2N7000: N-通道 MOSFET，60V，200mA，TO-92，SOT-23

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onsemi 開發的 2N7000 是一款 N 通道 MOSFET，採用高單元密度 DMOS 技術。這個組件旨在提供低導通電阻，同時確保可靠和快速的切換性能。它特別適用於需要低電壓和低電流的應用，包括小型伺服電機控制、功率 MOSFET 門驅動器和其他切換應用。

該裝置具有高密度單元設計，有助於其低RDS(on)，使其成為功率管理任務的高效選擇。其作為電壓控制的小信號開關的功能增加了其在各種電路設計中的多樣性。2N7000系列以其堅固性和可靠性而聞名，並且具有高飽和電流能力，使其成為尋求性能和耐用性的設計師的首選。

• 漏源電壓（VDSS）： 60V
• 閘源電壓（VGSS）： ±20V（持續），±40V（非重複）
• 最大漏電流（ID）： 200mA（持續）
• 功率耗散（PD）： 400mW
• 結至環境的熱阻（RθJA）： 312.5°C/W
• 閘極臨界電壓（VGS(th))： 0.8V至3V
• 靜態漏源電阻（RDS(on))： 1.2Ω至5Ω
• 輸入電容（Ciss）： 20pF至50pF

• 小型伺服馬達控制
• 功率 MOSFET 閘極驅動器
• 各種低電壓、低電流切換應用

N 通道 MOSFET 是一種場效應晶體管（FET），廣泛用於電子電路中切換和放大信號。它們通過使用電場來控制源極和漏極端子之間的電流流動來運作。N 通道 MOSFET 的特點是在閘極端子使用負電荷控制信號來啟動電流流動。

在選擇N通道MOSFET時，工程師應考慮諸如漏源電壓（VDSS）、閘源電壓（VGSS）、最大漏電流（ID）、功率耗散（PD）和熱阻等參數。這些參數對於確保MOSFET能夠處理所需負載並在電路的操作條件內高效運作至關重要。

對於2N7000系列，封裝的選擇（如TO-92或SOT-23）也在應用中起著重要作用，影響著熱管理和物理空間限制等因素。此外，靜態漏源對電阻（RDS(on)）是功率效率的重要考慮因素，因為較低的值會在操作過程中導致較少的功率損失。

N通道MOSFET在從功率管理和調節到信號處理的廣泛應用中被利用。它們能夠快速切換並處理顯著的功率水平，同時保持效率，使它們在現代電子設計中不可或缺。