2N7002-7-F: N-Channel MOSFET, 60V, 210mA, SOT-23, RDS(ON) 7.5Ω

Diodes Inc.

2N7002-7-F เป็น N-Channel Enhancement Mode MOSFET ที่ออกแบบมาเพื่อให้ความต้านทานในสถานะเปิดต่ำ (RDS(ON)) ในขณะที่ยังคงประสิทธิภาพการสวิตช์ที่เหนือกว่า MOSFET นี้มีแรงดันเดรน-ซอร์สสูงสุด (VDSS) ที่ 60V กระแสเดรนต่อเนื่อง (ID) ที่ 210mA และ RDS(ON) สูงสุดที่ 7.5Ω ที่แรงดันเกต-ซอร์ส (VGS) 5V การออกแบบได้รับการปรับให้เหมาะสมสำหรับประสิทธิภาพสูงในการใช้งานจัดการพลังงาน โดยรวมแรงดันขีดเริ่มเกตที่ต่ำ ความจุอินพุตต่ำ และความเร็วในการสวิตช์ที่รวดเร็วในแพ็คเกจ SOT-23 แบบยึดผิวขนาดเล็ก

ส่วนประกอบนี้เหมาะสำหรับการใช้งานที่หลากหลาย รวมถึงการควบคุมมอเตอร์และฟังก์ชันการจัดการพลังงาน ซึ่งการจัดการพลังงานที่มีประสิทธิภาพและประสิทธิภาพที่เชื่อถือได้เป็นสิ่งสำคัญ 2N7002-7-F ผลิตโดย Diodes Inc. และเป็นไปตามมาตรฐาน RoHS อย่างสมบูรณ์ ทำให้เป็นตัวเลือกที่เหมาะสมสำหรับการใช้งานที่คำนึงถึงสิ่งแวดล้อม

• แรงดันเดรน-ซอร์ส (VDSS): 60V
• กระแสเดรนต่อเนื่อง (ID): 210mA
• ความต้านทานขณะนำกระแสระหว่างเดรน-ซอร์ส (RDS(ON)): 7.5Ω ที่ VGS=5V
• แรงดันเกต-ซอร์ส (VGSS): ±20V ต่อเนื่อง, ±40V แบบพัลส์
• การกระจายกำลัง (PD): 370mW ที่ TA=25°C
• ความต้านทานความร้อน, รอยต่อสู่บรรยากาศ (RθJA): 348°C/W
• แพ็คเกจ: SOT-23

• การควบคุมมอเตอร์
• ฟังก์ชันการจัดการพลังงาน

N-Channel Enhancement Mode MOSFET ถูกใช้อย่างกว้างขวางในวงจรอิเล็กทรอนิกส์เนื่องจากประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือในการใช้งานสวิตชิ่ง ส่วนประกอบเหล่านี้ทำงานโดยอนุญาตให้กระแสไหลระหว่างขั้วเดรนและซอร์สเมื่อมีการใช้แรงดันไฟฟ้าที่เพียงพอกับขั้วเกต ซึ่งทำหน้าที่เป็นสวิตช์ได้อย่างมีประสิทธิภาพ การกำหนด N-Channel หมายถึงประเภทของพาหะประจุ (อิเล็กตรอน) ที่นำกระแสผ่านอุปกรณ์

เมื่อเลือก N-Channel MOSFET วิศวกรจะพิจารณาพารามิเตอร์หลักหลายประการ รวมถึงแรงดันเดรน-ซอร์ส (VDSS), กระแสเดรน (ID), และความต้านทานเดรน-ซอร์สขณะนำกระแส (RDS(ON)) พารามิเตอร์เหล่านี้กำหนดความสามารถของ MOSFET ในการจัดการกับความต้องการแรงดันและกระแสของแอปพลิเคชัน รวมถึงประสิทธิภาพของมัน แรงดันเกต-ซอร์ส (VGSS) ก็มีความสำคัญเช่นกัน เนื่องจากมีผลต่อแรงดันที่ต้องใช้ในการเปิดและปิดอุปกรณ์

ในการใช้งานที่ต้องการการจัดการพลังงานที่มีประสิทธิภาพและการสวิตชิ่งที่รวดเร็ว ค่า RDS(ON) ที่ต่ำและความเร็วในการสวิตชิ่งที่รวดเร็วของ MOSFET นั้นมีค่าอย่างยิ่ง ขนาดแพ็คเกจที่เล็ก เช่น SOT-23 ยังเป็นข้อได้เปรียบสำหรับการออกแบบที่มีพื้นที่จำกัด นอกจากนี้ การปฏิบัติตามมาตรฐานสิ่งแวดล้อม เช่น RoHS มักเป็นข้อพิจารณาในการเลือกส่วนประกอบ

โดยรวมแล้ว N-Channel MOSFETs เช่น 2N7002-7-F มีความสำคัญสำหรับการใช้งานที่หลากหลาย ตั้งแต่การควบคุมมอเตอร์ไปจนถึงฟังก์ชันการจัดการพลังงาน ซึ่งต้องการการสวิตชิ่งพลังงานที่มีประสิทธิภาพและเชื่อถือได้