BS170: N 通道 MOSFET,60V,500mA,TO-92/SOT-23
onsemi

BS170 是使用 onsemi 專有的高電池密度 DMOS 技術生產的 N 通道 MOSFET。該元件旨在提供低導通電阻,同時確保堅固、可靠和快速的開關性能。它能夠處理高達 500 mA 的連續汲極電流,使其適用於廣泛的應用,特別是那些需要低電壓和低電流的應用。範例包括小型伺服馬達控制、功率 MOSFET 閘極驅動器和各種開關應用。

BS170 採用高密度單元設計,提供低 RDS(ON),這有利於需要高效電源管理的應用。其高飽和電流能力和電壓控制小訊號開關功能使其成為設計人員的多功能選擇。此外,BS170 具有堅固可靠的特點,具有高飽和電流能力,使其成為嚴苛環境的可靠選擇。

主要規格和功能

  • 汲極-源極電壓 (VDSS):60V
  • 閘極-源極電壓 (VGSS):±20V
  • 汲極電流 - 連續 (ID):500mA
  • 汲極電流 - 脈衝:1200mA (BS170),800mA (MMBF170)
  • 靜態汲極-源極導通電阻 (RDS(ON)):1.2Ω 至 5Ω
  • 閘極閾值電壓 (VGS(th)):0.8V 至 3V
  • 最大功耗:830mW (BS170),300mW (MMBF170)
  • 操作和儲存溫度範圍:-55°C 至 150°C

BS170 規格書

BS170 資料表 (PDF)

應用

  • 小型伺服馬達控制
  • 功率 MOSFET 閘極驅動器
  • 各種切換應用

類別

電晶體

一般資訊

場效電晶體 (FET)(如 BS170)是廣泛用於電子產品中進行切換和放大訊號的半導體元件。N 通道 MOSFET 是一種 FET,設計用於在閘極端子上施加正電壓時在汲極和源極端子之間傳導電流。這使得 N 通道 MOSFET 成為高效切換應用的理想選擇。

在選擇 N 通道 MOSFET 時,工程師應考慮汲極-源極電壓 (VDSS)、閘極-源極電壓 (VGSS)、汲極電流和靜態汲極-源極導通電阻 (RDS(ON)) 等參數。這些參數決定了 MOSFET 處理給定應用中電壓和電流的能力,以及其效率和熱性能。

BS170 具有低 RDS(ON) 和高飽和電流能力,特別適合低電壓、低電流應用。其堅固可靠的設計確保在不同條件下性能穩定。工程師還應考慮 MOSFET 的熱特性,包括最大功耗和熱阻,以確保在指定溫度範圍內可靠運行。

總之,BS170 N 通道 MOSFET 提供了性能、可靠性和效率的平衡,使其成為各種應用的有吸引力的選擇。其選擇應基於對應用電氣和熱需求的徹底評估。

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