O Central Semiconductor 2N2222A é um transistor de silício NPN epitaxial planar projetado principalmente para aplicações de comutação de pequenos sinais, de propósito geral. Este componente é encapsulado em um estojo metálico TO-18, oferecendo uma pegada compacta para designs onde o espaço é limitado.
Principais características do 2N2222A incluem sua capacidade de suportar correntes contínuas de coletor de até 800mA, tornando-o adequado para uma ampla gama de aplicações. Além disso, suas robustas classificações máximas, incluindo uma tensão coletor-emissor (VCEO) de 40V e uma dissipação de potência (PD) de 500mW a uma temperatura ambiente de 25°C, garantem operação confiável sob várias condições. O dispositivo também exibe baixas tensões de saturação e alto ganho de corrente (hFE) em uma faixa de condições operacionais, aumentando ainda mais sua versatilidade no design de circuitos.
Transistor
Transistores NPN são componentes fundamentais em circuitos eletrônicos, atuando como amplificadores ou interruptores. Esses dispositivos consistem em três camadas de material semicondutor, com as camadas externas sendo do tipo n e a camada do meio sendo do tipo p, formando uma configuração NPN. A operação de um transistor NPN baseia-se no controle do fluxo de corrente do coletor para o emissor, modulado pela corrente de base.
Ao selecionar um transistor NPN, considerações chave incluem as tensões máximas coletor-emissor e coletor-base, a corrente máxima do coletor, dissipação de potência e ganho de corrente. Esses parâmetros determinam a adequação do transistor para aplicações específicas, variando de amplificação de sinal de baixa potência a comutação de alta potência.
O 2N2222A, com seu compacto encapsulamento metálico TO-18, é particularmente adequado para aplicações onde o espaço é limitado e a confiabilidade é primordial. Sua capacidade de lidar com correntes e tensões relativamente altas, juntamente com seu alto ganho de corrente e baixas tensões de saturação, o torna uma escolha versátil para uma ampla gama de aplicações.
Além das especificações elétricas, características térmicas como resistência térmica e faixa de temperatura operacional também são importantes. Esses fatores influenciam a escolha do dissipador de calor e a confiabilidade geral do transistor em várias condições operacionais.