Seri Nexperia BAT54,235 terdiri dari dioda penghalang Schottky planar yang menggabungkan cincin pelindung terintegrasi untuk perlindungan tegangan, membuatnya kuat untuk berbagai aplikasi. Dioda ini dikemas dalam paket plastik Surface-Mounted Device (SMD) SOT23 (TO-236AB) kecil, yang memungkinkan integrasi mudah ke dalam desain yang ringkas.
Menampilkan tegangan maju rendah dan kapasitansi rendah, dioda ini dioptimalkan untuk aplikasi switching kecepatan ultra tinggi. Mereka menawarkan kinerja yang efisien untuk terminasi saluran, penjepit tegangan, dan perlindungan polaritas terbalik. Dioda BAT54,235 cocok untuk desain yang memerlukan operasi kecepatan tinggi dan kehilangan daya minimal.
Dioda
Dioda penghalang Schottky adalah jenis dioda semikonduktor yang ditandai dengan penurunan tegangan maju yang rendah dan kecepatan switching yang cepat. Fitur-fitur ini membuatnya ideal untuk aplikasi frekuensi tinggi, penyearah daya, dan sebagai dioda penjepit untuk melindungi sirkuit dari lonjakan tegangan. Penurunan tegangan maju yang rendah menghasilkan kerugian daya yang lebih rendah dibandingkan dengan dioda sambungan p-n biasa, meningkatkan efisiensi keseluruhan dalam aplikasi.
Saat memilih dioda penghalang Schottky, insinyur harus mempertimbangkan parameter seperti tegangan balik maksimum, arus maju, disipasi daya, dan jenis kemasan. Pilihan dioda bergantung pada persyaratan spesifik aplikasi, termasuk frekuensi operasi, level tegangan, dan pertimbangan termal.
Cincin pelindung (guard ring) terintegrasi dalam beberapa dioda Schottky, seperti seri BAT54,235 oleh Nexperia, memberikan perlindungan tambahan terhadap tekanan dan meningkatkan keandalan dioda dalam kondisi yang keras. Fitur ini sangat penting dalam aplikasi di mana dioda terpapar transien tegangan tinggi atau tekanan mekanis.
Secara keseluruhan, dioda penghalang Schottky adalah komponen penting dalam desain elektronik modern, menawarkan kombinasi efisiensi, kecepatan, dan keandalan. Pemilihan dan integrasinya ke dalam sirkuit memerlukan pemahaman menyeluruh tentang tuntutan aplikasi dan karakteristik dioda.