O BS170 é um MOSFET N-Channel produzido usando a tecnologia DMOS de alta densidade de células proprietária da onsemi. Este componente é projetado para oferecer baixa resistência no estado ligado, garantindo desempenho de comutação rápido, robusto e confiável. Ele é capaz de lidar com até 500 mA de corrente de dreno contínua, tornando-o adequado para uma ampla gama de aplicações, particularmente aquelas que requerem baixa tensão e baixa corrente. Exemplos incluem controle de pequenos motores servo, drivers de porta de MOSFET de potência e várias aplicações de comutação.
Com um design de célula de alta densidade, o BS170 oferece um baixo RDS(ON), que é benéfico para aplicações que requerem gerenciamento eficiente de potência. Sua capacidade de corrente de saturação alta e funcionalidade de chave de sinal pequeno controlada por tensão o tornam uma escolha versátil para designers. Além disso, o BS170 é caracterizado como robusto e confiável, com alta capacidade de corrente de saturação, tornando-o uma escolha sólida para ambientes exigentes.
Transistor
Transistores de Efeito de Campo (FETs) como o BS170 são dispositivos semicondutores amplamente utilizados em eletrônica para comutação e amplificação de sinais. O MOSFET de canal N, um tipo de FET, é projetado para conduzir corrente entre os terminais de dreno e fonte quando uma tensão positiva é aplicada ao terminal de porta. Isso torna os MOSFETs de canal N ideais para aplicações de comutação de alta eficiência.
Ao selecionar um MOSFET N-Channel, engenheiros devem considerar parâmetros como tensão dreno-fonte (VDSS), tensão porta-fonte (VGSS), corrente de dreno e resistência dreno-fonte estática (RDS(ON)). Esses parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de lidar com as tensões e correntes em uma dada aplicação, bem como sua eficiência e desempenho térmico.
O BS170, com seu baixo RDS(ON) e alta capacidade de corrente de saturação, é particularmente adequado para aplicações de baixa tensão e baixa corrente. Seu design robusto e confiável garante um desempenho estável sob condições variáveis. Engenheiros também devem considerar as características térmicas do MOSFET, incluindo dissipação máxima de potência e resistência térmica, para garantir uma operação confiável dentro da faixa de temperatura especificada.
Em resumo, o BS170 MOSFET de Canal N oferece um equilíbrio de desempenho, confiabilidade e eficiência, tornando-o uma opção atraente para uma variedade de aplicações. Sua seleção deve ser baseada em uma avaliação completa dos requisitos elétricos e térmicos da aplicação.