BS170: N-通道 MOSFET，60V，500mA，TO-92/SOT-23

onsemi

BS170是一款N通道MOSFET，採用onsemi的專有高單元密度DMOS技術生產。這款元件旨在提供低導通電阻，同時確保堅固、可靠和快速的開關性能。它能夠處理高達500 mA的連續漏電流，適用於廣泛的應用，特別是那些需要低電壓和低電流的應用。例如小型伺服馬達控制、功率MOSFET閘驅動器和各種開關應用。

BS170具有高密度單元設計，提供低RDS(ON)，這對於需要高效功率管理的應用非常有益。其高飽和電流能力和電壓控制的小信號開關功能使其成為設計師的多功能選擇。此外，BS170以其堅固可靠的特點為特色，具有高飽和電流能力，使其成為要求苛刻環境中的堅固選擇。

• 漏源電壓（VDSS）：60V
• 閘源電壓（VGSS）：±20V
• 漏電流 - 連續（ID）：500mA
• 漏電流 - 脈衝：1200mA（BS170），800mA（MMBF170）
• 靜態漏源導通電阻（RDS(ON)）：1.2Ω至5Ω
• 閘閾電壓（VGS(th)）：0.8V至3V
• 最大功率消耗：830mW（BS170），300mW（MMBF170）
• 操作和儲存溫度範圍：-55°C至150°C

• 小型伺服馬達控制
• 功率 MOSFET 閘極驅動器
• 各種切換應用

場效應晶體管（FETs）如BS170是廣泛用於電子學中的半導體裝置，用於開關和放大信號。N通道MOSFET是一種FET，設計用於在閘極端子施加正電壓時在漏極和源極端子之間導通電流。這使N通道MOSFET非常適合高效率開關應用。

在選擇N通道MOSFET時，工程師應考慮參數，如漏源電壓（VDSS）、閘源電壓（VGSS）、漏電流以及靜態漏源對電阻（RDS(ON)）。這些參數決定了MOSFET在特定應用中處理電壓和電流的能力，以及其效率和熱性能。

BS170憑藉其低RDS(ON)和高飽和電流能力，特別適用於低電壓、低電流應用。其堅固可靠的設計確保在不同條件下的穩定性能。工程師還應考慮MOSFET的熱特性，包括最大功率消耗和熱阻，以確保在指定的溫度範圍內可靠運行。

總之，BS170 N通道MOSFET提供了性能、可靠性和效率的平衡，使其成為各種應用的有吸引力的選擇。其選擇應基於對應用的電氣和熱要求的徹底評估。