BSS138BKAHZGT116: MOSFET de Canal N, 50V, 220mA, SOT-23
ROHM

O BSS138BKAHZGT116 é um MOSFET N-Channel produzido pela ROHM, projetado para aplicações de comutação de baixa potência. Este componente opera como um interruptor que pode controlar o fluxo de energia elétrica em um circuito sem partes móveis, utilizando as propriedades elétricas do silício. Ele é caracterizado por sua capacidade de gerenciar eficientemente a energia com perdas mínimas, tornando-o adequado para uma ampla gama de circuitos eletrônicos.

Com uma tensão máxima dreno-fonte (Vds) de 50V e uma corrente contínua de dreno (Id) de 220mA, ele é otimizado para aplicações de baixa tensão onde a eficiência energética é crucial. O pacote SOT-23 é amplamente utilizado devido ao seu tamanho compacto, tornando-o adequado para aplicações com restrição de espaço. A baixa resistência no estado ligado e a alta velocidade de comutação do BSS138BKAHZGT116 aprimoram ainda mais seu desempenho em aplicações de comutação.

Especificações e Características Chave

  • Tipo: MOSFET de Canal N
  • Tensão Máxima Dreno-Fonte (Vds): 50V
  • Corrente Contínua de Dreno (Id): 220mA
  • Pacote: SOT-23
  • Dissipação de Potência: Não Especificado
  • Tensão de Limiar da Porta: Não Especificado
  • Resistência Ligada: Não Especificado

Ficha Técnica de BSS138BKAHZGT116

BSS138BKAHZGT116 folha de dados (PDF)

BSS138BKAHZGT116 Substitutos
Partes alternativas equivalentes que podem servir como substituto para BSS138BKAHZGT116, as partes mais populares primeiro

Aplicações

  • Aplicações de comutação de baixa potência
  • Circuitos de gerenciamento de energia
  • Dispositivos alimentados por bateria
  • Drivers de carga/interruptor

Categoria

Transistor

Informações gerais

Os MOSFETs (Transistores de Efeito de Campo de Óxido Metálico-Semicondutor) são um tipo de transistor usado em circuitos eletrônicos para comutar ou amplificar sinais. Eles são amplamente apreciados por sua alta impedância de entrada e baixo consumo de energia, tornando-os componentes essenciais no design eletrônico moderno. Os MOSFETs de Canal N, em particular, são projetados para conduzir corrente quando uma tensão positiva é aplicada ao portão em relação à fonte.

Ao selecionar um MOSFET para uma aplicação específica, é importante considerar parâmetros como a tensão máxima dreno-fonte (Vds), corrente contínua de dreno (Id) e tipo de pacote. Esses parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de lidar com os níveis de tensão e corrente em seu circuito. A resistência de ligação (Rds(on)) é outra especificação crucial, pois afeta a perda de potência e eficiência do dispositivo.

MOSFETs são usados em uma variedade de aplicações, incluindo conversão de energia, controle de motores e comutação de sinais. A escolha de um MOSFET depende dos requisitos específicos da aplicação, como a tensão de operação, capacidade de manuseio de corrente e restrições de tamanho físico. Também é importante considerar o gerenciamento térmico do dispositivo, pois os MOSFETs podem gerar calor significativo durante a operação.

Em resumo, MOSFETs desempenham um papel crítico na eletrônica moderna, oferecendo uma solução versátil para controle de potência em uma ampla gama de aplicações. Entender as especificações-chave e como elas se relacionam com os requisitos da sua aplicação é essencial para selecionar o MOSFET certo.

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