2N2222A: Transistor NPN, encapsulamento TO-18, 40V VCEO, 800mA IC, 500mW PD
Central Semiconductor

O Central Semiconductor 2N2222A é um transistor planar epitaxial NPN de silício projetado principalmente para aplicações de comutação de uso geral e pequenos sinais. Este componente é encapsulado em um invólucro metálico TO-18, oferecendo um footprint compacto para designs onde o espaço é escasso.

As principais características do 2N2222A incluem sua capacidade de lidar com correntes contínuas de coletor de até 800mA, tornando-o adequado para uma ampla gama de aplicações. Além disso, suas classificações máximas robustas, incluindo uma tensão coletor-emissor (VCEO) de 40V e uma dissipação de potência (PD) de 500mW a 25°C de temperatura ambiente, garantem uma operação confiável sob várias condições. O dispositivo também exibe baixas tensões de saturação e alto ganho de corrente (hFE) em uma variedade de condições de operação, aumentando ainda mais sua versatilidade no projeto de circuitos.

Principais Especificações e Recursos

  • Tensão Coletor-Emissor (VCEO): 40V
  • Tensão Coletor-Base (VCBO): 75V
  • Tensão Emissor-Base (VEBO): 6.0V
  • Corrente Contínua de Coletor (IC): 800mA
  • Dissipação de Potência (PD): 500mW
  • Temperatura de Junção de Operação e Armazenamento (TJ, Tstg): -65 a +200°C
  • Ganho de Corrente (hFE): Até 300
  • Frequência de Transição (fT): 250-300MHz

Datasheet 2N2222A

Datasheet 2N2222A (PDF)

Substitutos de 2N2222A
Componentes alternativos equivalentes que podem servir como substitutos para 2N2222A, componentes mais populares primeiro

Aplicações

  • Processamento de sinal
  • Circuitos de comutação
  • Amplificação

Categoria

Transístor

Informação geral

Transistores NPN são componentes fundamentais em circuitos eletrônicos, atuando como amplificadores ou interruptores. Esses dispositivos consistem em três camadas de material semicondutor, sendo as camadas externas do tipo n e a camada intermediária do tipo p, formando uma configuração NPN. A operação de um transistor NPN baseia-se no controle do fluxo de corrente do coletor para o emissor, modulado pela corrente da base.

Ao selecionar um transistor NPN, as principais considerações incluem as tensões máximas coletor-emissor e coletor-base, a corrente máxima de coletor, a dissipação de potência e o ganho de corrente. Esses parâmetros determinam a adequação do transistor para aplicações específicas, variando de amplificação de sinal de baixa potência a comutação de alta potência.

O 2N2222A, com seu encapsulamento metálico compacto TO-18, é particularmente adequado para aplicações onde o espaço é limitado e a confiabilidade é fundamental. Sua capacidade de lidar com correntes e tensões relativamente altas, juntamente com seu alto ganho de corrente e baixas tensões de saturação, torna-o uma escolha versátil para uma ampla gama de aplicações.

Além das especificações elétricas, características térmicas como resistência térmica e faixa de temperatura de operação também são importantes. Esses fatores influenciam a escolha do dissipador de calor e a confiabilidade geral do transistor em várias condições de operação.

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