NSVBAT54HT1G: ショットキーバリアダイオード、30V、200mA、SOD-323、高速スイッチング
onsemi

onsemiのNSVBAT54HT1Gは、高速スイッチングアプリケーション、回路保護、および電圧クランプ用に設計されたショットキーバリアダイオードです。極めて低い順方向電圧を特徴とし、導通損失を大幅に低減するため、高効率アプリケーションに適しています。超小型のSOD-323表面実装パッケージは、スペースが限られたポータブルおよびハンドヘルドアプリケーションに最適です。

このダイオードは、高速スイッチング速度と、10mA順電流で通常0.35Vという低い順電圧を特徴としています。自動車用途(AEC-Q101)の認定を受けており、PPAPに対応しているため、重要なアプリケーションに対する信頼性と品質が示されています。また、このデバイスは鉛フリー、ハロゲンフリー/BFRフリー、RoHS準拠であり、環境基準に適合しています。

主な仕様と機能

  • 逆電圧 (VR): 30V
  • 順方向電流 (IF): 200mA
  • 非繰り返しピーク順方向電流 (IFSM): 600mA
  • 低順方向電圧: 0.35V (標準) @ IF = 10mA
  • 逆漏れ電流 (IR): 0.5μA @ VR = 25V
  • 全容量 (CT): 7.6pF @ VR = 1.0V, f = 1.0MHz
  • 逆回復時間 (trr): <5ns
  • パッケージ: SOD-323

NSVBAT54HT1G データシート

NSVBAT54HT1G データシート (PDF)

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アプリケーション

  • 高速スイッチング回路
  • 回路保護
  • 電圧クランプ

カテゴリ

ダイオード

一般情報

ショットキーバリアダイオードは、他のダイオードと同様に一方向に電流を流すように設計された半導体デバイスですが、いくつかの明確な利点があります。これらは、低い順方向電圧降下と高速スイッチング能力で知られています。これらの特性により、ショットキーダイオードは高効率電源回路、RFアプリケーション、および低電圧・高周波インバータの整流器として特に有用です。

特定のアプリケーション用にショットキーダイオードを選択する場合、最大逆電圧、順電流、許容損失、パッケージタイプ、熱特性などのパラメータを考慮することが重要です。ショットキーダイオードの低い順方向電圧降下は電力損失を低減し、効率が重要なアプリケーションに適しています。ただし、通常、他のダイオードよりも逆漏れ電流が高いため、一部のアプリケーションでは制限要因となる場合があります。

ショットキーダイオードの高速スイッチング速度は高周波アプリケーションに有益ですが、デバイスが過熱することなく必要な電流を処理できることを確認することが重要です。高電力アプリケーションでは、熱管理戦略が必要になる場合があります。さらに、パッケージのタイプとサイズは、熱性能やコンパクトな設計への適合性に影響を与える可能性があります。

全体として、ショットキーダイオードは、幅広い電子回路において効率と性能を向上させることができる多用途な部品です。その特性と限界を理解することが、用途に適したダイオードを選択するための鍵となります。

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