BS170 on N-kanavainen MOSFET, joka on valmistettu käyttäen onsemin omaa korkean solutiheyden DMOS-teknologiaa. Tämä komponentti on suunniteltu tarjoamaan alhainen on-tilan resistanssi varmistaen samalla vankan, luotettavan ja nopean kytkentäsuorituskyvyn. Se pystyy käsittelemään jopa 500 mA jatkuvaa nieluvirtaa, mikä tekee siitä sopivan monenlaisiin sovelluksiin, erityisesti niihin, jotka vaativat matalaa jännitettä ja pientä virtaa. Esimerkkejä ovat pienten servomoottorien ohjaus, teho-MOSFET-hilaohjaimet ja erilaiset kytkentäsovellukset.
Korkean tiheyden kennorakenteen ansiosta BS170 tarjoaa alhaisen RDS(ON)-arvon, mikä on hyödyllistä sovelluksissa, jotka vaativat tehokasta virranhallintaa. Sen korkea kyllästysvirtakyky ja jänniteohjattu piensignaalikytkintoiminnallisuus tekevät siitä monipuolisen valinnan suunnittelijoille. Lisäksi BS170:tä luonnehditaan kestäväksi ja luotettavaksi, ja sen korkea kyllästysvirtakyky tekee siitä vankan valinnan vaativiin ympäristöihin.
Transistori
Kenttävaikutustransistorit (FET), kuten BS170, ovat puolijohdelaitteita, joita käytetään laajasti elektroniikassa signaalien kytkemiseen ja vahvistamiseen. N-kanavainen MOSFET, eräs FET-tyyppi, on suunniteltu johtamaan virtaa nielu- ja lähdeliittimien välillä, kun hilaliittimeen syötetään positiivinen jännite. Tämä tekee N-kanavaisista MOSFETeista ihanteellisia korkean hyötysuhteen kytkentäsovelluksiin.
Valittaessa N-kanava MOSFETia, insinöörien tulisi harkita parametreja, kuten drain-source-jännite (VDSS), gate-source-jännite (VGSS), drain-virta ja staattinen drain-source on-resistanssi (RDS(ON)). Nämä parametrit määrittävät MOSFETin kyvyn käsitellä jännitteitä ja virtoja tietyssä sovelluksessa, sekä sen tehokkuuden ja lämpösuorituskyvyn.
BS170, matalalla RDS(ON)-arvollaan ja korkealla kyllästysvirtakyvyllään, sopii erityisesti matalan jännitteen ja pienen virran sovelluksiin. Sen kestävä ja luotettava rakenne takaa vakaan suorituskyvyn vaihtelevissa olosuhteissa. Insinöörien tulisi myös ottaa huomioon MOSFETin lämpöominaisuudet, mukaan lukien suurin tehohäviö ja lämpövastus, varmistaakseen luotettavan toiminnan määritellyllä lämpötila-alueella.
Yhteenvetona BS170 N-kanavainen MOSFET tarjoaa tasapainon suorituskyvyn, luotettavuuden ja tehokkuuden välillä, mikä tekee siitä houkuttelevan vaihtoehdon moniin sovelluksiin. Sen valinnan tulisi perustua sovelluksen sähköisten ja lämpövaatimusten perusteelliseen arviointiin.