: MOSFET Canal N, 50V, 220mA, SOT-23

O BSS138BKAHZGT116 é um MOSFET de Canal N produzido pela ROHM, concebido para aplicações de comutação de baixa potência. Este componente funciona como um interruptor que pode controlar o fluxo de energia elétrica num circuito sem partes móveis, utilizando as propriedades elétricas do silício. Caracteriza-se pela sua capacidade de gerir energia de forma eficiente com perdas mínimas, tornando-o adequado para uma vasta gama de circuitos eletrónicos.

Apresentando uma tensão máxima dreno-fonte (Vds) de 50V e uma corrente de dreno contínua (Id) de 220mA, é otimizado para aplicações de baixa tensão onde a eficiência energética é crucial. O pacote SOT-23 é amplamente utilizado devido ao seu tamanho compacto, tornando-o adequado para aplicações com restrição de espaço. A baixa resistência "on" e a alta velocidade de comutação do BSS138BKAHZGT116 aumentam ainda mais seu desempenho em aplicações de comutação.

Principais Especificações e Recursos

  • Tipo: MOSFET Canal N
  • Tensão Máxima Dreno-Fonte (Vds): 50V
  • Corrente Contínua de Dreno (Id): 220mA
  • Pacote: SOT-23
  • Dissipação de Potência: Não Especificada
  • Tensão Limiar de Gate: Não Especificada
  • Resistência Ligada (On-Resistance): Não Especificada

Datasheet

Datasheet (PDF)

Aplicações

  • Aplicações de comutação de baixa potência
  • Circuitos de gestão de energia
  • Dispositivos alimentados por bateria
  • Drivers de carga/comutação

Categoria

Transístor

Informação geral

MOSFETs (Transístores de Efeito de Campo de Metal-Óxido-Semicondutor) são um tipo de transístor usado em circuitos eletrónicos para comutar ou amplificar sinais. São amplamente apreciados pela sua alta impedância de entrada e baixo consumo de energia, tornando-os componentes essenciais no design eletrónico moderno. MOSFETs de Canal N, em particular, são concebidos para conduzir corrente quando uma tensão positiva é aplicada à porta em relação à fonte.

Ao selecionar um MOSFET para uma aplicação específica, é importante considerar parâmetros como a tensão máxima dreno-fonte (Vds), corrente contínua de dreno (Id) e tipo de encapsulamento. Esses parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de lidar com os níveis de tensão e corrente em seu circuito. A resistência ligada (Rds(on)) é outra especificação crucial, pois afeta a perda de potência e a eficiência do dispositivo.

MOSFETs são usados em uma variedade de aplicações, incluindo conversão de energia, controle de motores e comutação de sinais. A escolha de um MOSFET depende dos requisitos específicos da aplicação, como a tensão de operação, capacidade de manuseio de corrente e restrições de tamanho físico. Também é importante considerar o gerenciamento térmico do dispositivo, pois MOSFETs podem gerar calor significativo durante a operação.

Em resumo, os MOSFETs desempenham um papel crítico na eletrônica moderna, oferecendo uma solução versátil para controlar a potência em uma ampla gama de aplicações. Entender as principais especificações e como elas se relacionam com os requisitos da sua aplicação é essencial para selecionar o MOSFET correto.

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