2N2222A: Transistor NPN, custodia TO-18, 40V VCEO, 800mA IC, 500mW PD
Central Semiconductor

Il Central Semiconductor 2N2222A è un transistor al silicio NPN epitassiale planare progettato principalmente per applicazioni di commutazione di piccoli segnali, di uso generale. Questo componente è incapsulato in un case metallico TO-18, offrendo un ingombro compatto per progetti dove lo spazio è limitato.

Le caratteristiche chiave del 2N2222A includono la sua capacità di gestire correnti continue del collettore fino a 800mA, rendendolo adatto per una vasta gamma di applicazioni. Inoltre, le sue robuste valutazioni massime, inclusa una tensione collettore-emettitore (VCEO) di 40V e una dissipazione di potenza (PD) di 500mW a 25°C di temperatura ambiente, garantiscono un funzionamento affidabile in varie condizioni. Il dispositivo mostra anche basse tensioni di saturazione e un alto guadagno di corrente (hFE) in un'ampia gamma di condizioni operative, migliorando ulteriormente la sua versatilità nella progettazione di circuiti.

Specifiche e caratteristiche chiave

  • Tensione Collettore-Emettitore (VCEO): 40V
  • Tensione Collettore-Base (VCBO): 75V
  • Tensione Emettitore-Base (VEBO): 6.0V
  • Corrente Collettore Continua (IC): 800mA
  • Dissipazione di Potenza (PD): 500mW
  • Temperatura di Funzionamento e Stoccaggio (TJ, Tstg): -65 a +200°C
  • Guadagno di Corrente (hFE): Fino a 300
  • Frequenza di Transizione (fT): 250-300MHz

2N2222A Scheda tecnica

2N2222A scheda tecnica (PDF)

2N2222A Sostituti
Parti equivalenti alternate che possono fungere da sostituto per 2N2222A, le parti più popolari per prime

Applicazioni

  • Elaborazione del segnale
  • Circuiti di commutazione
  • Amplificazione

Categoria

Transistor

Informazioni generali

I transistor NPN sono componenti fondamentali nei circuiti elettronici, agendo come amplificatori o interruttori. Questi dispositivi consistono di tre strati di materiale semiconduttore, con gli strati esterni di tipo n e lo strato centrale di tipo p, formando una configurazione NPN. Il funzionamento di un transistor NPN si basa sul controllo del flusso di corrente dal collettore all'emettitore, modulato dalla corrente di base.

Quando si seleziona un transistor NPN, le considerazioni principali includono le tensioni massime collettore-emettitore e collettore-base, la corrente massima del collettore, la dissipazione di potenza e il guadagno di corrente. Questi parametri determinano l'idoneità del transistor per applicazioni specifiche, che vanno dall'amplificazione di segnali a bassa potenza fino alla commutazione ad alta potenza.

Il 2N2222A, con il suo compatto case in metallo TO-18, è particolarmente adatto per applicazioni dove lo spazio è limitato e l'affidabilità è fondamentale. La sua capacità di gestire correnti e tensioni relativamente elevate, insieme al suo alto guadagno di corrente e basse tensioni di saturazione, lo rende una scelta versatile per un'ampia gamma di applicazioni.

Oltre alle specifiche elettriche, le caratteristiche termiche come la resistenza termica e l'intervallo di temperatura operativa sono importanti. Questi fattori influenzano la scelta del dissipatore di calore e l'affidabilità complessiva del transistor in varie condizioni operative.

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