2N7002K เป็น N-Channel MOSFET ที่พัฒนาโดย onsemi มีแรงดัน drain-to-source (VDSS) 60V และกระแส drain สูงสุด (ID) 380mA ส่วนประกอบนี้บรรจุในแพ็คเกจ SOT-23 ขนาดกะทัดรัด ทำให้เหมาะสำหรับการใช้งานเทคโนโลยี surface mount (SMT) หนึ่งในคุณสมบัติหลักของ MOSFET นี้คือการป้องกัน ESD ซึ่งช่วยเพิ่มความน่าเชื่อถือในการใช้งานที่ละเอียดอ่อน
ออกแบบมาเพื่อใช้ในวงจรที่หลากหลาย 2N7002K โดดเด่นในบทบาทต่างๆ เช่น สวิตช์โหลดด้านต่ำ วงจรเลื่อนระดับ และตัวแปลง DC-DC นอกจากนี้ยังเหมาะอย่างยิ่งสำหรับการใช้งานแบบพกพา รวมถึงกล้องดิจิทัล PDA โทรศัพท์มือถือ และอื่นๆ ส่วนประกอบนี้ผ่านการรับรอง AEC-Q101 และมีความสามารถ PPAP ซึ่งบ่งบอกถึงความเหมาะสมสำหรับการใช้งานในยานยนต์และสถานการณ์อื่นๆ ที่ต้องการมาตรฐานคุณภาพและความน่าเชื่อถือที่เข้มงวด
ทรานซิสเตอร์
N-Channel MOSFET เป็นส่วนประกอบสำคัญในวงจรอิเล็กทรอนิกส์ ทำหน้าที่เป็นสวิตช์หรือตัวขยายสัญญาณ ช่วยให้สามารถควบคุมวงจรกำลังสูงด้วยสัญญาณแรงดันต่ำ ทำให้ขาดไม่ได้ในการจัดการพลังงาน การประมวลผลสัญญาณ และแอปพลิเคชันควบคุม เมื่อเลือก N-Channel MOSFET ข้อควรพิจารณาที่สำคัญได้แก่ แรงดันเดรน-ซอร์ส (VDSS), กระแสเดรน (ID), RDS(on) และประเภทแพ็คเกจ
MOSFET 2N7002K โดย onsemi โดดเด่นด้วยแพ็คเกจ SOT-23 ขนาดกะทัดรัดและการป้องกัน ESD ซึ่งนำเสนอการผสมผสานระหว่างประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือ ค่า RDS(on) ที่ต่ำช่วยให้มั่นใจถึงการทำงานที่มีประสิทธิภาพ ในขณะที่การป้องกัน ESD ช่วยเพิ่มความทนทานในสภาพแวดล้อมที่ละเอียดอ่อน เหมาะสำหรับการใช้งานทั้งในยานยนต์และอุปกรณ์พกพา MOSFET นี้เป็นตัวเลือกที่หลากหลายสำหรับวิศวกร
ในการเลือก MOSFET วิศวกรควรพิจารณาลักษณะทางความร้อนและการกระจายพลังงานเพื่อให้แน่ใจว่าอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ทำงานภายในพื้นที่การทำงานที่ปลอดภัย (SOA) ลักษณะทางความร้อนของ 2N7002K ทำให้เหมาะสำหรับการใช้งานที่มีพื้นที่จำกัดและการจัดการความร้อนเป็นเรื่องที่น่ากังวล
โดยรวมแล้ว 2N7002K เป็นตัวเลือกที่เชื่อถือได้ มีประสิทธิภาพ และอเนกประสงค์สำหรับการใช้งานที่หลากหลาย ตั้งแต่ระบบยานยนต์ไปจนถึงอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์พกพา ทำให้เป็นชิ้นส่วนที่มีค่าในชุดเครื่องมือของวิศวกร