2N7000: MOSFET Saluran-N, 60V, 200mA, TO-92, SOT-23
onsemi

2N7000 adalah MOSFET N-Channel yang dikembangkan oleh onsemi menggunakan teknologi DMOS dengan kepadatan sel tinggi. Komponen ini dirancang untuk menawarkan resistansi on-state yang rendah sambil memastikan kinerja switching yang andal dan cepat. Ini sangat cocok untuk aplikasi yang membutuhkan tegangan rendah dan arus rendah, termasuk kontrol motor servo kecil, driver gerbang MOSFET daya, dan aplikasi switching lainnya.

Perangkat ini memiliki desain sel kepadatan tinggi yang berkontribusi pada RDS(on) rendahnya, menjadikannya pilihan yang efisien untuk tugas manajemen daya. Kemampuannya untuk berfungsi sebagai sakelar sinyal kecil yang dikendalikan tegangan menambah keserbagunaannya dalam berbagai desain sirkuit. Seri 2N7000 dikenal karena ketangguhan dan keandalannya, di samping kemampuan arus saturasi tinggi, menjadikannya pilihan utama bagi perancang yang mencari kinerja dan daya tahan.

Spesifikasi dan Fitur Utama

  • Tegangan Drain-ke-Source (VDSS): 60V
  • Tegangan Gate-Source (VGSS): ±20V (Berkelanjutan), ±40V (Non Repetitif)
  • Arus Drain Maksimum (ID): 200mA (Berkelanjutan)
  • Disipasi Daya (PD): 400mW
  • Resistansi Termal, Junction ke Ambient (RθJA): 312.5°C/W
  • Tegangan Ambang Gate (VGS(th)): 0.8V hingga 3V
  • Resistansi On Drain-Source Statis (RDS(on)): 1.2Ω hingga 5Ω
  • Kapasitansi Input (Ciss): 20pF hingga 50pF

Lembar Data 2N7000

2N7000 lembar data (PDF)

Aplikasi

  • Kontrol motor servo kecil
  • Penggerak gerbang MOSFET daya
  • Berbagai aplikasi switching tegangan rendah, arus rendah

Kategori

Transistor

Informasi umum

MOSFET N-Channel adalah jenis transistor efek medan (FET) yang banyak digunakan dalam sirkuit elektronik untuk switching dan penguatan sinyal. Mereka beroperasi dengan menggunakan medan listrik untuk mengontrol aliran arus antara terminal source dan drain. MOSFET N-Channel dicirikan oleh penggunaan sinyal kontrol bermuatan negatif pada terminal gate untuk memungkinkan aliran arus.

Saat memilih MOSFET N-Channel, insinyur harus mempertimbangkan parameter seperti tegangan drain-to-source (VDSS), tegangan gate-source (VGSS), arus drain maksimum (ID), disipasi daya (PD), dan resistansi termal. Parameter ini sangat penting untuk memastikan bahwa MOSFET dapat menangani beban yang diperlukan dan beroperasi secara efisien dalam kondisi operasi sirkuit.

Pilihan kemasan (seperti TO-92 atau SOT-23 untuk seri 2N7000) juga memainkan peran penting dalam aplikasi, memengaruhi faktor-faktor seperti manajemen termal dan batasan ruang fisik. Selain itu, resistansi on-state drain-source statis (RDS(on)) merupakan pertimbangan penting untuk efisiensi daya, karena nilai yang lebih rendah menghasilkan lebih sedikit kehilangan daya selama operasi.

MOSFET N-Channel digunakan dalam berbagai aplikasi, mulai dari manajemen daya dan regulasi hingga pemrosesan sinyal. Kemampuan mereka untuk beralih dengan cepat dan menangani tingkat daya yang signifikan, sambil mempertahankan efisiensi, menjadikannya sangat diperlukan dalam desain elektronik modern.

Indeks Popularitas PartsBox

  • Bisnis: 6/10
  • Hobi: 9/10

Basis Data Komponen Elektronik

Popular electronic components