Il BS170 è un MOSFET a canale N prodotto utilizzando la tecnologia DMOS ad alta densità di celle proprietaria di onsemi. Questo componente è progettato per offrire una bassa resistenza in stato on garantendo al contempo prestazioni di commutazione robuste, affidabili e veloci. È in grado di gestire fino a 500 mA di corrente di drain continua, rendendolo adatto per un'ampia gamma di applicazioni, in particolare quelle che richiedono bassa tensione e bassa corrente. Esempi includono il controllo di piccoli servomotori, driver di gate MOSFET di potenza e varie applicazioni di commutazione.
Caratterizzato da un design a celle ad alta densità, il BS170 fornisce una bassa RDS(ON), che è vantaggiosa per le applicazioni che richiedono una gestione efficiente della potenza. La sua elevata capacità di corrente di saturazione e la funzionalità di interruttore per piccoli segnali controllato in tensione lo rendono una scelta versatile per i progettisti. Inoltre, il BS170 è caratterizzato come robusto e affidabile, con un'elevata capacità di corrente di saturazione, rendendolo una scelta solida per ambienti esigenti.
Transistor
I transistor a effetto di campo (FET) come il BS170 sono dispositivi a semiconduttore ampiamente utilizzati nell'elettronica per la commutazione e l'amplificazione dei segnali. Il MOSFET a canale N, un tipo di FET, è progettato per condurre corrente tra i terminali di drain e source quando viene applicata una tensione positiva al terminale di gate. Ciò rende i MOSFET a canale N ideali per applicazioni di commutazione ad alta efficienza.
Quando si seleziona un MOSFET a canale N, gli ingegneri dovrebbero considerare parametri come la tensione drain-source (VDSS), la tensione gate-source (VGSS), la corrente di drain e la resistenza statica drain-source on (RDS(ON)). Questi parametri determinano la capacità del MOSFET di gestire le tensioni e le correnti in una data applicazione, nonché la sua efficienza e le prestazioni termiche.
Il BS170, con la sua bassa RDS(ON) e l'elevata capacità di corrente di saturazione, è particolarmente adatto per applicazioni a bassa tensione e bassa corrente. Il suo design robusto e affidabile garantisce prestazioni stabili in condizioni variabili. Gli ingegneri dovrebbero anche considerare le caratteristiche termiche del MOSFET, inclusa la massima dissipazione di potenza e la resistenza termica, per garantire un funzionamento affidabile entro l'intervallo di temperatura specificato.
In sintesi, il MOSFET a canale N BS170 offre un equilibrio tra prestazioni, affidabilità ed efficienza, rendendolo un'opzione attraente per una varietà di applicazioni. La sua selezione dovrebbe basarsi su una valutazione approfondita dei requisiti elettrici e termici dell'applicazione.