BSS138BKAHZGT116: MOSFET N-Channel, 50V, 220mA, SOT-23
ROHM

El BSS138BKAHZGT116 es un MOSFET de canal N producido por ROHM, diseñado para aplicaciones de conmutación de baja potencia. Este componente funciona como un interruptor que puede controlar el flujo de energía eléctrica en un circuito sin partes móviles, utilizando las propiedades eléctricas del silicio. Se caracteriza por su capacidad para gestionar eficientemente la energía con pérdidas mínimas, lo que lo hace adecuado para una amplia gama de circuitos electrónicos.

Con un voltaje máximo de drenador-fuente (Vds) de 50V y una corriente de drenaje continua (Id) de 220mA, está optimizado para aplicaciones de bajo voltaje donde la eficiencia energética es crucial. El paquete SOT-23 es ampliamente utilizado debido a su tamaño compacto, lo que lo hace adecuado para aplicaciones con limitaciones de espacio. La baja resistencia en estado activo y la alta velocidad de conmutación del BSS138BKAHZGT116 mejoran aún más su rendimiento en aplicaciones de conmutación.

Especificaciones y Características Clave

  • Tipo: MOSFET de canal N
  • Voltaje Máximo de Drenaje-Fuente (Vds): 50V
  • Corriente de Drenaje Continua (Id): 220mA
  • Paquete: SOT-23
  • Disipación de Potencia: No especificado
  • Voltaje de Umbral de Puerta: No especificado
  • Resistencia en Estado Encendido: No especificado

BSS138BKAHZGT116 Hoja de Datos

BSS138BKAHZGT116 hoja de datos (PDF)

BSS138BKAHZGT116 Sustitutos
Componentes alternativos equivalentes que pueden servir como sustituto de BSS138BKAHZGT116, los componentes más populares primero

Aplicaciones

  • Aplicaciones de conmutación de baja potencia
  • Circuitos de gestión de energía
  • Dispositivos alimentados por baterías
  • Controladores de carga/interruptores

Categoría

Transistor

Información general

Los MOSFETs (Transistores de Efecto de Campo de Semiconductor de Óxido Metálico) son un tipo de transistor utilizado en circuitos electrónicos para conmutar o amplificar señales. Son muy apreciados por su alta impedancia de entrada y bajo consumo de potencia, lo que los hace componentes esenciales en el diseño electrónico moderno. Los MOSFETs de canal N, en particular, están diseñados para conducir corriente cuando se aplica un voltaje positivo a la puerta en relación con la fuente.

Al seleccionar un MOSFET para una aplicación específica, es importante considerar parámetros como el voltaje máximo drenador-fuente (Vds), la corriente continua del drenador (Id) y el tipo de paquete. Estos parámetros determinan la capacidad del MOSFET para manejar los niveles de voltaje y corriente en su circuito. La resistencia en estado encendido (Rds(on)) es otra especificación crucial, ya que afecta la pérdida de potencia y la eficiencia del dispositivo.

Los MOSFETs se utilizan en una variedad de aplicaciones, incluyendo la conversión de potencia, control de motores y conmutación de señales. La elección de un MOSFET depende de los requisitos específicos de la aplicación, como el voltaje de operación, capacidad de manejo de corriente y restricciones de tamaño físico. También es importante considerar la gestión térmica del dispositivo, ya que los MOSFETs pueden generar un calor significativo durante su operación.

En resumen, los MOSFETs juegan un papel crítico en la electrónica moderna, ofreciendo una solución versátil para controlar la potencia en una amplia gama de aplicaciones. Entender las especificaciones clave y cómo se relacionan con los requisitos de su aplicación es esencial para seleccionar el MOSFET adecuado.

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