O 2N7000 é um MOSFET de Canal N desenvolvido pela onsemi usando tecnologia DMOS de alta densidade celular. Este componente é projetado para oferecer baixa resistência no estado ligado enquanto garante desempenho de comutação rápido e confiável. É particularmente adequado para aplicações que exigem baixa tensão e baixa corrente, incluindo controle de pequenos motores servo, drivers de porta de MOSFET de potência e outras aplicações de comutação.
O dispositivo apresenta um design de célula de alta densidade que contribui para seu baixo RDS(on), tornando-o uma escolha eficiente para tarefas de gerenciamento de energia. Sua capacidade de funcionar como um interruptor de sinal pequeno controlado por tensão adiciona à sua versatilidade em vários designs de circuito. A série 2N7000 é conhecida por sua robustez e confiabilidade, juntamente com uma alta capacidade de corrente de saturação, tornando-a uma escolha preferida para projetistas em busca de desempenho e durabilidade.
Transistores
MOSFETs N-Channel são um tipo de transistor de efeito de campo (FET) amplamente usado em circuitos eletrônicos para comutação e amplificação de sinais. Eles operam usando um campo elétrico para controlar o fluxo de corrente entre os terminais de fonte e dreno. MOSFETs N-Channel são caracterizados pelo uso de um sinal de controle carregado negativamente no terminal de porta para permitir o fluxo de corrente.
Ao selecionar um MOSFET de Canal N, os engenheiros devem considerar parâmetros como a tensão dreno-fonte (VDSS), tensão porta-fonte (VGSS), corrente máxima de dreno (ID), dissipação de potência (PD) e resistência térmica. Esses parâmetros são críticos para garantir que o MOSFET possa lidar com a carga necessária e operar de forma eficiente dentro das condições de operação do circuito.
A escolha da embalagem (como TO-92 ou SOT-23 para a série 2N7000) também desempenha um papel significativo na aplicação, afetando fatores como gerenciamento térmico e restrições de espaço físico. Além disso, a resistência estática dreno-fonte (RDS(on)) é uma consideração importante para a eficiência energética, pois valores mais baixos resultam em menos perda de energia durante a operação.
MOSFETs de canal N são utilizados em uma ampla gama de aplicações, desde gerenciamento e regulação de energia até processamento de sinais. Sua capacidade de comutar rapidamente e lidar com níveis significativos de potência, mantendo a eficiência, os torna indispensáveis no design eletrônico moderno.