RBR2MM40CTFTR: Diodo de Barreira Schottky, PMDU, 40V, 2A, Baixo VF
ROHM

O diodo de barreira Schottky RBR2MM40CTFTR é projetado para fins de retificação geral, oferecendo uma solução compacta com seu pequeno pacote de molde de potência PMDU. Este diodo é caracterizado por sua alta confiabilidade e baixa tensão direta (VF), tornando-o adequado para aplicações que exigem retificação de tensão eficiente com perda mínima de potência.

Sua construção é baseada na tecnologia de plano epitaxial de silício, o que contribui para seu desempenho estável e durabilidade. O diodo suporta uma tensão reversa de pico repetitiva (VRM) de 40V e pode lidar com uma corrente retificada média para frente (IF) de 2A, com uma corrente de surto máxima para frente (IFSM) de 30A. A faixa de temperatura de junção operacional é de -55°C a 150°C, acomodando várias condições ambientais.

Especificações e Características Chave

  • Pacote: PMDU (SOD-123FL)
  • Tensão Reversa Repetitiva de Pico (VRM): 40V
  • Corrente Média Retificada para Frente (IF): 2A
  • Tensão Direta (VF): Máximo 0,54V
  • Corrente Reversa (IR): Máximo 100µA
  • Pico de Corrente Direta Não Repetitiva (IFSM): 30A
  • Temperatura de Junção Operacional (Tj): -55°C a 150°C

RBR2MM40CTFTR Substitutos
Partes alternativas equivalentes que podem servir como substituto para RBR2MM40CTFTR, as partes mais populares primeiro

Aplicações

  • Retificação geral

Categoria

Diodo

Informações gerais

Diodos de barreira Schottky são dispositivos semicondutores amplamente usados em circuitos eletrônicos para retificação, limitação de tensão e como diodos de proteção devido à sua baixa queda de tensão direta e capacidades de comutação rápida. Eles são particularmente úteis em aplicações que requerem alta eficiência e velocidade, como fontes de alimentação, conversores DC-DC e sistemas de frequência de rádio (RF).

Ao selecionar um diodo Schottky, parâmetros importantes a considerar incluem a tensão reversa de pico repetitiva máxima, corrente adiante média, queda de tensão adiante e capacidades de dissipação de potência. O tipo de encapsulamento e as características térmicas também são fatores críticos que afetam o desempenho e a adequação do diodo para aplicações específicas.

Os diodos Schottky oferecem a vantagem de uma queda de tensão direta mais baixa em comparação com os diodos de junção PN convencionais, o que resulta em menos perda de potência e maior eficiência. No entanto, eles tipicamente têm correntes de fuga reversa mais altas, o que pode ser uma consideração em algumas aplicações. A escolha do diodo dependerá dos requisitos específicos da aplicação, incluindo a tensão de operação, níveis de corrente, velocidade de comutação e restrições térmicas.

Além das especificações técnicas, a confiabilidade e qualidade do diodo são essenciais para garantir uma operação estável e de longo prazo em várias aplicações. Os fabricantes frequentemente fornecem folhas de dados detalhadas e notas de aplicação para auxiliar os engenheiros na seleção do diodo apropriado para suas necessidades.

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