BS170: MOSFET de Canal N, 60V, 500mA, TO-92/SOT-23
onsemi

O BS170 é um MOSFET de Canal-N produzido usando a tecnologia DMOS de alta densidade celular da onsemi. Este componente é projetado para oferecer baixa resistência no estado ligado enquanto garante desempenho de comutação rápido, confiável e robusto. É capaz de lidar com até 500 mA de corrente de dreno contínua, tornando-o adequado para uma ampla gama de aplicações, particularmente aquelas que requerem baixa tensão e baixa corrente. Exemplos incluem controle de pequenos servomotores, drivers de portão de MOSFET de potência e várias aplicações de comutação.

Com um design de célula de alta densidade, o BS170 oferece um baixo RDS(ON), que é benéfico para aplicações que requerem gerenciamento eficiente de energia. Sua capacidade de corrente de saturação alta e funcionalidade de chaveamento de sinal pequeno controlada por tensão o tornam uma escolha versátil para projetistas. Além disso, o BS170 é caracterizado como robusto e confiável, com alta capacidade de corrente de saturação, tornando-o uma escolha sólida para ambientes exigentes.

Especificações e Características Chave

  • Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 60V
  • Tensão Porta-Fonte (VGSS): ±20V
  • Corrente de Dreno - Contínua (ID): 500mA
  • Corrente de Dreno - Pulsada: 1200mA (BS170), 800mA (MMBF170)
  • Resistência Estática Dreno-Fonte Ligada (RDS(ON)): 1.2Ω a 5Ω
  • Tensão de Limiar da Porta (VGS(th)): 0.8V a 3V
  • Dissipação Máxima de Potência: 830mW (BS170), 300mW (MMBF170)
  • Faixa de Temperatura de Operação e Armazenamento: -55°C a 150°C

BS170 Datasheet

BS170 folha de dados (PDF)

Aplicações

  • Controle de pequenos motores servo
  • Drivers de porta de MOSFET de potência
  • Várias aplicações de comutação

Categoria

Transistor

Informações gerais

Transistores de Efeito de Campo (FETs) como o BS170 são dispositivos semicondutores amplamente utilizados em eletrônica para comutação e amplificação de sinais. O MOSFET N-Channel, um tipo de FET, é projetado para conduzir corrente entre os terminais de dreno e fonte quando uma tensão positiva é aplicada ao terminal de porta. Isso torna os MOSFETs N-Channel ideais para aplicações de comutação de alta eficiência.

Ao selecionar um MOSFET de canal N, os engenheiros devem considerar parâmetros como tensão dreno-fonte (VDSS), tensão porta-fonte (VGSS), corrente de dreno e resistência dreno-fonte estática (RDS(ON)). Esses parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de lidar com as tensões e correntes em uma determinada aplicação, bem como sua eficiência e desempenho térmico.

O BS170, com seu baixo RDS(ON) e alta capacidade de corrente de saturação, é particularmente adequado para aplicações de baixa tensão e baixa corrente. Seu design robusto e confiável garante desempenho estável sob condições variáveis. Os engenheiros também devem considerar as características térmicas do MOSFET, incluindo dissipação máxima de potência e resistência térmica, para garantir operação confiável dentro da faixa de temperatura especificada.

Em resumo, o MOSFET de Canal N BS170 oferece um equilíbrio de desempenho, confiabilidade e eficiência, tornando-o uma opção atraente para uma variedade de aplicações. Sua seleção deve ser baseada em uma avaliação completa dos requisitos elétricos e térmicos da aplicação.

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