2N7000 是由 onsemi 開發的 N 通道 MOSFET，採用高電池密度 DMOS 技術。此元件旨在提供低導通電阻，同時確保可靠且快速的開關性能。它特別適合需要低電壓和低電流的應用，包括小型伺服馬達控制、功率 MOSFET 閘極驅動器和其他開關應用。
該元件採用高密度單元設計，有助於降低 RDS(on)，使其成為電源管理任務的高效選擇。其作為電壓控制小訊號開關的功能增加了其在各種電路設計中的多功能性。2N7000 系列以其堅固性和可靠性以及高飽和電流能力而聞名，使其成為尋求性能和耐用性的設計師的首選。
電晶體
N 通道 MOSFET 是一種場效電晶體 (FET)，廣泛用於電子電路中切換和放大信號。它們透過使用電場來控制源極和汲極端子之間的電流流動。N 通道 MOSFET 的特點是在閘極端子使用負電荷控制信號來啟用電流流動。
選擇 N 通道 MOSFET 時，工程師應考慮汲極-源極電壓 (VDSS)、閘極-源極電壓 (VGSS)、最大汲極電流 (ID)、功耗 (PD) 和熱阻等參數。這些參數對於確保 MOSFET 能夠處理所需的負載並在電路的操作條件下有效運作至關重要。
封裝的選擇（例如 2N7000 系列的 TO-92 或 SOT-23）在應用中也起著重要作用，影響熱管理和物理空間限制等因素。此外，靜態汲極-源極導通電阻 (RDS(on)) 是功率效率的重要考量因素，因為較低的值會導致操作期間的功率損耗較少。
N 通道 MOSFET 廣泛應用於從電源管理和調節到訊號處理的各種應用中。它們能夠快速切換並處理顯著的功率水平，同時保持效率，這使得它們在現代電子設計中不可或缺。