RBR2MM40CTFTR: 肖特基屏障二極體,PMDU,40V,2A,低 VF
ROHM

RBR2MM40CTFTR肖特基屏障二極體專為一般整流目的設計,提供小功率模塑PMDU封裝的緊湊解決方案。該二極體以其高可靠性和低前向電壓(VF)為特點,適用於需要高效電壓整流且最小功率損失的應用。

其構造基於矽外延平面技術,這有助於其穩定的性能和耐用性。該二極體支持40V的重複峰值反向電壓(VRM)並且可以處理2A的平均正向整流電流(IF),最大正向突波電流(IFSM)為30A。工作結溫範圍從-55°C到150°C,適應各種環境條件。

關鍵規格和特點

  • 封裝:PMDU (SOD-123FL)
  • 重複峰值反向電壓(VRM):40V
  • 平均正向整流電流(IF):2A
  • 正向電壓(VF):最大0.54V
  • 反向電流(IR):最大100µA
  • 非重複正向電流衝擊峰值(IFSM):30A
  • 工作結點溫度(Tj):-55°C至150°C

RBR2MM40CTFTR 替代品
可作為RBR2MM40CTFTR的等效替代元件,最受歡迎的元件優先

應用

  • 一般整流

類別

二極體

一般資訊

肖特基屏障二極管是廣泛用於電子電路中的半導體裝置,用於整流、電壓箝位和作為保護二極管,因其低前向電壓降和快速切換能力而受到青睞。它們在需要高效率和速度的應用中特別有用,如電源、DC-DC轉換器和無線電頻率(RF)系統。

在選擇肖特基二極管時,重要的參數包括最大重複峰值反向電壓、平均正向電流、正向電壓降和功率耗散能力。封裝類型和熱特性也是影響二極管性能和適用性的關鍵因素。

肖特基二極體相較於傳統PN接面二極體提供了較低的前向電壓降,這導致較少的功率損失和更高的效率。然而,它們通常具有較高的反向漏電流,這在某些應用中可能需要考慮。二極體的選擇將取決於應用的具體要求,包括操作電壓、電流水平、切換速度和熱限制。

除了技術規格外,二極體的可靠性和質量對於確保在各種應用中的穩定和長期運行至關重要。製造商通常提供詳細的數據表和應用說明,以協助工程師選擇他們需求的適當二極體。

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