Il BS170 è un MOSFET N-Channel prodotto utilizzando la tecnologia DMOS ad alta densità di celle proprietaria di onsemi. Questo componente è progettato per offrire una bassa resistenza allo stato acceso garantendo al contempo prestazioni di commutazione robuste, affidabili e veloci. È in grado di gestire fino a 500 mA di corrente di drenaggio continua, rendendolo adatto a una vasta gamma di applicazioni, in particolare quelle che richiedono bassa tensione e bassa corrente. Esempi includono il controllo di piccoli motori servo, i driver del gate di MOSFET di potenza e varie applicazioni di commutazione.
Grazie a un design a celle ad alta densità, il BS170 offre un basso RDS(ON), che è vantaggioso per le applicazioni che richiedono una gestione efficiente dell'energia. La sua elevata capacità di corrente di saturazione e la funzionalità di interruttore a segnale piccolo controllato dalla tensione lo rendono una scelta versatile per i progettisti. Inoltre, il BS170 è caratterizzato come robusto e affidabile, con un'elevata capacità di corrente di saturazione, rendendolo una scelta solida per ambienti impegnativi.
Transistor
I transistor ad effetto di campo (FET) come il BS170 sono dispositivi a semiconduttore ampiamente utilizzati nell'elettronica per commutare e amplificare segnali. Il MOSFET a canale N, un tipo di FET, è progettato per condurre corrente tra i terminali di drain e source quando viene applicata una tensione positiva al terminale di gate. Questo rende i MOSFET a canale N ideali per applicazioni di commutazione ad alta efficienza.
Quando si seleziona un MOSFET N-Channel, gli ingegneri dovrebbero considerare parametri come la tensione drain-source (VDSS), la tensione gate-source (VGSS), la corrente di drain e la resistenza statica drain-source (RDS(ON)). Questi parametri determinano la capacità del MOSFET di gestire le tensioni e le correnti in una data applicazione, così come la sua efficienza e prestazione termica.
Il BS170, con il suo basso RDS(ON) e l'alta capacità di corrente di saturazione, è particolarmente adatto per applicazioni a bassa tensione e bassa corrente. Il suo design robusto e affidabile garantisce prestazioni stabili in condizioni variabili. Gli ingegneri dovrebbero anche considerare le caratteristiche termiche del MOSFET, inclusa la massima dissipazione di potenza e la resistenza termica, per garantire un funzionamento affidabile nell'intervallo di temperatura specificato.
In sintesi, il MOSFET N-Canale BS170 offre un equilibrio tra prestazioni, affidabilità ed efficienza, rendendolo un'opzione attraente per una varietà di applicazioni. La sua selezione dovrebbe basarsi su una valutazione approfondita dei requisiti elettrici e termici dell'applicazione.