Central Semiconductorの2N2222Aは、主に小信号、汎用スイッチングアプリケーション向けに設計されたシリコンNPNエピタキシャルプレーナートランジスタです。このコンポーネントは、スペースがプレミアムな設計でコンパクトなフットプリントを提供する金属TO-18ケースに封入されています。
2N2222Aの主要な特長には、最大800mAの連続コレクタ電流を処理できる能力が含まれ、幅広いアプリケーションに適しています。さらに、40Vのコレクタ-エミッタ電圧（VCEO）と、25°Cの周囲温度での500mWの電力散逸（PD）を含む堅牢な最大定格により、さまざまな条件下での信頼性の高い動作が保証されます。デバイスはまた、低飽和電圧と、動作条件の範囲にわたる高い電流利得（hFE）を示し、回路設計におけるその汎用性をさらに高めます。
トランジスタ
NPNトランジスタは、電子回路で増幅器またはスイッチとして機能する基本的なコンポーネントです。これらのデバイスは、外側の層がn型で、中間層がp型の3層の半導体材料で構成されており、NPN構成を形成します。NPNトランジスタの動作は、ベース電流によって変調されるコレクタからエミッタへの電流の流れの制御に基づいています。
NPNトランジスタを選択する際の主要な考慮事項には、最大コレクター・エミッター電圧とコレクター・ベース電圧、最大コレクター電流、消費電力、および電流増幅率が含まれます。これらのパラメーターは、低電力の信号増幅から高電力のスイッチングまで、特定のアプリケーションにおけるトランジスタの適合性を決定します。
2N2222Aは、コンパクトなTO-18金属ケースを備えており、スペースが限られている場所での信頼性が最も重要なアプリケーションに特に適しています。比較的高い電流と電圧を処理できる能力、高い電流利得、および低飽和電圧により、幅広いアプリケーションに対して汎用性の高い選択肢となります。
電気仕様に加えて、熱抵抗や動作温度範囲などの熱特性も重要です。これらの要因は、ヒートシンキングの選択およびトランジスタのさまざまな動作条件での全体的な信頼性に影響を与えます。