1N5819HW-7-F on Schottky-barrierirektifioija, joka on suunniteltu pintaliitossovelluksiin. Sen huippu toistuva käänteisjännite (VRRM) on 40V ja keskimääräinen tasasuuntautunut lähtövirta (IO) on 1.0A. Laite tarjoaa alhaisen eteenpäin suuntautuvan jännitehäviön (VF) enintään 450mV, mikä edistää sen korkeaa tehokkuutta ja pientä tehohäviötä. Schottky-rectifier osoittaa myös pienen käänteisvuotovirran (IR) enintään 50µA, parantaen sen suorituskykyä korkean lämpötilan ympäristöissä.
Vartijarengasdie-rakenne tarjoaa transienttisuojan, varmistaen luotettavuuden ja vakauden transienttiolosuhteissa. Suuntaaja on kapseloitu SOD123-pakettiin, joka tunnetaan kompaktista koostaan ja kestävyydestään. Pakkausmateriaali on muovia, jolla on UL:n paloluokitus 94V-0, mikä osoittaa sen soveltuvuuden turvallisuuskriittisiin sovelluksiin.
Korkea ylijännitesuojakyky, korkea virtakyky ja matala eteenpäin jännitehäviö tekevät tästä laitteesta ihanteellisen erilaisiin sovelluksiin, mukaan lukien matalajännitteiset, korkeataajuusmuuntimet, vapaapyöräily ja polariteettisuojaus.
Diodi
Schottky-barreeridiodit ovat puolijohdediodeja, jotka on suunniteltu metalli-puolijohde-liitoksella, toisin kuin tavallisissa diodeissa, joissa on p-n-liitos. Tämä ainutlaatuinen rakenne mahdollistaa Schottky-diodien erittäin pienen etujännitteen ja nopeat kytkentäominaisuudet, mikä tekee niistä erittäin tehokkaita sovelluksissa, jotka vaativat suoristusta, jännitteen rajoitusta ja suojaa käänteiseltä polariteetilta.
Schottky-barreeridiodin valinnassa insinöörien tulisi harkita parametreja, kuten huipputoistuvaa käänteisjännitettä, keskimääräistä suoristettua lähtövirtaa, eteenpäin suuntautuvaa jännitehäviötä ja käänteisvuotovirtaa. Nämä parametrit ovat kriittisiä varmistettaessa, että diodi täyttää sovelluksen tehonkäsittely-, tehokkuus- ja lämpövaatimukset.
Schottky-diodit ovat laajalti käytössä virtalähteiden piireissä, jännitteensäätimissä ja DC-DC-muuntimissa niiden tehokkuuden ja nopean vasteen vuoksi. Niitä käytetään myös korkeataajuussovelluksissa, kuten RF-sekoittimissa ja detektoreissa, joissa niiden pieni eteenpäin suuntautuva jännitehäviö ja nopeat kytkentänopeudet ovat edullisia.
Teknisten spesifikaatioiden lisäksi pakkaustyyppi ja lämpöominaisuudet ovat myös tärkeitä huomioon otettavia seikkoja. Pakkauksen on tuettava sovelluksen lämmönpoistovaatimuksia, ja diodin käyttölämpötila-alueen on vastattava ympäristöolosuhteita, joissa laitetta käytetään.