BS170: MOSFET N-Channel, 60V, 500mA, TO-92/SOT-23
onsemi

BS170 adalah MOSFET N-Channel yang diproduksi menggunakan teknologi DMOS kepadatan sel tinggi milik onsemi. Komponen ini dirancang untuk menawarkan resistansi on-state yang rendah sambil memastikan kinerja pengalihan yang tangguh, andal, dan cepat. Mampu menangani hingga 500 mA arus drain kontinu, menjadikannya cocok untuk berbagai aplikasi, terutama yang memerlukan tegangan rendah dan arus rendah. Contohnya termasuk kontrol motor servo kecil, penggerak gerbang MOSFET daya, dan berbagai aplikasi pengalihan.

Dengan desain sel berdensitas tinggi, BS170 menyediakan RDS(ON) rendah, yang bermanfaat untuk aplikasi yang memerlukan manajemen daya yang efisien. Kemampuan arus jenuh tinggi dan fungsionalitas sakelar sinyal kecil yang dikontrol tegangan membuatnya menjadi pilihan yang serbaguna bagi perancang. Selain itu, BS170 dikarakterisasi sebagai tangguh dan dapat diandalkan, dengan kemampuan arus jenuh tinggi, menjadikannya pilihan yang solid untuk lingkungan yang menuntut.

Spesifikasi dan Fitur Utama

  • Tegangan Sumber-Drain (VDSS): 60V
  • Tegangan Sumber-Gerbang (VGSS): ±20V
  • Arus Drain - Kontinu (ID): 500mA
  • Arus Drain - Dipulsasi: 1200mA (BS170), 800mA (MMBF170)
  • Resistansi On-State Drain-Sumber Statis (RDS(ON)): 1.2Ω hingga 5Ω
  • Tegangan Ambang Gerbang (VGS(th)): 0.8V hingga 3V
  • Disipasi Daya Maksimum: 830mW (BS170), 300mW (MMBF170)
  • Rentang Suhu Operasional dan Penyimpanan: -55°C hingga 150°C

BS170 Lembar Data

BS170 datasheet (PDF)

Aplikasi

  • Kontrol motor servo kecil
  • Penggerak gerbang MOSFET daya
  • Berbagai aplikasi switching

Kategori

Transistor

Informasi Umum

Transistor Efek Medan (FET) seperti BS170 adalah perangkat semikonduktor yang banyak digunakan dalam elektronik untuk mengalihkan dan memperkuat sinyal. MOSFET N-Channel, jenis FET, dirancang untuk mengalirkan arus antara terminal drain dan sumber ketika tegangan positif diterapkan ke terminal gerbang. Ini membuat MOSFET N-Channel ideal untuk aplikasi pengalihan efisiensi tinggi.

Saat memilih MOSFET N-Channel, insinyur harus mempertimbangkan parameter seperti tegangan sumber-drain (VDSS), tegangan gerbang-sumber (VGSS), arus drain, dan resistansi sumber-drain statis (RDS(ON)). Parameter ini menentukan kemampuan MOSFET untuk menangani tegangan dan arus dalam aplikasi tertentu, serta efisiensi dan kinerja termalnya.

BS170, dengan RDS(ON) rendah dan kemampuan arus saturasi tinggi, sangat cocok untuk aplikasi tegangan rendah, arus rendah. Desainnya yang tangguh dan andal memastikan kinerja stabil di bawah kondisi yang bervariasi. Insinyur juga harus mempertimbangkan karakteristik termal MOSFET, termasuk disipasi daya maksimum dan resistansi termal, untuk memastikan operasi yang andal dalam rentang suhu yang ditentukan.

Secara ringkas, BS170 MOSFET N-Channel menawarkan keseimbangan antara kinerja, keandalan, dan efisiensi, menjadikannya opsi menarik untuk berbagai aplikasi. Pilihannya harus didasarkan pada evaluasi menyeluruh terhadap kebutuhan listrik dan termal aplikasi.

Indeks Popularitas PartsBox

  • Bisnis: 4/10
  • Hobi: 8/10

Basis Data Komponen Elektronik

Popular electronic components