BS170은 onsemi의 독점적인 고셀 밀도 DMOS 기술을 사용하여 생산된 N-채널 MOSFET입니다. 이 부품은 낮은 온 상태 저항을 제공하면서 견고하고 신뢰할 수 있으며 빠른 스위칭 성능을 보장하도록 설계되었습니다. 이 부품은 최대 500mA의 연속 드레인 전류를 처리할 수 있으며, 낮은 전압 및 낮은 전류가 필요한 다양한 애플리케이션에 적합합니다. 예를 들어, 작은 서보 모터 제어, 전력 MOSFET 게이트 드라이버 및 다양한 스위칭 애플리케이션 등이 있습니다.
고밀도 셀 디자인을 특징으로 하는 BS170은 효율적인 전력 관리가 필요한 응용 프로그램에 유익한 낮은 RDS(ON)을 제공합니다. 그것의 높은 포화 전류 능력과 전압 제어 소신호 스위치 기능은 디자이너에게 다양한 선택을 제공합니다. 추가로, BS170은 높은 포화 전류 능력으로 견고하고 신뢰할 수 있으며, 요구가 많은 환경에 견고한 선택으로 특징지어집니다.
트랜지스터
전계 효과 트랜지스터(FET)는 BS170과 같은 신호를 스위칭하고 증폭하는 데 널리 사용되는 반도체 장치입니다. N-채널 MOSFET은 게이트 단자에 양의 전압이 인가될 때 드레인과 소스 단자 사이에서 전류를 전도하도록 설계된 FET의 한 유형입니다. 이는 N-채널 MOSFET을 고효율 스위칭 응용 프로그램에 이상적으로 만듭니다.
N-채널 MOSFET을 선택할 때, 엔지니어는 드레인-소스 전압(VDSS), 게이트-소스 전압(VGSS), 드레인 전류, 및 정적 드레인-소스 온저항(RDS(ON))과 같은 매개변수를 고려해야 합니다. 이러한 매개변수는 주어진 응용 프로그램에서 MOSFET이 전압과 전류를 처리할 수 있는 능력뿐만 아니라 그것의 효율성과 열 성능을 결정합니다.
BS170은 낮은 RDS(ON)과 높은 포화 전류 능력으로 저전압, 저전류 응용 프로그램에 특히 적합합니다. 그것의 견고하고 신뢰할 수 있는 설계는 다양한 조건에서 안정적인 성능을 보장합니다. 엔지니어는 MOSFET의 열 특성, 최대 전력 소산 및 열 저항을 포함하여 지정된 온도 범위 내에서 신뢰할 수 있는 작동을 보장하기 위해 고려해야 합니다.
요약하자면, BS170 N-채널 MOSFET은 성능, 신뢰성 및 효율성의 균형을 제공하여 다양한 애플리케이션에 매력적인 옵션입니다. 그 선택은 애플리케이션의 전기 및 열 요구 사항에 대한 철저한 평가를 기반으로 해야 합니다.