2N7000: MOSFET N-Channel, 60V, 200mA, TO-92, SOT-23
onsemi

O 2N7000 é um MOSFET de canal N desenvolvido pela onsemi usando tecnologia DMOS de alta densidade de células. Este componente é projetado para oferecer baixa resistência no estado ligado, garantindo desempenho de comutação rápido e confiável. É particularmente adequado para aplicações que requerem baixa tensão e baixa corrente, incluindo controle de pequenos motores servo, drivers de porta de MOSFET de potência e outras aplicações de comutação.

O dispositivo apresenta um design de célula de alta densidade que contribui para seu baixo RDS(on), tornando-o uma escolha eficiente para tarefas de gerenciamento de energia. Sua capacidade de funcionar como um interruptor de sinal pequeno controlado por tensão adiciona à sua versatilidade em vários designs de circuito. A série 2N7000 é conhecida por sua robustez e confiabilidade, ao lado de uma alta capacidade de corrente de saturação, tornando-a uma escolha preferida para designers que procuram desempenho e durabilidade.

Especificações e Características Chave

  • Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 60V
  • Tensão Porta-Fonte (VGSS): ±20V (Contínua), ±40V (Não Repetitiva)
  • Corrente Máxima de Dreno (ID): 200mA (Contínua)
  • Dissipação de Potência (PD): 400mW
  • Resistência Térmica, Junção ao Ambiente (RθJA): 312.5°C/W
  • Tensão de Limiar da Porta (VGS(th)): 0.8V a 3V
  • Resistência Estática Dreno-Fonte Ligada (RDS(on)): 1.2Ω a 5Ω
  • Capacitância de Entrada (Ciss): 20pF a 50pF

2N7000 Datasheet

2N7000 folha de dados (PDF)

Aplicações

  • Controle de pequenos motores servo
  • Drivers de porta de MOSFET de potência
  • Várias aplicações de comutação de baixa tensão, baixa corrente

Categoria

Transistores

Informações gerais

MOSFETs de Canal N são um tipo de transistor de efeito de campo (FET) amplamente utilizado em circuitos eletrônicos para comutação e amplificação de sinais. Eles operam usando um campo elétrico para controlar o fluxo de corrente entre os terminais de fonte e dreno. MOSFETs de Canal N são caracterizados pelo uso de um sinal de controle carregado negativamente no terminal de porta para permitir o fluxo de corrente.

Ao selecionar um MOSFET de Canal N, os engenheiros devem considerar parâmetros como tensão dreno-fonte (VDSS), tensão porta-fonte (VGSS), corrente máxima de dreno (ID), dissipação de potência (PD) e resistência térmica. Esses parâmetros são críticos para garantir que o MOSFET possa lidar com a carga requerida e operar eficientemente dentro das condições operacionais do circuito.

A escolha do encapsulamento (como TO-92 ou SOT-23 para a série 2N7000) também desempenha um papel significativo na aplicação, afetando fatores como o gerenciamento térmico e as restrições de espaço físico. Além disso, a resistência estática de dreno-fonte (RDS(on)) é uma consideração importante para a eficiência energética, pois valores mais baixos resultam em menos perda de potência durante a operação.

MOSFETs de Canal-N são utilizados em uma ampla gama de aplicações, desde gerenciamento e regulação de energia até processamento de sinais. Sua capacidade de comutar rapidamente e lidar com níveis significativos de energia, mantendo a eficiência, os torna indispensáveis no design eletrônico moderno.

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