BSS138NL6327: Transistor Isyarat Kecil SIPMOS saluran-N, 60V, 0.23A, 3.5Ω

Infineon

BSS138NL6327 adalah Transistor Kesan Medan (FET) mod peningkatan saluran-N yang direka untuk digunakan dalam aplikasi penukaran. Ia mempunyai voltan salir-sumber (VDS) sebanyak 60V dan arus salir berterusan (ID) sebanyak 0.23A pada 25°C, menjadikannya sesuai untuk pelbagai aplikasi kuasa rendah. Peranti ini dicirikan oleh rintangan keadaan hidup (RDS(on)) maksimum 3.5Ω, yang meningkatkan kecekapannya dalam operasi litar.

Transistor ini dioptimumkan untuk pemacu tahap logik, membolehkannya dipacu secara langsung oleh litar logik tanpa memerlukan peralihan tahap tambahan. Penarafan dv/dt dan kelas sensitiviti ESD 0 menjadikannya teguh untuk persekitaran yang mencabar. BSS138NL6327 juga terkenal dengan pematuhan alam sekitarnya, bebas Pb, patuh RoHS, dan bebas halogen, selain layak mengikut piawaian AEC Q101 untuk aplikasi automotif.

• Voltan Parit-Punca (VDS): 60V
• Arus Parit Berterusan (ID): 0.23A pada 25°C
• Arus Parit Berdenyut (ID,pulse): 0.92A
• Rintangan Keadaan Hidup (RDS(on)): Maks 3.5Ω
• Voltan Pintu-Punca (VGS): ±20V
• Pelesapan Kuasa (Ptot): 0.36W pada 25°C
• Suhu Operasi dan Penyimpanan: -55 hingga 150°C
• Ciri Dinamik: Kapasitans Input (Ciss) 32-41pF, Kapasitans Output (Coss) 7.2-9.5pF, Kapasitans Pindah Balik (Crss) 2.8-3.8pF

• Aplikasi pensuisan
• Litar pemacu tahap logik
• Elektronik automotif
• Pengurusan kuasa

Transistor Kesan Medan (FET) adalah sejenis transistor yang digunakan dalam litar elektronik untuk menukar atau menguatkan isyarat. FET dicirikan oleh operasi kawalan voltan, berbeza dengan Transistor Persimpangan Dwi-kutub (BJT) yang dikawal arus. Ini menjadikan FET amat berguna dalam aplikasi di mana galangan input tinggi diperlukan.

Apabila memilih FET untuk aplikasi tertentu, pertimbangan penting termasuk voltan parit-sumber (VDS), arus parit (ID), rintangan keadaan-hidup (RDS(on)), dan voltan get-sumber (VGS). Parameter ini menentukan keupayaan FET untuk mengendalikan kuasa dan kecekapannya dalam litar. Selain itu, ciri-ciri haba dan kepekaan ESD juga kritikal untuk memastikan kebolehpercayaan dan jangka hayat peranti dalam pelbagai keadaan operasi.

FET digunakan secara meluas dalam pelbagai aplikasi, daripada suis mudah kepada litar logik kompleks dan sistem pengurusan kuasa. Penggunaan kuasa yang rendah, kelajuan pensuisan yang tinggi, dan keserasian dengan isyarat tahap logik menjadikannya sangat sesuai untuk peranti elektronik moden.

Secara ringkas, apabila memilih FET, jurutera mesti mempertimbangkan dengan teliti ciri elektrik peranti, prestasi haba, dan kesesuaian untuk aplikasi yang dimaksudkan. Ini memastikan prestasi optimum dan kebolehpercayaan sistem elektronik.