Onsemin BSS138W on N-kanavainen logiikkatason avaustilan kenttätransistori (MOSFET), joka on suunniteltu tehokkaaseen toimintaan matalan jännitteen ja pienen virran sovelluksissa. Tässä MOSFETissa on kompakti SOT-323-pintaliitoskotelo, mikä tekee siitä sopivan tiheisiin piirilevyasetteluihin. Se on suunniteltu minimoimaan päällä-tilan resistanssi, tarjoten arvoja jopa 3,5 Ω jännitteellä VGS = 10 V, ID = 0,22 A, mikä varmistaa tehokkaan virranhallinnan piireissä.
Sen kestävä ja luotettava rakenne yhdistettynä korkean tiheyden kennorakenteeseen erittäin alhaisen RDS(on)-arvon saavuttamiseksi tekee BSS138W:stä ihanteellisen valinnan sovelluksiin, kuten pienten servomoottorien ohjaukseen, teho-MOSFET-hilaohjaimiin ja muihin kytkentäsovelluksiin. Laite toimii 50 V:n nielu-lähde-jännitteellä (VDSS) ja kestää jatkuvaa nieluvirtaa jopa 0,21 A, mikä tekee siitä monipuolisen erilaisiin elektroniikkasuunnitelmiin.
Transistori
Kenttätransistoreita (FET), erityisesti N-kanavaisia MOSFETeja, käytetään laajalti elektroniikkapiireissä niiden kyvyn vuoksi hallita tehonkulkua tehokkaasti. Ne toimivat käyttämällä sähkökenttää kanavan johtavuuden säätelyyn, tarjoten korkean tuloimpedanssin ja nopeat kytkentänopeudet. N-kanavaiset MOSFETit, kuten BSS138W, ovat erityisen hyödyllisiä sovelluksissa, jotka vaativat tehokasta virranhallintaa ja ohjausta pienessä tilassa.
Kun valitaan N-kanavaista MOSFETia, tärkeitä huomioon otettavia tekijöitä ovat nielu-lähde-jännite (VDSS), hila-lähde-jännite (VGSS), jatkuva nieluvirta (ID) ja staattinen nielu-lähde-päällä-resistanssi (RDS(on)). Nämä parametrit määrittävät MOSFETin kyvyn käsitellä haluttuja tehotasoja ja tehokkuutta. Lisäksi kotelotyyppi ja lämpöominaisuudet ovat ratkaisevia sen varmistamiseksi, että komponentti sopii suunnittelun fyysisiin ja lämpörajoituksiin.
BSS138W on suunniteltu matalan jännitteen ja pienen virran sovelluksiin, tarjoten tasapainon suorituskyvyn ja koon välillä. Sen matala RDS(on) auttaa vähentämään tehohäviöitä, mikä tekee siitä sopivan korkean hyötysuhteen sovelluksiin. Kompakti SOT-323-kotelo mahdollistaa tiheät piirilevyasettelut, tarjoten joustavuutta suunnitteluun.
Kaiken kaikkiaan N-kanavaisen MOSFETin, kuten BSS138W:n, valinnan tulisi perustua sovelluksen erityisvaatimuksiin, mukaan lukien sähköiset tekniset tiedot, fyysinen koko ja lämmönhallintatarpeet. Näiden tekijöiden ymmärtäminen auttaa insinöörejä valitsemaan oikean komponentin suunnitelmiinsa, varmistaen optimaalisen suorituskyvyn ja luotettavuuden.