RBR2MM40CTFTR: Diodo de Barrera Schottky, PMDU, 40V, 2A, Bajo VF
ROHM

El diodo de barrera Schottky RBR2MM40CTFTR está diseñado para propósitos generales de rectificación, ofreciendo una solución compacta con su pequeño paquete de molde de potencia PMDU. Este diodo se caracteriza por su alta fiabilidad y bajo voltaje directo (VF), lo que lo hace adecuado para aplicaciones que requieren rectificación de voltaje eficiente con pérdida de potencia mínima.

Su construcción se basa en la tecnología de planar epitaxial de silicio, lo que contribuye a su rendimiento estable y durabilidad. El diodo soporta un voltaje pico inverso repetitivo (VRM) de 40V y puede manejar una corriente rectificada hacia adelante promedio (IF) de 2A, con una corriente máxima de sobretensión hacia adelante (IFSM) de 30A. El rango de temperatura de unión de operación es de -55°C a 150°C, acomodando diversas condiciones ambientales.

Especificaciones y Características Clave

  • Paquete: PMDU (SOD-123FL)
  • Voltaje repetitivo máximo inverso (VRM): 40V
  • Corriente rectificada media hacia adelante (IF): 2A
  • Voltaje directo (VF): Máximo 0.54V
  • Corriente inversa (IR): Máximo 100µA
  • Pico de corriente directa no repetitiva (IFSM): 30A
  • Temperatura de la unión operativa (Tj): -55°C a 150°C

RBR2MM40CTFTR Sustitutos
Componentes alternativos equivalentes que pueden servir como sustituto de RBR2MM40CTFTR, los componentes más populares primero

Aplicaciones

  • Rectificación general

Categoría

Diodo

Información general

Los diodos de barrera Schottky son dispositivos semiconductores que se utilizan ampliamente en circuitos electrónicos para rectificación, sujeción de voltaje y como diodos de protección debido a su baja caída de voltaje directo y capacidades de conmutación rápidas. Son particularmente útiles en aplicaciones que requieren alta eficiencia y velocidad, como fuentes de alimentación, convertidores DC-DC y sistemas de frecuencia de radio (RF).

Al seleccionar un diodo Schottky, los parámetros importantes a considerar incluyen el voltaje máximo repetitivo de pico inverso, la corriente promedio hacia adelante, la caída de voltaje hacia adelante y las capacidades de disipación de potencia. El tipo de paquete y las características térmicas también son factores críticos que afectan el rendimiento del diodo y su idoneidad para aplicaciones específicas.

Los diodos Schottky ofrecen la ventaja de una caída de voltaje directo más baja en comparación con los diodos de unión PN convencionales, lo que resulta en menos pérdida de potencia y mayor eficiencia. Sin embargo, típicamente tienen corrientes de fuga inversa más altas, lo que puede ser una consideración en algunas aplicaciones. La elección del diodo dependerá de los requisitos específicos de la aplicación, incluyendo el voltaje de operación, niveles de corriente, velocidad de conmutación y restricciones térmicas.

Además de las especificaciones técnicas, la fiabilidad y calidad del diodo son esenciales para asegurar una operación estable y de largo plazo en diversas aplicaciones. Los fabricantes a menudo proporcionan hojas de datos detalladas y notas de aplicación para asistir a los ingenieros en la selección del diodo apropiado para sus necesidades.

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