Central Semiconductor 2N2222Aは、主に小信号、汎用スイッチングアプリケーション向けに設計されたシリコンNPNエピタキシャルプレーナトランジスタです。この部品は金属製のTO-18ケースに封止されており、スペースが限られている設計にコンパクトなフットプリントを提供します。
2N2222Aの主な特徴には、最大800mAの連続コレクタ電流を処理できる能力が含まれており、幅広いアプリケーションに適しています。さらに、40Vのコレクタ-エミッタ電圧（VCEO）や25°Cの周囲温度での500mWの電力損失（PD）などの堅牢な最大定格により、さまざまな条件下での信頼性の高い動作が保証されます。また、このデバイスは、さまざまな動作条件で低い飽和電圧と高い電流利得（hFE）を示し、回路設計における汎用性をさらに高めています。
トランジスタ
NPNトランジスタは電子回路における基本的な部品であり、増幅器やスイッチとして機能します。これらのデバイスは3層の半導体材料で構成されており、外側の層がn型、中間の層がp型で、NPN構成を形成しています。NPNトランジスタの動作は、ベース電流によって変調されるコレクタからエミッタへの電流の流れの制御に基づいています。
NPNトランジスタを選択する際の主な考慮事項には、最大コレクタ-エミッタ間電圧およびコレクタ-ベース間電圧、最大コレクタ電流、電力損失、および電流利得が含まれます。これらのパラメータは、低電力信号増幅から高電力スイッチングまで、特定のアプリケーションに対するトランジスタの適合性を決定します。
2N2222Aは、コンパクトなTO-18メタルケースを備えており、スペースが限られ信頼性が最優先されるアプリケーションに特に適しています。比較的高い電流と電圧を処理できる能力に加え、高い電流利得と低い飽和電圧により、幅広い用途に多目的に使用できます。
電気的仕様に加えて、熱抵抗や動作温度範囲などの熱特性も重要です。これらの要因は、ヒートシンクの選択や、さまざまな動作条件下でのトランジスタの全体的な信頼性に影響を与えます。