BS170: MOSFET N-Channel, 60V, 500mA, TO-92/SOT-23
onsemi

BS170 adalah N-Channel MOSFET yang diproduksi menggunakan teknologi DMOS kepadatan sel tinggi milik onsemi. Komponen ini dirancang untuk menawarkan resistansi on-state rendah sambil memastikan kinerja switching yang tangguh, andal, dan cepat. Ia mampu menangani hingga 500 mA arus drain kontinu, membuatnya cocok untuk berbagai aplikasi, terutama yang membutuhkan tegangan rendah dan arus rendah. Contohnya termasuk kontrol motor servo kecil, driver gerbang daya MOSFET, dan berbagai aplikasi switching.

Menampilkan desain sel kepadatan tinggi, BS170 menyediakan RDS(ON) rendah, yang bermanfaat untuk aplikasi yang memerlukan manajemen daya yang efisien. Kemampuan arus saturasi tinggi dan fungsionalitas sakelar sinyal kecil yang dikendalikan tegangan menjadikannya pilihan serbaguna bagi para desainer. Selain itu, BS170 dikarakteristikkan sebagai tangguh dan andal, dengan kemampuan arus saturasi tinggi, menjadikannya pilihan yang solid untuk lingkungan yang menuntut.

Spesifikasi dan Fitur Utama

  • Tegangan Drain-Source (VDSS): 60V
  • Tegangan Gate-Source (VGSS): ±20V
  • Arus Drain - Berkelanjutan (ID): 500mA
  • Arus Drain - Berdenyut: 1200mA (BS170), 800mA (MMBF170)
  • Resistansi On Drain-Source Statis (RDS(ON)): 1,2Ω hingga 5Ω
  • Tegangan Ambang Gate (VGS(th)): 0,8V hingga 3V
  • Disipasi Daya Maksimum: 830mW (BS170), 300mW (MMBF170)
  • Rentang Suhu Operasi dan Penyimpanan: -55°C hingga 150°C

Lembar Data BS170

BS170 lembar data (PDF)

Aplikasi

  • Kontrol motor servo kecil
  • Penggerak gerbang MOSFET daya
  • Berbagai aplikasi switching

Kategori

Transistor

Informasi umum

Field Effect Transistors (FET) seperti BS170 adalah perangkat semikonduktor yang digunakan secara luas dalam elektronik untuk switching dan penguatan sinyal. MOSFET N-Channel, sejenis FET, dirancang untuk menghantarkan arus antara terminal drain dan source ketika tegangan positif diterapkan ke terminal gate. Ini membuat MOSFET N-Channel ideal untuk aplikasi switching efisiensi tinggi.

Saat memilih MOSFET N-Channel, insinyur harus mempertimbangkan parameter seperti tegangan drain-source (VDSS), tegangan gate-source (VGSS), arus drain, dan resistansi on drain-source statis (RDS(ON)). Parameter ini menentukan kemampuan MOSFET untuk menangani tegangan dan arus dalam aplikasi tertentu, serta efisiensi dan kinerja termalnya.

BS170, dengan RDS(ON) rendah dan kemampuan arus saturasi tinggi, sangat cocok untuk aplikasi tegangan rendah dan arus rendah. Desainnya yang kokoh dan andal memastikan kinerja yang stabil dalam berbagai kondisi. Insinyur juga harus mempertimbangkan karakteristik termal MOSFET, termasuk disipasi daya maksimum dan resistansi termal, untuk memastikan operasi yang andal dalam rentang suhu yang ditentukan.

Singkatnya, MOSFET N-Channel BS170 menawarkan keseimbangan kinerja, keandalan, dan efisiensi, menjadikannya pilihan yang menarik untuk berbagai aplikasi. Pemilihannya harus didasarkan pada evaluasi menyeluruh terhadap persyaratan listrik dan termal aplikasi.

Indeks Popularitas PartsBox

  • Bisnis: 3/10
  • Hobi: 8/10

Basis Data Komponen Elektronik

Popular electronic components