2N7000: MOSFET Saluran-N, 60V, 200mA, TO-92, SOT-23
onsemi

2N7000 adalah MOSFET Saluran-N yang dikembangkan oleh onsemi menggunakan teknologi DMOS dengan kepadatan sel tinggi. Komponen ini dirancang untuk menawarkan resistansi dalam keadaan nyala yang rendah sambil memastikan kinerja peralihan yang andal dan cepat. Ini sangat cocok untuk aplikasi yang memerlukan tegangan rendah dan arus rendah, termasuk kontrol motor servo kecil, penggerak gerbang MOSFET daya, dan aplikasi peralihan lainnya.

Perangkat ini memiliki desain sel berdensitas tinggi yang berkontribusi pada RDS(on) yang rendah, menjadikannya pilihan yang efisien untuk tugas manajemen daya. Kemampuannya untuk berfungsi sebagai saklar sinyal kecil yang dikontrol tegangan menambah versatilitasnya dalam berbagai desain rangkaian. Seri 2N7000 dikenal karena ketangguhan dan keandalannya, bersama dengan kemampuan arus saturasi yang tinggi, menjadikannya pilihan yang disukai oleh desainer yang mencari kinerja dan daya tahan.

Spesifikasi dan Fitur Utama

  • Tegangan Drain-ke-Sumber (VDSS): 60V
  • Tegangan Gerbang-ke-Sumber (VGSS): ±20V (Berlanjut), ±40V (Tidak Berulang)
  • Arus Drain Maksimum (ID): 200mA (Berlanjut)
  • Disipasi Daya (PD): 400mW
  • Resistansi Termal, Junction ke Ambient (RθJA): 312.5°C/W
  • Tegangan Ambang Gerbang (VGS(th)): 0.8V hingga 3V
  • Resistansi On-Drain-Sumber Statis (RDS(on)): 1.2Ω hingga 5Ω
  • Kapasitansi Input (Ciss): 20pF hingga 50pF

2N7000 Lembar Data

2N7000 datasheet (PDF)

Aplikasi

  • Kontrol motor servo kecil
  • Penggerak gerbang MOSFET daya
  • Berbagai aplikasi switching tegangan rendah, arus rendah

Kategori

Transistor

Informasi Umum

MOSFET N-Channel adalah jenis transistor efek medan (FET) yang banyak digunakan dalam sirkuit elektronik untuk switching dan memperkuat sinyal. Mereka beroperasi dengan menggunakan medan listrik untuk mengontrol aliran arus antara terminal sumber dan drain. MOSFET N-Channel dicirikan oleh penggunaan sinyal kontrol bermuatan negatif di terminal gerbang untuk mengaktifkan aliran arus.

Saat memilih MOSFET N-Channel, insinyur harus mempertimbangkan parameter seperti tegangan drain-to-source (VDSS), tegangan gate-source (VGSS), arus drain maksimum (ID), disipasi daya (PD), dan resistansi termal. Parameter ini kritis dalam memastikan bahwa MOSFET dapat menangani beban yang diperlukan dan beroperasi secara efisien dalam kondisi operasi rangkaian.

Pilihan kemasan (seperti TO-92 atau SOT-23 untuk seri 2N7000) juga memainkan peran penting dalam aplikasi, mempengaruhi faktor-faktor seperti manajemen termal dan batasan ruang fisik. Selain itu, resistansi drain-source statis (RDS(on)) adalah pertimbangan penting untuk efisiensi daya, karena nilai yang lebih rendah menghasilkan kehilangan daya yang lebih sedikit selama operasi.

MOSFET Saluran-N digunakan dalam berbagai aplikasi, dari manajemen daya dan regulasi hingga pemrosesan sinyal. Kemampuan mereka untuk sakelar dengan cepat dan menangani tingkat daya yang signifikan, sambil menjaga efisiensi, membuat mereka sangat penting dalam desain elektronik modern.

Indeks Popularitas PartsBox

  • Bisnis: 5/10
  • Hobi: 9/10

Basis Data Komponen Elektronik

Popular electronic components