O 2N7000 é um MOSFET de Canal N desenvolvido pela onsemi utilizando tecnologia DMOS de alta densidade celular. Este componente foi concebido para oferecer baixa resistência no estado ligado, garantindo ao mesmo tempo um desempenho de comutação fiável e rápido. É particularmente adequado para aplicações que requerem baixa tensão e baixa corrente, incluindo controlo de pequenos servomotores, drivers de porta de MOSFET de potência e outras aplicações de comutação.
O dispositivo apresenta um design de célula de alta densidade que contribui para seu baixo RDS(on), tornando-o uma escolha eficiente para tarefas de gerenciamento de energia. Sua capacidade de funcionar como um interruptor de pequeno sinal controlado por tensão aumenta sua versatilidade em vários designs de circuitos. A série 2N7000 é conhecida por sua robustez e confiabilidade, juntamente com uma alta capacidade de corrente de saturação, tornando-a uma escolha preferida para designers que buscam desempenho e durabilidade.
Transistores
MOSFETs de Canal N são um tipo de transistor de efeito de campo (FET) amplamente utilizados em circuitos eletrônicos para comutação e amplificação de sinais. Eles operam usando um campo elétrico para controlar o fluxo de corrente entre os terminais de fonte e dreno. MOSFETs de Canal N são caracterizados pelo uso de um sinal de controle carregado negativamente no terminal do gate para permitir o fluxo de corrente.
Ao selecionar um MOSFET de Canal N, os engenheiros devem considerar parâmetros como tensão dreno-fonte (VDSS), tensão gate-fonte (VGSS), corrente máxima de dreno (ID), dissipação de potência (PD) e resistência térmica. Esses parâmetros são críticos para garantir que o MOSFET possa lidar com a carga necessária e operar eficientemente dentro das condições de operação do circuito.
A escolha do encapsulamento (como TO-92 ou SOT-23 para a série 2N7000) também desempenha um papel significativo na aplicação, afetando fatores como gerenciamento térmico e restrições de espaço físico. Além disso, a resistência estática dreno-fonte no estado ligado (RDS(on)) é uma consideração importante para a eficiência energética, pois valores mais baixos resultam em menos perda de energia durante a operação.
MOSFETs de Canal N são utilizados em uma ampla gama de aplicações, desde gerenciamento e regulação de energia até processamento de sinal. Sua capacidade de comutar rapidamente e lidar com níveis de potência significativos, mantendo a eficiência, os torna indispensáveis no design eletrônico moderno.