O BS170 é um MOSFET de Canal N produzido usando a tecnologia DMOS de alta densidade de células proprietária da onsemi. Este componente é projetado para oferecer baixa resistência no estado ligado, garantindo desempenho de comutação robusto, confiável e rápido. É capaz de lidar com até 500 mA de corrente de dreno contínua, tornando-o adequado para uma ampla gama de aplicações, particularmente aquelas que requerem baixa tensão e baixa corrente. Exemplos incluem controle de pequenos servomotores, drivers de gate de MOSFET de potência e várias aplicações de comutação.
Apresentando um design de célula de alta densidade, o BS170 fornece um baixo RDS(ON), o que é benéfico para aplicações que requerem gerenciamento eficiente de energia. Sua alta capacidade de corrente de saturação e funcionalidade de interruptor de pequeno sinal controlado por tensão tornam-no uma escolha versátil para designers. Além disso, o BS170 é caracterizado como robusto e confiável, com alta capacidade de corrente de saturação, tornando-o uma escolha sólida para ambientes exigentes.
Transístor
Transistores de Efeito de Campo (FETs) como o BS170 são dispositivos semicondutores amplamente utilizados em eletrônica para comutação e amplificação de sinais. O MOSFET de Canal N, um tipo de FET, é projetado para conduzir corrente entre os terminais de dreno e fonte quando uma tensão positiva é aplicada ao terminal do gate. Isso torna os MOSFETs de Canal N ideais para aplicações de comutação de alta eficiência.
Ao selecionar um MOSFET Canal N, os engenheiros devem considerar parâmetros como tensão dreno-fonte (VDSS), tensão porta-fonte (VGSS), corrente de dreno e resistência estática dreno-fonte ligado (RDS(ON)). Esses parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de lidar com as tensões e correntes em uma determinada aplicação, bem como sua eficiência e desempenho térmico.
O BS170, com o seu baixo RDS(ON) e alta capacidade de corrente de saturação, é particularmente adequado para aplicações de baixa tensão e baixa corrente. O seu design robusto e fiável garante um desempenho estável sob condições variáveis. Os engenheiros devem também considerar as características térmicas do MOSFET, incluindo a dissipação máxima de potência e a resistência térmica, para garantir uma operação fiável dentro da faixa de temperatura especificada.
Em resumo, o MOSFET de Canal N BS170 oferece um equilíbrio de desempenho, confiabilidade e eficiência, tornando-o uma opção atraente para uma variedade de aplicações. Sua seleção deve ser baseada em uma avaliação completa dos requisitos elétricos e térmicos da aplicação.