruttore che può controllare il flusso di energia elettrica in un circuito senza parti mobili, utilizzando le proprietà elettriche del silicio. È caratterizzato dalla sua capacità di gestire in modo efficiente la potenza con perdite minime, rendendolo adatto a una vasta gamma di circuiti elettronici.

Caratterizzato da una tensione massima drain-source (Vds) di 50V e una corrente di drain continua (Id) di 220mA, è ottimizzato per applicazioni a bassa tensione dove l'efficienza energetica è cruciale. Il package SOT-23 è ampiamente utilizzato grazie alle sue dimensioni compatte, rendendolo adatto per applicazioni con vincoli di spazio. La bassa resistenza on e l'alta velocità di commutazione del BSS138BKAHZGT116 migliorano ulteriormente le sue prestazioni nelle applicazioni di commutazione.

Specifiche e caratteristiche chiave

  • Tipo: MOSFET a canale N
  • Tensione massima Drain-Source (Vds): 50V
  • Corrente di Drain continua (Id): 220mA
  • Package: SOT-23
  • Dissipazione di potenza: Non specificata
  • Tensione di soglia del Gate: Non specificata
  • Resistenza in conduzione (On-Resistance): Non specificata

Datasheet

Datasheet (PDF)

Applicazioni

  • Applicazioni di commutazione a bassa potenza
  • Circuiti di gestione dell'alimentazione
  • Dispositivi alimentati a batteria
  • Driver di carico/interruttore

Categoria

Transistor

Informazioni generali

I MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) sono un tipo di transistor utilizzato nei circuiti elettronici per commutare o amplificare segnali. Sono ampiamente apprezzati per la loro alta impedenza di ingresso e il basso consumo energetico, rendendoli componenti essenziali nella progettazione elettronica moderna. I MOSFET a canale N, in particolare, sono progettati per condurre corrente quando viene applicata una tensione positiva al gate rispetto al source.

Quando si seleziona un MOSFET per un'applicazione specifica, è importante considerare parametri come la massima tensione drain-source (Vds), la corrente di drain continua (Id) e il tipo di package. Questi parametri determinano la capacità del MOSFET di gestire i livelli di tensione e corrente nel circuito. La resistenza in conduzione (Rds(on)) è un'altra specifica cruciale, poiché influisce sulla perdita di potenza e sull'efficienza del dispositivo.

I MOSFET sono utilizzati in una varietà di applicazioni, tra cui conversione di potenza, controllo motori e commutazione di segnali. La scelta di un MOSFET dipende dai requisiti specifici dell'applicazione, come la tensione operativa, la capacità di gestione della corrente e i vincoli di dimensioni fisiche. È anche importante considerare la gestione termica del dispositivo, poiché i MOSFET possono generare calore significativo durante il funzionamento.

In sintesi, i MOSFET svolgono un ruolo critico nell'elettronica moderna, offrendo una soluzione versatile per il controllo della potenza in un'ampia gamma di applicazioni. Comprendere le specifiche chiave e come si relazionano ai requisiti della tua applicazione è essenziale per selezionare il MOSFET giusto.

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