BSS138BKAHZGT116: MOSFET a canale N, 50V, 220mA, SOT-23
ROHM

Il BSS138BKAHZGT116 è un MOSFET N-Channel prodotto da ROHM, progettato per applicazioni di commutazione a bassa potenza. Questo componente funziona come un interruttore che può controllare il flusso di potenza elettrica in un circuito senza parti mobili, sfruttando le proprietà elettriche del silicio. È caratterizzato dalla sua capacità di gestire efficientemente la potenza con perdite minime, rendendolo adatto per una vasta gamma di circuiti elettronici.

Con una tensione massima drain-source (Vds) di 50V e una corrente di drain continua (Id) di 220mA, è ottimizzato per applicazioni a bassa tensione dove l'efficienza energetica è cruciale. Il pacchetto SOT-23 è ampiamente utilizzato a causa delle sue dimensioni compatte, rendendolo adatto per applicazioni con limitazioni di spazio. La bassa resistenza on e l'alta velocità di commutazione del BSS138BKAHZGT116 migliorano ulteriormente le sue prestazioni nelle applicazioni di commutazione.

Specifiche e caratteristiche chiave

  • Tipo: MOSFET N-Channel
  • Tensione Massima Drain-Source (Vds): 50V
  • Corrente Continua di Drain (Id): 220mA
  • Pacchetto: SOT-23
  • Dissipazione di Potenza: Non Specificata
  • Tensione di Soglia del Gate: Non Specificata
  • Resistenza in Stato On: Non Specificata

BSS138BKAHZGT116 Scheda tecnica

BSS138BKAHZGT116 scheda tecnica (PDF)

BSS138BKAHZGT116 Sostituti
Parti equivalenti alternate che possono fungere da sostituto per BSS138BKAHZGT116, le parti più popolari per prime

Applicazioni

  • Applicazioni di commutazione a bassa potenza
  • Circuiti di gestione dell'alimentazione
  • Dispositivi alimentati a batteria
  • Driver di carico/interruttore

Categoria

Transistor

Informazioni generali

I MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) sono un tipo di transistor utilizzato nei circuiti elettronici per commutare o amplificare segnali. Sono ampiamente apprezzati per la loro alta impedenza di ingresso e basso consumo di energia, rendendoli componenti essenziali nel design elettronico moderno. I MOSFET N-Channel, in particolare, sono progettati per condurre corrente quando viene applicata una tensione positiva al gate rispetto alla sorgente.

Quando si seleziona un MOSFET per una specifica applicazione, è importante considerare parametri come la tensione massima drain-source (Vds), la corrente continua di drain (Id) e il tipo di pacchetto. Questi parametri determinano la capacità del MOSFET di gestire i livelli di tensione e corrente nel circuito. La resistenza in stato di conduzione (Rds(on)) è un'altra specifica cruciale, poiché influisce sulla perdita di potenza e sull'efficienza del dispositivo.

I MOSFET sono utilizzati in una varietà di applicazioni, inclusa la conversione di potenza, il controllo dei motori e la commutazione di segnali. La scelta di un MOSFET dipende dai requisiti specifici dell'applicazione, come la tensione di funzionamento, la capacità di gestione della corrente e le restrizioni di dimensione fisica. È anche importante considerare la gestione termica del dispositivo, poiché i MOSFET possono generare un calore significativo durante il funzionamento.

In sintesi, i MOSFET giocano un ruolo critico nell'elettronica moderna, offrendo una soluzione versatile per il controllo della potenza in una vasta gamma di applicazioni. Comprendere le specifiche chiave e come si relazionano ai requisiti della propria applicazione è essenziale per la selezione del MOSFET giusto.

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