BSS138LT1G: MOSFET Kuasa Saluran-N, 200mA, 50V, pakej SOT-23
onsemi

BSS138LT1G daripada onsemi ialah MOSFET Kuasa Saluran-N yang direka untuk pengurusan kuasa yang cekap dalam peranti mudah alih dan berkuasa bateri. Ia beroperasi pada arus longkang berterusan maksimum 200mA dan voltan longkang-ke-sumber 50V. Voltan ambang rendah komponen (0.85V hingga 1.5V) menjadikannya sesuai untuk aplikasi voltan rendah, meningkatkan kegunaannya dalam litar elektronik moden.

MOSFET ini datang dalam pakej SOT-23 yang padat, mengoptimumkan ruang papan dalam reka bentuk yang padat. Ia dicirikan oleh rintangan hidup saliran-ke-punca statik sebanyak 3.5Ω (pada VGS = 5.0V, ID = 200mA), memastikan operasi yang cekap. Peranti ini juga mempunyai ciri pensuisan pantas, dengan masa tunda hidup dan mati biasanya sekitar 20ns, menyumbang kepada prestasinya dalam aplikasi pensuisan berkelajuan tinggi.

Spesifikasi dan Ciri Utama

  • Voltan Saliran-ke-Sumber (VDSS): 50V
  • Arus Saliran Berterusan (ID): 200mA
  • Arus Saliran Berdenyut (IDM): 800mA
  • Rintangan Hidup Saliran-ke-Sumber Statik (rDS(on)): 3.5Ω
  • Voltan Ambang Pintu-Sumber (VGS(th)): 0.85V hingga 1.5V
  • Jumlah Pelesapan Kuasa (PD): 225mW
  • Julat Suhu Operasi dan Penyimpanan: -55°C hingga 150°C
  • Rintangan Haba, Persimpangan-ke-Ambien (RθJA): 556°C/W

Helaian Data BSS138LT1G

Lembaran data BSS138LT1G (PDF)

BSS138LT1G Pengganti
Komponen alternatif setara yang mungkin berfungsi sebagai pengganti untuk BSS138LT1G, komponen paling popular dahulu

Aplikasi

  • Penukar DC-DC
  • Pengurusan kuasa dalam peranti mudah alih
  • Produk berkuasa bateri seperti komputer, pencetak, kad PCMCIA, telefon selular dan tanpa wayar

Kategori

MOSFET

Maklumat umum

Transistor Kesan Medan Semikonduktor Oksida Logam (MOSFET) adalah sejenis transistor yang digunakan untuk menguatkan atau menukar isyarat elektronik. Ia adalah komponen penting dalam litar elektronik moden, menawarkan impedans input tinggi dan kelajuan pensuisan pantas. MOSFET Saluran-N, seperti BSS138LT1G, biasanya digunakan untuk menukar isyarat elektronik dalam arah negatif (atau 'sink').

Apabila memilih MOSFET untuk reka bentuk, beberapa parameter penting perlu dipertimbangkan, termasuk voltan punca-ke-sumber (VDSS), arus punca (ID), dan rintangan hidup punca-ke-sumber statik (rDS(on)). Parameter ini menentukan keupayaan MOSFET untuk mengendalikan tahap kuasa yang diperlukan dan kecekapan litar. Selain itu, voltan ambang get-sumber (VGS(th)) adalah penting untuk menentukan betapa mudahnya MOSFET boleh dihidupkan pada voltan get tertentu, yang mempengaruhi kesesuaian peranti untuk aplikasi voltan rendah.

MOSFET digunakan secara meluas dalam aplikasi dari pengurusan kuasa dan penukaran hingga pensuisan isyarat. Keupayaannya untuk mengawal arus dan voltan tinggi dengan cekap dengan kuasa input minimum menjadikannya sangat diperlukan dalam peranti elektronik moden. Pilihan pembungkusan, seperti pakej SOT-23 untuk BSS138LT1G, juga memainkan peranan penting dalam aplikasi, mempengaruhi faktor seperti prestasi haba dan penggunaan ruang papan.

Secara ringkas, apabila memilih MOSFET, adalah penting untuk memadankan spesifikasi komponen dengan keperluan aplikasi dengan teliti. Ini termasuk mempertimbangkan persekitaran operasi, kerana suhu dan pengurusan terma boleh memberi kesan ketara kepada prestasi dan kebolehpercayaan MOSFET.

Indeks Populariti PartsBox

  • Perniagaan: 4/10
  • Hobi: 4/10

Pangkalan Data Komponen Elektronik

Popular electronic components